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Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業(yè)內最佳水平
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應用提供高效解決方案，同時(shí)，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類(lèi)器件中達到業(yè)內最低水平，該參數是600 V MOSFET在功率轉換應用中的關(guān)鍵指標 (FOM)?！ ishay
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穩健的汽車(chē)40V 功率MOSFET提高汽車(chē)安全性
- Filippo, Scrimizzi, 意法半導體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com Giuseppe, Longo, 意法半導體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com Giusy, Gambino, 意法半導體s, 意大利, giusy.gambino@st.com 摘要 意法半導體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿(mǎn)足EPS (電動(dòng)助力轉向系統)和EPB (電子駐車(chē)制動(dòng)系統) 等汽車(chē)安全系統的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統
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Vishay業(yè)界領(lǐng)先車(chē)規產(chǎn)品將在2019 Automotive World日本展上悉數亮相
- 2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國際汽車(chē)展上，展示其全面豐富的車(chē)規產(chǎn)品。Vishay展位設在東5號館E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車(chē)規產(chǎn)品，包括符合并優(yōu)于A(yíng)ECQ認證標準的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產(chǎn)品?！ ishay亞
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意法半導體高效超結MOSFET瞄準節能型功率轉換拓撲
- 意法半導體推出MDmesh?系列600V超結晶體管，該產(chǎn)品針對提高中等功率諧振軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)轉換器拓撲能效而設計?！ ♂槍涢_(kāi)關(guān)技術(shù)優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節能應用中的LLC諧振轉換器和升壓PFC轉換器。電容電壓曲線(xiàn)有助于提高輕載能效，最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實(shí)現高開(kāi)關(guān)頻率，這兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)讓MDmesh M6器件在硬開(kāi)關(guān)拓撲結構中也有良好的能效表現?！ 〈送?，意法半導體最先進(jìn)的M6超結技術(shù)將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅
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高功率單片式 Silent Switcher 2 穩壓器 滿(mǎn)足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間
- 隨著(zhù)汽車(chē)中電子系統數量的成倍增加，車(chē)內產(chǎn)生電磁干擾的風(fēng)險也大幅升高了。因此，新式車(chē)輛中的電子產(chǎn)品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準，該標準對傳導型和輻射型 EMI 發(fā)射做了嚴格的限制。由于其本身的性質(zhì)，開(kāi)關(guān)電源充斥著(zhù) EMI，并在整個(gè)汽車(chē)中“彌漫擴散”。如今，低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起，成為了對汽車(chē)電源的一項關(guān)鍵要求。Silent Switcher 2 穩壓器系列可滿(mǎn)足汽車(chē)制造商嚴格的 EMI 要求，同時(shí)擁有緊湊的尺寸以及集成化
- 關(guān)鍵字： MOSFET，LT8650S
Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開(kāi)關(guān)電源IC
- 深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以?xún)鹊母咝矢綦x及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專(zhuān)供電網(wǎng)不穩定地區、時(shí)常遭受雷擊的熱帶地區或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區的高質(zhì)量消費電子產(chǎn)品的電源設計?！ ?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿(mǎn)足能源相關(guān)產(chǎn)品(ErP
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Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開(kāi)關(guān)電源IC
- 深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以?xún)鹊母咝矢綦x及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專(zhuān)供電網(wǎng)不穩定地區、時(shí)常遭受雷擊的熱帶地區或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區的高質(zhì)量消費電子產(chǎn)品的電源設計?！ ?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿(mǎn)足能源相關(guān)產(chǎn)品(ErP
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Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
- Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶(hù)將受益于更加緊湊節能的系統以及潛在更低的總體擁有成本?！ √蓟鐼OSFET LSIC1MO170E1000 碳化硅MOSFET技術(shù)帶來(lái)的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多
- 關(guān)鍵字： Littelfuse MOSFET
宜特FSM化學(xué)鍍服務(wù)本月上線(xiàn)，無(wú)縫接軌BGBM晶圓減薄工藝
- 隨電源管理零組件MOSFET在汽車(chē)智能化崛起后供不應求，為填補供應鏈中此一環(huán)節的不足，在半導體驗證分析領(lǐng)域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務(wù)」，其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡(jiǎn)稱(chēng)BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝，在本月已有數家客戶(hù)穩定投片進(jìn)行量產(chǎn)，在線(xiàn)生產(chǎn)良率連續兩月高于99.5%?！ ⊥瑫r(shí)為了協(xié)助客戶(hù)一站式接軌BGBM工藝，在前端的正面金屬化工藝(簡(jiǎn)稱(chēng)FSM)上，除了提供濺射沉積(Sputteri
- 關(guān)鍵字： 宜特 MOSFET
應用角：汽車(chē) - 電動(dòng)汽車(chē)電池斷開(kāi)系統
- 在電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(chē)中，需要一種方法將高壓電池與車(chē)輛的其他部分斷開(kāi)連接。專(zhuān)門(mén)設計的大電流繼電器(接觸器)歷來(lái)一直是執行此功能的首選方案。此繼電器的設計必須支持在負載下斷開(kāi)連接，而不受損壞。這是通過(guò)使用帶有真空封裝觸點(diǎn)的繼電器來(lái)實(shí)現的。這些接觸器通常充滿(mǎn)惰性氣體，包圍觸點(diǎn)以消除空氣。通常，在高壓電池系統中，需要三個(gè)接觸器：一個(gè)用于兩個(gè)主要電池導體，另一個(gè)更小的版本用于預充電功能。傳統的電池斷開(kāi)電路圖如圖1所示?！ ‰妱?dòng)汽車(chē)制造商長(cháng)期以來(lái)一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案，以解決電池斷開(kāi)問(wèn)題。功率半導
- 關(guān)鍵字： MOSFET，混合動(dòng)力
開(kāi)關(guān)電源設計：何時(shí)使用BJT而非MOSFET？
- MOSFET已經(jīng)是是開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。但在一些實(shí)例中，與MOSFET相比，雙極性結式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
- 關(guān)鍵字： 開(kāi)關(guān)電源 BJT MOSFET
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