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vd-mosfet 文章 進(jìn)入vd-mosfet技術(shù)社區
東芝推出EMI性能更佳的600V/650V超結N溝道功率MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超結N溝道功率MOSFET，該產(chǎn)品適用于工業(yè)和辦公設備。該新“DTMOS V系列”最初將提供12款產(chǎn)品。樣品發(fā)貨即日啟動(dòng)，批量生產(chǎn)發(fā)貨計劃于3月中旬啟動(dòng)?！ ≡撔孪盗袚碛信c東芝當前的“DTMOS IV系列”相同水平的低導通電阻、高速開(kāi)關(guān)性能，同時(shí)，其優(yōu)化的設計流程使EMI性能提升約3至5dB[1]。而且，降低的單位面積導通電阻(RON x A)性能使新的650v 0.
- 關(guān)鍵字： 東芝 MOSFET
意法半導體(ST)同級領(lǐng)先的900V MOSFET管，提升反激式轉換器的輸出功率和能效
- 意法半導體最新的900V MDmesh? K5超結MOSFET管讓電源設計人員能夠滿(mǎn)足更高功率和更高能效的系統需求，具有同級最好的導通電阻(RDS(ON))和動(dòng)態(tài)特性?！ ?00V擊穿電壓確保高總線(xiàn)電壓系統具有更高的安全系數。新系列產(chǎn)品含有首個(gè)RDS(ON)導通電阻低于100m?的900V MOSFET管，是RDS(ON) 電阻最低的DPAK產(chǎn)品。業(yè)內最低的柵電荷(Qg)確保開(kāi)關(guān)速度更快，在需要寬輸入電壓的應用領(lǐng)域，實(shí)現更大的配置靈活性。這些特性確保標準準諧振電
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為計算應用中的功率因數校正電路選擇MOSFET(上)
- 功率因數校正 (PFC) 是輸入功率不低于75 W的AC-DC轉換器的一項強制要求。在某些消費應用（如LED照明） 中，要求在低至5 W的功率下進(jìn)行某些形式的PFC。在低功 率下，可使用為控制線(xiàn)路頻率而設計的無(wú)源元件實(shí)現校正目 的。但在高功率下，無(wú)源解決方案會(huì )變得相當“笨重”而昂 貴；使用高開(kāi)關(guān)頻率有源器件可減小所需無(wú)源元件的尺寸。 有源PFC的標準實(shí)現方式是輸入整流器后跟升壓轉換 器。盡管新式拓撲正逐漸獲得接受，但升壓PFC仍然是主要解決方案，本文將對其進(jìn)行進(jìn)一步
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東芝推出具備改進(jìn)的低導通電阻、高速開(kāi)關(guān)的800V超級結N溝道功率MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向高效電源推出具備改進(jìn)的低導通電阻、高速開(kāi)關(guān)的800V超級結N溝道功率MOSFET?！癉TMOS?IV系列”的八款新MOSFET利用超結結構，與東芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可將其單位面積導通電阻(RON?x?A)降低近79%。?該系列產(chǎn)品改進(jìn)的高速開(kāi)關(guān)還有助于提高使用該系列產(chǎn)品的芯片組的電源效率。這些MOSFET適用于工業(yè)電源，服務(wù)器、筆記本電腦適配器和充電器以及移動(dòng)設備的備用電源以及LED照明燈
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東芝面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅動(dòng)的100V N溝道功率MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅動(dòng)的100V?N溝道功率MOSFET，以此擴大其低電壓N溝道功率MOSFET的產(chǎn)品陣容?！癠-MOS?VIII-H系列”的兩款新MOSFET分別是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)?！ ‰S著(zhù)快速充電器的普及和發(fā)展，市場(chǎng)需要更高性能的用于次級側整流器的功率MOSFET。這些新的MOSFET利用東芝低電壓溝槽結構工藝，實(shí)現了業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導通電阻和高速性能。該結
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日研究團隊制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET
- 日本三菱化學(xué)及富士電機、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術(shù)。日本通過(guò)發(fā)光二極管的開(kāi)發(fā)積累了GaN元件技術(shù)，GaN芯片生產(chǎn)量占據世界最高份額。若做到現有技術(shù)的實(shí)用化，將處于世界優(yōu)勢地位。 功率半導體有利于家電、汽車(chē)、電車(chē)等的節能，產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設備已經(jīng)量產(chǎn)，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
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意法半導體下一代高達100W的智能功率模塊提升功能集成度、能效和靈活性
- 橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)擴大其SLLIMM? nano系列電機驅動(dòng)智能功率模塊(IPM)產(chǎn)品陣容。除了使得應用總體尺寸最小化和設計復雜性最低化的多種可選封裝外，新產(chǎn)品還集成更多的實(shí)用功能和更高能效的最新的500V MOSFET?！ ⌒翴PM模塊的額定輸出電流1A或2A，目標應用瞄準最高功率100W的電機驅動(dòng)市場(chǎng)，例如冰箱壓縮機、洗衣機或洗碗機的電機、排水泵、循環(huán)水泵、風(fēng)扇電機、以及硬開(kāi)關(guān)電路內工作頻率小
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8種噪聲測試技術(shù)的實(shí)現，包括模塊電源、MOSFET等
- 噪聲通常指任意的隨機干擾。熱噪聲又稱(chēng)白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內部微粒作無(wú)規律的隨機熱運動(dòng)而產(chǎn)生的，常用統計數學(xué)的方法進(jìn)行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡(luò )和系統中，因此噪聲測量主要指電子元件和器件、網(wǎng)絡(luò )和系統的熱噪聲和特性的測量?！ 「郊酉辔辉肼暅y試技術(shù)及注意事項 本文簡(jiǎn)單介紹了相位噪聲的定義，詳細介紹了附加相位噪聲的測試過(guò)程，給出了實(shí)際的測試結果，指出了附加相位噪聲測試過(guò)程中的一些注意事項，希望對附加相位噪聲測試人員有一定的借鑒意義?！ ∮糜?G-LTE頻段噪聲測試
- 關(guān)鍵字： MOSFET 噪聲
MOSFET晶體管在移相ZVS全橋直流-直流轉換器內的工作特性: 設計考慮因素和實(shí)驗結果
- 摘要 – 近幾年來(lái)，開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)對高能效、大功率系統的需求不斷提高，在此拉動(dòng)下，設計人員轉向尋找電能損耗更低的轉換器拓撲。PWM移相控制全橋轉換器就是其中一個(gè)深受歡迎的軟硬結合的開(kāi)關(guān)電源拓撲，能夠在大功率條件下達取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開(kāi)關(guān)管在零壓開(kāi)關(guān)(ZVS)轉換器內的工作特性?！ ?. 前言 零壓開(kāi)關(guān)移相轉換器的市場(chǎng)定位包括電信設備電源、大型計算機或服務(wù)器以及其它的要求功率密度和能效兼備的電子設備。要想實(shí)現這個(gè)目標，就必須最大限度降低功率損耗和無(wú)功功率
- 關(guān)鍵字： MOSFET ZVS
MOSFET驅動(dòng)及工作區的問(wèn)題分析
- 問(wèn)題1：最近，我們公司的技術(shù)專(zhuān)家在調試中發(fā)現，MOSFET驅動(dòng)電壓過(guò)高，會(huì )導致電路過(guò)載時(shí)，MOSFET中電流過(guò)大，于是把降低了驅動(dòng)電壓到6.5V，之前我們都是在12V左右。這種做法感覺(jué)和您在文章里第四部份似乎很相似，這樣做可行么? 問(wèn)題分析： 系統短路的時(shí)候，功率MOSFET相當于工作在放大的線(xiàn)性區，降低驅動(dòng)電壓，可以降低跨導限制的最大電流，從而降低系統的短路電流，從短路保護的角度而言，確實(shí)有一定的效果。然后，降低驅動(dòng)電壓，正常工作時(shí)候，RDSON會(huì )增大，系統效率會(huì )降低，MOSFET的溫度會(huì )升高，
- 關(guān)鍵字： MOSFET 芯片
淺談MOSFET驅動(dòng)電路
- MOSFET因導通內阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅動(dòng)常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅動(dòng)電路?！ ≡谑褂肕OSFET設計開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì )考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個(gè)確定的MOSFET，其驅動(dòng)電路，驅動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì )影響MOSFET的
- 關(guān)鍵字： MOSFET 驅動(dòng)電路
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對vd-mosfet的理解，并與今后在此搜索vd-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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