儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。

SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低導通電阻(RDS(ON))，可以最大限度地降低傳導損耗。此外，該器件具有680pF的低輸出電容(Coss)和28.7nC的優(yōu)化柵極電荷(Qg)，減少了與開(kāi)關(guān)相關(guān)的功率損耗。

與采用6x5mm封裝的相似解決方案相比，TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%，從而實(shí)現了更高的功率密度。它們通過(guò)了100%的RG和UIS測試，符合RoHS要求且不含鹵素。

這款N-Channel MOSFET的應用包括AC/DC電源中的同步整流；面向電信、服務(wù)器和醫療設備的DC/ DC轉換器中的初級和次級側開(kāi)關(guān)；用于服務(wù)器和電信設備中電壓調節的半橋功率級和降壓-升壓轉換器；電信和服務(wù)器電源中的OR-ing功能；用于開(kāi)關(guān)電容器或開(kāi)關(guān)柜轉換器的功率級；電動(dòng)工具和工業(yè)設備中的電動(dòng)機驅動(dòng)控制；以及電池管理模塊中的電池保護和充電。