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vd-mosfet 文章 進(jìn)入vd-mosfet技術(shù)社區
計算MOSFET非線(xiàn)性電容
- 最初為高壓器件開(kāi)發(fā)的超級結MOSFET，電荷平衡現在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結電容，但電荷平衡使后者非線(xiàn)性進(jìn)一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少，而且顯著(zhù)減少，但計算或比較不同MOSFET參數以獲得最佳性能變得更加復雜?！ OSFET三個(gè)相關(guān)電容不能作為VDS的函數直接測量，其中有的需要在這個(gè)過(guò)程中短接或懸空。數據手冊最終測量給出的三個(gè)值定義如下： CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD 三者中，輸入電容CG
- 關(guān)鍵字： MOSFET 非線(xiàn)性電容
電源設計經(jīng)驗之MOS管驅動(dòng)電路篇
- MOSFET因導通內阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅動(dòng)常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅動(dòng)電路?！ ≡谑褂肕OSFET設計開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì )考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個(gè)確定的MOSFET，其驅動(dòng)電路，驅動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì )影響MOSFET的
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源IC
Littelfuse在2018年APEC大會(huì )上推出超低導通電阻1200V碳化硅MOSFET
- 全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強型MOSFET，為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結成戰略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)電源半導體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。?這些產(chǎn)品在應用電力電子
- 關(guān)鍵字： Littelfuse MOSFET
宜普電源轉換公司(EPC)的專(zhuān)家攜手與工程師發(fā)揮氮化鎵器件及集成電路的最高性能，不僅替代MOSFET器件，更為市場(chǎng)帶來(lái)創(chuàng )新設計
- EPC公司的管理及技術(shù)團隊將在中國深圳及上海于3月14至16日舉行的各大業(yè)界論壇及展會(huì )上，與工程師會(huì )面并作技術(shù)交流。屆時(shí)，EPC團隊將分享如何發(fā)揮氮化鎵場(chǎng)效應晶體管(GaN FET)及集成電路的最高性能、創(chuàng )新設計，從而為工程師及其客戶(hù)，打造共創(chuàng )共贏(yíng)新局面?！ irFuel無(wú)線(xiàn)充電大會(huì )暨開(kāi)發(fā)者論壇 2018 (中國深圳 - 3月14至16日) 首屆AirFuel無(wú)線(xiàn)充電大會(huì )暨開(kāi)發(fā)者論壇將于3月14至16日在深圳南山凱賓斯基酒店舉行。由AirFuel?
- 關(guān)鍵字： 宜普 MOSFET
高性能ZVS降壓穩壓器消除在寬輸入范圍負載點(diǎn)應用中提高功率吞吐量的障礙
- 當前具有更高整體效率的電子系統需要更高的功率密度，這為非隔離負載點(diǎn)穩壓器(niPOL)?帶來(lái)了大量變革。為了提高整體系統效率，設計人員選擇避免多級轉換，以獲得他們所需要的穩壓負載點(diǎn)電壓。這就意味著(zhù)niPOL需要支持更高的工作輸入電壓，提供更高的轉換率。除此之外，niPOL還需要在保持最高效率的同時(shí)，繼續縮小電源解決方案的總體尺寸。而且隨著(zhù)產(chǎn)品性能的提升，niPOL的功率需求會(huì )進(jìn)一步提高?！ ‰娫葱袠I(yè)通過(guò)對niPOL進(jìn)行多項技術(shù)升級來(lái)應對這一挑戰。過(guò)去幾年，行業(yè)已經(jīng)看到器件封裝、半導體集成和M
- 關(guān)鍵字： ZVS MOSFET
通過(guò)電源模塊提高電動(dòng)工具設計的性能
- 電動(dòng)工具、 園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節)鋰離子電池供電的電機驅動(dòng)。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無(wú)刷直流(BLDC)電機。BLDC電機效率更高、維護少、噪音小、使用壽命更長(cháng)?！ ◎寗?dòng)電機功率級的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護可靠、峰值電流承載能力強。小尺寸可實(shí)現工具內的功率級的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設計。高效率可提供最長(cháng)的電池壽命并減少冷卻工作?？煽康牟僮骱捅Ｗo可延長(cháng)使用壽命，有助于提高產(chǎn)品聲譽(yù)?！ 樵趦蓚€(gè)方向上驅動(dòng)BDC電機，您
- 關(guān)鍵字： BLDC MOSFET
汽車(chē)電源的監視和開(kāi)關(guān)
- 引言 在如今的汽車(chē)中，為了提高舒適度和行車(chē)體驗而設計了座椅加熱、空調、導航、信息娛樂(lè )、行車(chē)安全等系統，從這些系統很容易理解在車(chē)中為各種功能供電的電子系統的好處?，F在我們很難想像僅僅 100 多年以前的景象，那時(shí)，在汽油動(dòng)力汽車(chē)中，一個(gè)電子組件都沒(méi)有。在世紀交替時(shí)期的汽車(chē)開(kāi)始有了手搖曲柄，前燈開(kāi)始用乙炔氣照明，也可以用鈴聲向行人發(fā)出提示信息了。如今的汽車(chē)正處于徹底變成電子系統的交界點(diǎn)，最大限度減少了機械系統的采用，正在成為人們生活中最大、最昂貴的“數字化工具”。由于可用性和環(huán)保原因
缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國產(chǎn)MOSFET持續主導消費類(lèi)市場(chǎng)
- MOSFET漲價(jià)何時(shí)能得到緩解?深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個(gè)季度，等國內的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來(lái)，才有可能緩解。同時(shí)要看封測廠(chǎng)的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測廠(chǎng)商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價(jià)仍會(huì )持續，只是幅度不會(huì )像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠(chǎng)將擴產(chǎn)，預計2018年6月可正式投產(chǎn)，擴產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達2億只左右。”陳金松說(shuō)。 MOSFET作為應用廣泛的基礎類(lèi)元器件
- 關(guān)鍵字： MOSFET DFN
缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國產(chǎn)MOSFET持續主導消費類(lèi)市場(chǎng)
- MOSFET漲價(jià)何時(shí)能得到緩解?深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個(gè)季度，等國內的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來(lái)，才有可能緩解。同時(shí)要看封測廠(chǎng)的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測廠(chǎng)商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價(jià)仍會(huì )持續，只是幅度不會(huì )像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠(chǎng)將擴產(chǎn)，預計2018年6月可正式投產(chǎn)，擴產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達2億只左右。”陳金松說(shuō)。 MOSFET作為應用廣泛的基礎類(lèi)元器件
- 關(guān)鍵字： MOSFET 晶圓
MOSFET芯片產(chǎn)能轉至車(chē)用電子 供貨緊張
- 面對國際IDM大廠(chǎng)將旗下MOSFET芯片產(chǎn)能大量移轉到車(chē)用電子領(lǐng)域，并開(kāi)始采取限量供應MOSFET芯片給PC、NB及移動(dòng)裝置產(chǎn)品客戶(hù)的情形，大中、富鼎、尼克森等臺系MOSFET芯片三雄不僅2017年第3季終于有像樣的營(yíng)收成長(cháng)力道，客戶(hù)追加訂單的盛況更是前所未見(jiàn)。雖然第4季全球PC及NB市場(chǎng)需求照理說(shuō)會(huì )開(kāi)始下滑，但在英特爾(Intel)、AMD新款CPU平臺需增加3~5顆MOSFET芯片，加上客戶(hù)對于MOSFET芯片供需吃緊的議題抱持高度關(guān)注態(tài)度，臺系MOSFET芯片供應商多已表達淡季不淡的樂(lè )觀(guān)預期看法
- 關(guān)鍵字： MOSFET 芯片
MOS芯片缺貨潮2019年有望緩解 應用端提升8寸產(chǎn)線(xiàn)成主力
- 以MLCC為代表的被動(dòng)元件在進(jìn)入第三季度后，受產(chǎn)能供需吃緊影響，價(jià)格大漲，部分物料漲幅甚至超過(guò)10倍。而與被動(dòng)元件市場(chǎng)行情相似的MOSFET芯片也出現缺貨潮，導致價(jià)格上漲，即便是在溢價(jià)20%的基礎上新增訂單，供應商仍難交出貨來(lái)。更嚴重的是，MOSFET芯片市場(chǎng)缺貨潮短期內將難以緩解，保守估計到2019年局面才能改觀(guān)。 據IHS數據顯示，2016年MOSFET芯片市場(chǎng)總規模為205億美元，2017年預計將增長(cháng)到220億美元。MOSFET芯片可廣泛應用于消費類(lèi)電子、電動(dòng)汽車(chē)以及IIoT等領(lǐng)域，杭州士
- 關(guān)鍵字： MOSFET MLCC
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對vd-mosfet的理解，并與今后在此搜索vd-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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