中歐“大咖”齊聚深圳,共話(huà)第三代半導體發(fā)展
最近,由深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )、坪山區人民政府、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟指導,青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院主辦,深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng )新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來(lái)自中國和歐洲的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會(huì ),圍繞第三代半導體技術(shù)創(chuàng )新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進(jìn)行深入探討與交流,加速第三代半導體材料國產(chǎn)化替代進(jìn)程,助力國產(chǎn)半導體開(kāi)辟一片新天地。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201909/405112.htm深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )黨組書(shū)記林祥、深圳市坪山區科技創(chuàng )新局局長(cháng)黃鳴出席論壇并致辭。深圳第三代半導體研究院副院長(cháng)張國旗、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院執行院長(cháng)于洪宇、國家新能源汽車(chē)技術(shù)創(chuàng )新中心車(chē)規半導體業(yè)務(wù)負責人文宇、英國劍橋大學(xué)工程系教授Patrick Palmer、深圳基本半導體有限公司總經(jīng)理和巍巍等嘉賓圍繞第三代半導體材料器件的技術(shù)創(chuàng )新、產(chǎn)品應用和機遇挑戰,開(kāi)展前沿技術(shù)分享及精彩主題演講。
深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )黨組書(shū)記林祥致辭
深圳市坪山區科技創(chuàng )新局局長(cháng)黃鳴致辭
深圳第三代半導體研究院副院長(cháng)張國旗發(fā)表主題演講
南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院執行院長(cháng)于洪宇發(fā)表主題演講
國家新能源汽車(chē)技術(shù)創(chuàng )新中心車(chē)規半導體業(yè)務(wù)負責人文宇發(fā)表主題演講
英國劍橋大學(xué)工程系教授Patrick Palmer發(fā)表主題演講
深圳基本半導體總經(jīng)理和巍巍在論壇上表示,國內第三代半導體碳化硅發(fā)展一直緊跟世界前沿,但在汽車(chē)設計和制造方面,和國際的先進(jìn)水平還有一定的差距。目前,國內有幾所大學(xué)可以制造器件樣品,有部分公司可以量產(chǎn)二極管,但僅有基本半導體可量產(chǎn)碳化硅MOSFET,基本半導體未來(lái)將繼續加大研發(fā)投入,加強技術(shù)創(chuàng )新,致力于鑄造第三代半導體碳化硅的中國“芯”。
基本半導體總經(jīng)理和巍巍發(fā)表主題演講
在隨后舉行的“中國第三代半導體的突破之路”高端圓桌對話(huà)上,力合科創(chuàng )集團副總裁馮杰、國創(chuàng )中心車(chē)規半導體業(yè)務(wù)負責人文宇、深圳基本半導體首席技術(shù)官張振中、北京億華通科技研發(fā)總監周鵬飛、深圳禾望電氣研發(fā)中心副經(jīng)理謝峰、深圳欣銳科技研發(fā)總監張輝等產(chǎn)學(xué)研投界代表暢所欲言,為“中國第三代半導體的突破之路”建言獻策。
高端圓桌對話(huà)
為增進(jìn)中國與歐洲知名院校、科研機構、創(chuàng )新企業(yè)的國際交流,進(jìn)一步推動(dòng)雙方開(kāi)展學(xué)術(shù)交流和科研合作,促進(jìn)國內第三代半導體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,青銅劍科技、基本半導體以及中歐創(chuàng )新中心從2017年開(kāi)始,每年定期舉辦中歐第三代半導體高峰論壇。本屆高峰論壇立足于國際產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢,邀請國內外知名專(zhuān)家學(xué)者,從全球視角探討第三代半導體行業(yè)所面臨的機遇與挑戰,以及面向未來(lái)的戰略與思考。
第三代半導體是全球半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的熱點(diǎn),擁有最大的發(fā)展空間和良好的市場(chǎng)前景,為信息、能源、交通模塊等戰略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了重要支撐,催生了上萬(wàn)億元的潛在市場(chǎng)。近年來(lái),隨著(zhù)材料、器件、工藝和應用方面的一系列技術(shù)創(chuàng )新和突破,第三代半導體走到了從研發(fā)到產(chǎn)業(yè)的拐點(diǎn),政府、科技界和產(chǎn)業(yè)界對其未來(lái)發(fā)展給予了很高的期望,國產(chǎn)化需求迫切。
基本半導體由清華大學(xué)、浙江大學(xué)、劍橋大學(xué)、瑞典皇家理工學(xué)院等國內外知名高校博士團隊創(chuàng )立,專(zhuān)注于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,旗下碳化硅器件產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋了外延制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動(dòng)應用等環(huán)節?;景雽w已先后推出全電流電壓等級碳化硅二極管、通過(guò)工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET,以及車(chē)規級全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品,性能達到國際先進(jìn)水平。
基本半導體正不斷提速車(chē)規級碳化硅功率器件的研發(fā)。最近,一輛搭載了基本半導體碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二極管的新能源汽車(chē),至今已累計無(wú)故障行駛120天、運行里程超過(guò)1萬(wàn)公里,是企業(yè)乃至行業(yè)在堅持自主創(chuàng )新、芯片國產(chǎn)化道路上一座重要的里程碑。
關(guān)注基本半導體
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