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vd-mosfet 文章 進(jìn)入vd-mosfet技術(shù)社區
健康催生可穿戴多功能需求
- 可穿戴設備廣泛用于娛樂(lè )、運動(dòng)和醫療健康等領(lǐng)域，作為把多媒體、傳感器和無(wú)線(xiàn)通信等技術(shù)嵌入人們的衣著(zhù)或配件的設備，可支持手勢和眼動(dòng)操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個(gè)新發(fā)展機遇，可穿戴設備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實(shí)際產(chǎn)品大量普及的過(guò)程之后，行業(yè)前景一直穩步成長(cháng)。據統計，2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場(chǎng)的規模超過(guò)了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說(shuō)可穿戴設備已成為過(guò)去5年來(lái)消費電子領(lǐng)域最成功的市場(chǎng)之一。1? ?市場(chǎng)需求持續爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴重的新冠疫情影響，部
- 關(guān)鍵字： MOSFET VR MR CGM IDC 202009
ROHM為新基建帶來(lái)的功率器件和電源產(chǎn)品
- 1 無(wú)線(xiàn)基站羅姆（ROHM）針對無(wú)線(xiàn)基站推出了多款解決方案，包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉換器等，有助于降低功耗。?SiC MOSFET具有高耐壓、高速開(kāi)關(guān)、低導通電阻的特性，即使在高溫環(huán)境下也能顯示出色的電器特性，有助于大幅降低開(kāi)關(guān)損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC?MOSFET產(chǎn)品。其中，第3代溝槽柵型SiC MOSFET?SCT3系列有650?V和1?200?V的六款產(chǎn)品，特點(diǎn)是導通
- 關(guān)鍵字： 耐高壓 MOSFET DC/DC 202009
有助于減輕激光光源電路的設計負擔并提高測距精度
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日確立了一項VCSEL*1模塊技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)提高VCSEL的輸出功率，進(jìn)一步提高了空間識別和測距系統（TOF系統*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作為光源的VCSEL產(chǎn)品和用來(lái)驅動(dòng)光源的MOSFET產(chǎn)品在電路板上是獨立貼裝的。在這種情況下，產(chǎn)品之間的布線(xiàn)長(cháng)度（寄生電感*3）無(wú)意中會(huì )影響光源的驅動(dòng)時(shí)間和輸出功率，這就對實(shí)現高精度感應所需的短脈沖大功率光源帶來(lái)了局限性。ROHM此項新技術(shù)的確立，將新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1個(gè)模塊
- 關(guān)鍵字： MOSFET VCSEL TOF AGV
內置高壓MOS管和高壓?jiǎn)?dòng)的AC/DC電源控制芯片
- 一、芯片介紹繼推出5W和20W的開(kāi)關(guān)電源控制IC后，為滿(mǎn)足客戶(hù)對更多功率段的需求，金升陽(yáng)推出內置高壓MOS管和高壓?jiǎn)?dòng)的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內置高壓MOS 管功率開(kāi)關(guān)的原邊控制開(kāi)關(guān)電源（PSR），采用PFM 調頻技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，穩定性和平均效率非常高。由于集成高壓?jiǎn)?dòng)，可以省去外圍的啟動(dòng)電阻，實(shí)現低損耗可靠啟動(dòng)。同時(shí)，該芯片具有可調節線(xiàn)性補償功能和內置峰值電流補償功能，輸出功率最大可達8W。二、產(chǎn)品應用可廣泛應用于A(yíng)C
- 關(guān)鍵字： MOSFET PSR IC RFM
減少開(kāi)關(guān)損耗：儒卓力提供來(lái)自羅姆的節能SiC-MOSFET
- 羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結構(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統3引腳封裝類(lèi)型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開(kāi)關(guān)性能，并將開(kāi)關(guān)損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務(wù)器電源、UPS系統、太陽(yáng)能逆變器和新能源汽車(chē)充電站中的節能使用。通過(guò)使用TO-247-4L封裝，驅動(dòng)器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著(zhù)降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應
- 關(guān)鍵字： MOSFET 碳化硅 UPS
模塊化參考設計幫助用戶(hù)為各種應用選擇不同的功能塊 縮短上市時(shí)間、節省BOM成本及資源
- 全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團 近日宣布推出一款48V電動(dòng)車(chē)應用成功產(chǎn)品組合解決方案，可幫助用戶(hù)加快電動(dòng)滑板車(chē)、電動(dòng)自行車(chē)、混合動(dòng)力汽車(chē)、UPS和儲能系統的開(kāi)發(fā)。該參考設計在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊，可用于多種24V-48V應用，如割草機、手推車(chē)、機器人清潔器、電動(dòng)工具、移動(dòng)電源等。該成功產(chǎn)品組合使用了15個(gè)瑞薩IC產(chǎn)品，包括三個(gè)關(guān)鍵器件：ISL94216 16芯電池前端（BFE）、強健的HIP2211 100V MOSFET驅動(dòng)器以及用于電機控制的RX23T 32位
- 關(guān)鍵字： MOSFET PWM BLDC MCU
低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---?SiRA99DP?，10?V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代?SiRA99DP?導通電阻達到業(yè)內最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15?mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專(zhuān)門(mén)用來(lái)提高功率密度。日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43
- 關(guān)鍵字： MOSFET
東芝與MikroElektronika展開(kāi)合作，為電機驅動(dòng)IC開(kāi)發(fā)評估板
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，與MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于東芝電機驅動(dòng)IC的Click boards?開(kāi)發(fā)評估板。Mikroe是一家設計和制造用于嵌入式系統開(kāi)發(fā)的軟硬件工具的公司?？蛻?hù)現在可通過(guò)由Mikroe制造和銷(xiāo)售的評估板Click boards?對東芝電機驅動(dòng)IC進(jìn)行評估。東芝高度集成的電機驅動(dòng)IC擁有四十多年的歷史，因得到電機控制系統的普遍采用而在業(yè)界廣受推崇。為控制多種應用中的直流有刷電機、直流無(wú)刷電機和步進(jìn)電機，東芝提供豐富的電機驅動(dòng)
- 關(guān)鍵字： NVM IC MOSFET
英飛凌旗下IR HiRel公司助力NASA毅力號火星探測車(chē)創(chuàng )造新里程碑
- 美國國家航空航天局(NASA) 噴氣推進(jìn)實(shí)驗室于7月30日將毅力號 (Perseverance) 探測車(chē)送上了太空，展開(kāi)火星探測之旅。這輛探測車(chē)預計將于 2021 年 2 月在火星著(zhù)陸。英飛凌科技股份公司 旗下的企業(yè)IR HiRel，為該探測車(chē)提供了數千個(gè)經(jīng)過(guò)抗輻射強化 (Rad Hard) 的關(guān)鍵組件。這是該公司電力電子組件第五次登上 NASA 的火星探測車(chē)。IR HiRel曾相繼為 1997 年的索杰納號 (Sojourner)、 2004 年的機遇號 (Opportunity) 和勇氣號 (Spir
- 關(guān)鍵字： MOSFET IC NASA IR
5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準
- 嚴苛的汽車(chē)和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩壓器。通常會(huì )選擇內置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的單片式降壓穩壓器，與傳統控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于A(yíng)M頻段的2 MHz范圍內）下工作的單片式穩壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩壓器的最小導通時(shí)間(TON)較低，則無(wú)需中間穩壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節約空間并降低復雜性。減少最小導通時(shí)間需要快速開(kāi)關(guān)邊沿和最小死區時(shí)間控制，以有效減少開(kāi)關(guān)損耗并支持高開(kāi)關(guān)頻率操作
- 關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
GaN 器件的直接驅動(dòng)配置
- 受益于集成器件保護，直接驅動(dòng)GaN器件可實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無(wú)第三象限反向恢復的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現諸如圖騰柱無(wú)橋功率因數控制器（PFC）等較高頻率的硬開(kāi)關(guān)拓撲。由于它們的高開(kāi)關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現此類(lèi)拓撲。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開(kāi)關(guān)損耗、更佳
- 關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
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