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功率MOSFET在集成驅動(dòng)電路中的設計應用簡(jiǎn)析
- 功率MOSFET目前在一些大中型開(kāi)關(guān)電源的驅動(dòng)電路中得到了廣泛的應用，此前我們曾經(jīng)為大家總結了幾種MOSFET在驅動(dòng)電路中的常見(jiàn)應用方式，在今天的文章中
- 關(guān)鍵字： MOSFET 驅動(dòng)電路 電源
干貨!一種簡(jiǎn)易的MOSFET自舉驅動(dòng)電路設計分享
- 功率開(kāi)關(guān)器件MOSFET在驅動(dòng)電路中的應用頻率在最近幾年直線(xiàn)上升，在一些中小功率的開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品中，利用MOSFET完成驅動(dòng)電路的設計不僅省時(shí)省力，還具有
- 關(guān)鍵字： MOSFET 驅動(dòng)電路 設計
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗分析
- 摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動(dòng)應用電路中出現的開(kāi)關(guān)損耗失效問(wèn)題，通過(guò)對MOSFET柵極電荷、極間
- 關(guān)鍵字： MOSFET 帶電插拔 緩啟動(dòng) 開(kāi)關(guān)損耗
6種IGBT中的MOS器件隔離驅動(dòng)入門(mén)
- 由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應，因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格，需要負壓驅動(dòng)進(jìn)行輔助
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 隔離驅動(dòng)
功率MOSFET關(guān)斷損耗計算攻略
- 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計算方式，供大家參考。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 關(guān)斷損耗
傳中興急單ODM/OEM抬價(jià)20%搶貨：MOSFET全年漲價(jià)30%
- MOSFET漲價(jià)已經(jīng)很長(cháng)一段時(shí)間，從今年年初至今，其漲價(jià)幅度已經(jīng)達到了5%-10%，相對另外一種被動(dòng)元器件MLCC，MOSFET漲價(jià)幅度還算在可接受范圍之內。簡(jiǎn)而言之，今年以來(lái)MOSFET一直處于供貨吃緊狀態(tài)，包括英飛凌、威世、意法半導體、安森美等國際IDM大廠(chǎng)近些年并沒(méi)有新增產(chǎn)能?！ ∮捎谌ツ晗掳肽暌詠?lái)，汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)、云端計算等新應用加大對MOSFET的需求，導致電腦以及智能手機等3C電子產(chǎn)品用MOSFET供貨嚴重不足，價(jià)格已經(jīng)從今年年初上漲至今持續了3個(gè)季度!據市場(chǎng)表示，今年上半年MOSFET
- 關(guān)鍵字： 中興 ODM OEM MOSFET
IGBT掃盲文，IGBT基礎與運用知識學(xué)習
- IGBT基礎與運用 IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快 的特點(diǎn)(控制和響應)，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內?！ ±硐氲刃щ娐放c實(shí)際等效電路如圖所示： IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性(開(kāi)關(guān)特性)?！ ?dòng)態(tài)特性的簡(jiǎn)易過(guò)程可從下面的表格和圖形中獲取
- 關(guān)鍵字： IGBT，MOSFET
宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)
- 隨著(zhù)電子產(chǎn)品功能愈來(lái)愈多元，對于低功耗的要求也愈來(lái)愈高， MOSFET成為車(chē)用電子、電動(dòng)車(chē)勢不可擋的必備功率組件，而在目前市面上產(chǎn)能不足，客戶(hù)龐大需求下，電子產(chǎn)品驗證服務(wù)龍頭-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)」，目前已有20多家海內外廠(chǎng)商，包括全球知名晶圓廠(chǎng)、IDM廠(chǎng)商、IC設計企業(yè)已于今年第一季底，前來(lái)宜特進(jìn)行工程試樣，并于第二季初開(kāi)始進(jìn)行小量產(chǎn)，并在下半年正式量產(chǎn)?！ ∫颂囟麻L(cháng) 余維斌指出，在車(chē)用可靠度驗證分析本業(yè)上，已做到亞洲龍頭，然而在服務(wù)客戶(hù)的同時(shí)，發(fā)現了此
- 關(guān)鍵字： MOSFET 晶圓
意法半導體推出離線(xiàn)轉換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性
- 意法半導體的VIPer11離線(xiàn)轉換器內置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動(dòng)電壓允許超寬的線(xiàn)路輸入電壓，并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性?！ ∵壿嫾壴匨OSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內工作，可用于設計高效的5V輸出開(kāi)關(guān)電源。結合內部高壓?jiǎn)?dòng)、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動(dòng)振蕩器等功能，這種優(yōu)勢可簡(jiǎn)化設計，節省空間和物料清單成本?！ IPer11高壓轉換器可實(shí)現由整流的AC線(xiàn)或其它直流電源直接供電的反激
- 關(guān)鍵字： 意法半導體，MOSFET
工業(yè)設備輔助電源驅動(dòng)用的SiC電源解決方案
- 前言 包括光伏逆變器、電氣驅動(dòng)裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統，需要柵極驅動(dòng)器、微控制器、顯示器、傳感器及風(fēng)扇來(lái)使系統正常運行。這類(lèi)產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽(yáng)能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢且設計簡(jiǎn)單、性?xún)r(jià)比高的電源解決方案?！ ⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET 圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
- 關(guān)鍵字： SiC，MOSFET
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