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MOSFET的半橋驅動(dòng)電路設計要領(lǐng)詳解
- 關(guān)鍵字： 半橋驅動(dòng)電路 MOSFET
如何確保MOS管工作在安全區
- 電源工程師最怕什么?炸機!用著(zhù)用著(zhù)就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問(wèn)題了呢?這一切都和SOA相關(guān)?！ ∥覀冎篱_(kāi)關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開(kāi)關(guān)器件長(cháng)期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著(zhù)很大的功耗，一但過(guò)壓或過(guò)流就會(huì )導致功耗大增，晶圓結溫急劇上升，如果散熱不及時(shí)，就會(huì )導致器件損壞，甚至可能會(huì )伴隨爆炸，非常危險。這里就衍生一個(gè)概念，安全工作區?！ ∫?、什么是安全工作區? 安全工作區：SOA(Safe operating&nb
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
有刷直流柵極驅動(dòng)器的演變
- 有刷直流柵極驅動(dòng)器的演變-回望在電子產(chǎn)品領(lǐng)域奮戰的20年，我們已走過(guò)了漫漫長(cháng)路。2015年正發(fā)布的組件具有無(wú)與倫比的精細度和集成度。處理器速度更快，發(fā)光二極管（LED）亮度更高，存儲器密度更大，每樣東西的功耗都更低，并且集成電路（IC）集成了比以往任何時(shí)候都多的組件。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 柵極驅動(dòng)器 集成電路
Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應用中實(shí)現超高速切換
- Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出了首個(gè)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴充的功率半導體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽(yù)的碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導通電阻(80m?)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內部設計、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的
- 關(guān)鍵字： Littelfuse MOSFET
采用自舉升壓結構設計雙電壓mosfet驅動(dòng)電路
- 采用自舉升壓結構設計雙電壓mosfet驅動(dòng)電路-自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是，在輸入端IN輸入一個(gè)方波信號，利用電容Cboot將A點(diǎn)電壓抬升至高于VDD的電平，這樣就可以在B端輸出一個(gè)與輸入信號反相，且高電平高于VDD的方波信號。具體工作原理如下：
- 關(guān)鍵字： mosfet 驅動(dòng)電路
功率mos管工作原理與幾種常見(jiàn)驅動(dòng)電路圖
- 功率mos管工作原理與幾種常見(jiàn)驅動(dòng)電路圖-本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見(jiàn)的mosfet驅動(dòng)電路設計，功率mosfet驅動(dòng)電路原理圖。
- 關(guān)鍵字： 驅動(dòng)電路 mosfet 電路圖
MOSFET 安全工作區對實(shí)現穩固熱插拔應用的意義所在
- MOSFET 安全工作區對實(shí)現穩固熱插拔應用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過(guò)軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統中插入或移除電路板，從而避免了出現連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問(wèn)題?？刂破?IC 驅動(dòng)與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開(kāi)關(guān) （圖 1）。電路板插入后，MOSFET 開(kāi)關(guān)緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負載電容充電時(shí)能夠保持在安全水平。
- 關(guān)鍵字： mosfet linear
在高頻直流—直流轉換器內使用650V碳化硅MOSFET的好處
- 摘要 本文評測了主開(kāi)關(guān)采用意法半導體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開(kāi)關(guān)管提升了開(kāi)關(guān)性能標桿，讓系統具更高的能效，對市場(chǎng)上現有系統設計影響較大?！ ∏把浴 ∈袌?chǎng)對開(kāi)關(guān)速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！ 拵栋雽w器件因電、熱、機械等各項性能表現俱佳而被業(yè)界看好，被認為是硅半導體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅
- 關(guān)鍵字： MOSFET SiC
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