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針對高耐用性和可靠性電源需求，意法半導體推出市場(chǎng)上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉換器
- 中國，2019年7月29日——意法半導體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉換器，集成一個(gè)1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線(xiàn)電源兼備寬壓輸入與設計簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓，無(wú)需傳統垂直堆疊FET和相關(guān)無(wú)源元件，即可實(shí)現類(lèi)似的電壓處理能力，可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉換器內置漏極限流保護功能，MOSFET包含一個(gè)用于過(guò)溫保護的senseFET引腳。單片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路、內部誤差放大器和電流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常見(jiàn)開(kāi)關(guān)式電源拓撲，包括原邊或副
- 關(guān)鍵字： 電源 意法半導體 擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉換器
SiC將達23億美元規模，技術(shù)精進(jìn)是主攻方向
- ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。在應用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車(chē)）。隨著(zhù)SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì )得到更多的應用。? ? ? 不過(guò)，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)，一個(gè)是襯底，一個(gè)是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì )相應地下降，ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面，眾廠(chǎng)商競爭
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
現代IGBT/MOSFET柵極驅動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制
- Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國 慕尼黑） 摘要：通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅動(dòng)器隔離柵的耐受性能?！ ￡P(guān)鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅動(dòng)器；耐受性；隔離? ? &nb
- 關(guān)鍵字： 201905 IGBT MOSFET 柵極驅動(dòng)器 耐受性 隔離
SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個(gè)機型， 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車(chē)載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個(gè)機型，該系列產(chǎn)品支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個(gè)機型?！ OHM于2010年在全球率先成功實(shí)現SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域，ROHM始終在推動(dòng)領(lǐng)先的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)體制構建。在需求不斷擴大的車(chē)載市場(chǎng)，ROHM也及時(shí)確立車(chē)載品質(zhì)，并于2012年開(kāi)始供應車(chē)載充電器用的SiC肖特
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC MOSFET
安森美半導體推出新的工業(yè)級和符合車(chē)規的SiC MOSFET，補足成長(cháng)的生態(tài)系統，并為迅速增長(cháng)的應用帶來(lái)寬禁帶性能的優(yōu)勢
- 2019年3月19日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車(chē)級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長(cháng)終端應用領(lǐng)域如汽車(chē)DC-DC、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電機、太陽(yáng)能、不間斷電源及服務(wù)器電源?！ ∵@標志著(zhù)安森美半導體壯大其全面且不斷成長(cháng)的SiC 生態(tài)系統，包括SiC二極管和SiC驅動(dòng)器等互補器件，以及
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET
600V 超級結MOSFET “PrestoMOS”系列產(chǎn)品助力變頻空調節能
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復時(shí)間(trr※1))的同時(shí)，提高設計靈活度，非常適用于空調、冰箱等白色家電的電機驅動(dòng)以及EV充電樁。近日，該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機型?！ 〈舜伍_(kāi)發(fā)的新系列產(chǎn)品與以往產(chǎn)品同樣利用了ROHM獨有的壽命控制技術(shù)，實(shí)現了極快的反向恢復時(shí)間(trr)。與IGBT相比，輕負載時(shí)的功耗成功減少了58%左右。另外，通過(guò)提高導通MOSFET所需要的電壓水
- 關(guān)鍵字： ROHM MOSFET
Diodes 公司的雙極晶體管采用 3.3mm x 3.3mm 封裝并提供更高的功率密度
- Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 為領(lǐng)先業(yè)界的高質(zhì)量應用特定標準產(chǎn)品全球制造商與供貨商，產(chǎn)品涵蓋廣泛領(lǐng)域，包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場(chǎng)。公司推出 NPN 與 PNP 功率雙極晶體管，采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達 100V 與 3A 的應用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管的尺寸較小，可在閘極驅動(dòng)功率 MOSFET 與 IGBT、線(xiàn)性 DC-DC 降壓穩壓器、PNP LDO 及負載開(kāi)關(guān)電路，提供更高的功率密度設計?！?/li>
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
Vishay攜最新MOSFET、IC、無(wú)源器件和二極管技術(shù)亮相APEC 2019
- 2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim，California)舉行的2019年國際應用電力電子展會(huì )(APEC)上展示其強大產(chǎn)品陣容。Vishay展位設在411展臺，將展示適用于廣泛應用領(lǐng)域的最新業(yè)內領(lǐng)先功率IC、無(wú)源器件、二極管和MOSFET技術(shù)?！ ≡贏(yíng)PEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBR
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
滿(mǎn)足新能源汽車(chē)應用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品
- 世紀金光是國內首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應用，形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系，正在大力進(jìn)行垂直整合，全面推進(jìn)從產(chǎn)業(yè)源頭到末端的全鏈貫通?！ ≈饕獞谩 高效服務(wù)器電源 w新能源汽車(chē) w充電樁充電模組 w光伏逆變器 w工業(yè)電機 w智能電網(wǎng) w航空航天 SiC MOSFET系列 產(chǎn)品覆蓋額定電壓650-1200V，額定電流30-92A，可滿(mǎn)足多
- 關(guān)鍵字： 新能源汽車(chē) MOSFET
碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗性能與有限元分析法熱模型的開(kāi)發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(SCT)表現。具體而言，該實(shí)驗的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗室測量，并借助一個(gè)穩健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測量值，對短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
- 關(guān)鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器，可最大程度提高效率及安全性
- 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門(mén)極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級。新品件經(jīng)過(guò)設定后可支持不同的門(mén)極驅動(dòng)電壓，來(lái)滿(mǎn)足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統、伺服驅動(dòng)器、電焊機和電源?！ IC1182K可在125°C結溫下提供8
- 關(guān)鍵字： Power Integrations SiC-MOSFET
貿澤開(kāi)售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結MOSFET
- 專(zhuān)注于引入新品的全球半導體與電子元器件授權分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列 超結晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)轉換器拓撲能效而設計，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅動(dòng)器、電信和服務(wù)器電源以及太陽(yáng)能 微型逆變器等設備的功率密度?！ ≠Q澤電子供應的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列
- 關(guān)鍵字： 貿澤 STMicroelectronics MOSFET
Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅動(dòng)器，提高逆變器級工作效率
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅動(dòng)器---VOD3120A，擴展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率?！ ∪涨鞍l(fā)布的光耦采用CMOS技術(shù)，含有集成電路與軌到軌輸出級光學(xué)耦合的AIGaAs LED，為門(mén)控設備提供所需驅動(dòng)電壓。VOD3120電壓和電流使
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
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