Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型熱增強型PowerPAK 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內最低R_S-S(ON)的60 V共漏極器件，專(zhuān)門(mén)用于提高電池管理系統、直插式和無(wú)線(xiàn)充電器、DC/DC轉換器以及電源的功率密度和效率。

日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下R_S-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導通電阻最低的60 V器件，比這一封裝尺寸排名第二的產(chǎn)品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%。

從而降低電源通道壓降，減小功耗，提高效率。為提高功率密度，SiSF20DN的R_S1S2(ON) 面積乘積低于排名第二的替代MOSFET 46.6 %，甚至包括6 mm x 5 mm較大封裝解決方案。

為節省PCB空間，減少元件數量并簡(jiǎn)化設計，該器件采用優(yōu)化封裝結構，兩個(gè)單片集成TrenchFET 第四代n溝道MOSFET采用共漏極配置。SiSF20DN源極觸點(diǎn)并排排列，加大連接提高PCB接觸面積，與傳統雙封裝型器件相比進(jìn)一步減小電阻率。這種設計使MOSFET適合用于24 V系統和工業(yè)應用雙向開(kāi)關(guān)，包括工廠(chǎng)自動(dòng)化、電動(dòng)工具、無(wú)人機、電機驅動(dòng)器、白色家電、機器人、安防/監視和煙霧報警器。

SiSF20DN進(jìn)行了100 % Rg和UIS測試，符合RoHS標準，無(wú)鹵素。

新型MOSFET現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨供貨周期為30周。