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什么是同步整流器?開(kāi)關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何?

  • 什么是同步整流器?開(kāi)關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何?-同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專(zhuān)用功率MOSFET,來(lái)取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區電壓。
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一篇文章讀懂超級結MOSFET的優(yōu)勢

  •   平面式高壓MOSFET的結構   圖1顯示了一種傳統平面式高壓MOSFET的簡(jiǎn)單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻,并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷,這會(huì )增加開(kāi)關(guān)損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個(gè)分量之和:   RDS(on) = Rch + Repi + Rsub      圖1:傳統平面式MOSF
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智能電網(wǎng)端口保護:這不是一顆“料”在戰斗!

  •   今天,做一個(gè)產(chǎn)品或系統的電路保護方案,特別是智能電網(wǎng)等工業(yè)應用的端口保護設計,就像是組織一場(chǎng)足球比賽的防御戰:你需要有大牌的球(yuan)星(jian),還需要有將他們捏合在一起的戰術(shù),去抵御來(lái)自對手的每一次可能的“進(jìn)攻”。這其中的門(mén)道兒不少,但也有套路可尋,今天我們就來(lái)看看世健(Excelpoint)作為工業(yè)電路保護界的“豪門(mén)”,是怎么玩兒的?! ∧切┟餍窃 ∠葋?lái)細數一下世健帳下那些在智能電網(wǎng)上可堪重用的電路保護元件“球星”,它們大多來(lái)自Bourns公司,每顆料都很有“料”。比如:  TBU高速
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1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

  • SiC在電源轉換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然,要進(jìn)行大批量生產(chǎn),逆變器除了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能之外,還必須具備適當的可靠性,以及足夠的閾值電壓和以應用為導向的短路耐受能力等??膳cIGBT兼容的VGS=15V導通驅動(dòng)電壓,以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿(mǎn)足這些要求。
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電源模塊性能的PCB布局優(yōu)化

  • 全球出現的能源短缺問(wèn)題使各國政府都開(kāi)始大力推行節能新政。電子產(chǎn)品的能耗標準越來(lái)越嚴格,對于電源設計工程師,如何設計更高效率、更高性能的電源是一個(gè)永恒的挑戰。本文從電源PCB的布局出發(fā)。
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三極管和MOS管做開(kāi)關(guān)用時(shí)的區別

  • 實(shí)際上就是三極管比較便宜,用起來(lái)方便,常用在數字電路開(kāi)關(guān)控制。MOS管用于高頻高速電路,大電流場(chǎng)合,以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來(lái)說(shuō)低成本場(chǎng)合,普通應用的先考慮用三極管,不行的話(huà)考慮MOS管
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功率MOSFET的結構,工作原理及應用

  • “MOSFET(場(chǎng)效應管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě),譯成中文是“金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場(chǎng)效應管)(Power MOSFET(場(chǎng)效應管))是指它能輸出較大的工作電流
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MOSFET安全工作區對實(shí)現穩固熱插拔應用的意義所在

  • 即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調整容量時(shí),任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過(guò)軟啟動(dòng)電源,支持從正在工作的系統中插入或移除電路板,從而避免了出現連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問(wèn)題??刂破?IC 驅動(dòng)與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開(kāi)關(guān) (圖 1)。電路板插入后,MOSFE
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電源設計小貼士43:分立器件——一款可替代集成MOSFET驅動(dòng)器的卓越解決方案

  • 在本設計小貼士中,我們來(lái)了解一下自驅動(dòng)同整流器并探討何時(shí)需要分立驅動(dòng)器來(lái)保護同步整流器柵極免受過(guò)高電壓帶來(lái)的損壞。理想情況下,您可以利用電源變壓器直接驅動(dòng)同步整流器,但是由于寬泛的輸入電壓變量,變壓器電壓會(huì )變得很高以至于可能會(huì )損壞同步整流器。
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電源設計小貼士 42:可替代集成MOSFET的分立器件

  • 分立器件可以幫助您節約成本。價(jià)值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅動(dòng)器 IC 成本降低 10 倍。分立驅動(dòng)器可提供超過(guò)2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外,該器件還可去除控制 IC 中的高開(kāi)關(guān)電流,從而提高穩壓和噪聲性能。
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電源設計小貼士31:同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

電源設計小貼士 29:估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升

  • 在本《電源設計小貼士》中,我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法進(jìn)行研究。在《電源設計小貼士28》中,我們討論了如何設計溫升問(wèn)題的電路類(lèi)似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據系統組件的物理屬性,計算得到熱阻和熱容。遍及整個(gè)網(wǎng)絡(luò )的各種電壓代表各個(gè)溫度。
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意法半導體推出5x6mm雙面散熱微型封裝汽車(chē)級功率MOSFET管

  •   意法半導體推出了采用先進(jìn)的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管,新產(chǎn)品可提高汽車(chē)系統電控單元(ECU)的功率密度,已被為全球所有的汽車(chē)廠(chǎng)商提供先進(jìn)技術(shù)的汽車(chē)零配件大廠(chǎng)電裝株式會(huì )社選用?! TLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管,可用于汽車(chē)電機控制、電池極性接反保護和高性能功率開(kāi)關(guān)。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設計,同時(shí)將頂部的源極曝露在
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全新高壓MOSFET高效支持大小功率應用

  •   英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壯大現有的CoolMOS?技術(shù)產(chǎn)品陣容,推出600 V CoolMOS? P7和600 V CoolMOS? C7 Gold (G7)系列。這兩個(gè)產(chǎn)品系列的擊穿電壓高達600 V,具備更出色的超結MOSFET性能。它們可在目標應用中實(shí)現非常出色的功率密度?! ?00 V CoolMOS&
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