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stt-mram 文章 進(jìn)入stt-mram技術(shù)社區
干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍
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- 近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱(chēng)磁阻隨機訪(fǎng)問(wèn)內存，已經(jīng)存在一段時(shí)間了，但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數據存儲介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫(xiě)入數據的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。 MRAM技術(shù)的讀寫(xiě)速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)。 TDK多年來(lái)一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開(kāi)展示。這次拿出的原型芯片
- 關(guān)鍵字： 閃存 MRAM
分析師預測2019年MRAM市場(chǎng)可達21億美元
- 市場(chǎng)研究機構CoughlinAssociates的最新報告預測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場(chǎng)感應(field-induced)以及自旋力矩轉移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來(lái)因為取代DRAM與SRAM而繁榮發(fā)展。 CoughlinAssociates的報告指出，因為具備省電與非揮發(fā)特性，MRAM/STTMRAM市場(chǎng)營(yíng)收規?？赏?013年的1.9億美元左右，到2019年成長(cháng)至21億美元;期間的復合年平均成長(cháng)率(CAGR)估計為50%。
- 關(guān)鍵字： MRAM CMOS
NVE對Everspin提自旋電子MRAM專(zhuān)利侵權訴訟
- 專(zhuān)門(mén)授權自旋電子(spintronics)磁阻隨機存取內存(MRAM)技術(shù)的自旋電子組件開(kāi)發(fā)商NVR公司表示，該公司已于美國聯(lián)邦法院對 MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權訴訟，以捍衛其自旋電子 MRAM 專(zhuān)利技術(shù)。 NVE公司指出，在美國明尼蘇達州地方法院提起的這項訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項 MRAM 專(zhuān)利。根據NVE公司表示，該侵權訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續使用該技術(shù)，并針對其侵權行為造成的NVE財務(wù)損失進(jìn)行
- 關(guān)鍵字： NVE 內存 MRAM
MRAM熱輔助寫(xiě)入 為實(shí)現20nm以下工藝所必需
- 法國研究機構SPINTEC與開(kāi)發(fā)MRAM技術(shù)的Crocus Technology共同開(kāi)發(fā)出了將熱輔助切換(Thermally Assisted Switching：TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技術(shù)。并在2011年10月31日于美國亞利桑那(Arizona)州斯科茨戴爾(Scottsdale)開(kāi)幕的磁技術(shù)國際會(huì )議“56th MMM”的首日進(jìn)行了發(fā)布。 TAS技術(shù)是一項邊用加熱器對MTJ元件存儲層進(jìn)行加熱，邊寫(xiě)入數據的技術(shù)。對存儲層進(jìn)行加熱后，矯頑力會(huì )
- 關(guān)鍵字： MRAM 20nm
Everspin科技推出業(yè)界首款16Mb MRAM
- 磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領(lǐng)導廠(chǎng)商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進(jìn)一步強化了該公司在MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導地位?，F在，所有需要無(wú)電數據保持以及SRAM性能的應用都可使用具有非揮發(fā)性、高性能、以及高可靠性?xún)?yōu)勢的MRAM技術(shù)。 Everspin科技公司首席運營(yíng)官Saied Tehrani表示：“Everspin將持續快速擴展MRAM產(chǎn)品組合，以協(xié)助更多客戶(hù)實(shí)現產(chǎn)品差異化的目標。根據產(chǎn)品發(fā)展藍圖，我們將不斷提高M(jìn)R
- 關(guān)鍵字： Everspin MRAM
韓國政府攜手三星與海力士 研發(fā)MRAM芯片
- 根據韓聯(lián)社(Yonhap)報導，韓國政府宣布，已與半導體廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，進(jìn)行磁性隨機存儲器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研發(fā)專(zhuān)案，以維持韓國在半導體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。 韓國知識經(jīng)濟部半導體與面板部門(mén)首長(cháng) Park Tae-sung表示，一旦STT-MRAM研發(fā)完成，韓國于2015年將可掌握大約45%的30奈米制程存儲器芯片市場(chǎng)，并預估該市場(chǎng)于2
- 關(guān)鍵字： Samsung 芯片制造 MRAM
存儲芯片市場(chǎng)前景令人堪憂(yōu)
- 去年，一場(chǎng)嚴重的“價(jià)格寒流”席卷了整個(gè)存儲芯片領(lǐng)域，存儲芯片市場(chǎng)亦受到了前所未有的沖擊。業(yè)界巨頭三星電子2007年第四季度財務(wù)報告顯示，由于計算機存儲芯片的平均銷(xiāo)售價(jià)格迅速下滑，該公司的利潤下降了6.6%。DRAM生產(chǎn)商爾必達(Elpida)也宣布其銷(xiāo)售額下滑了34%，并且第三財季凈虧損達1.132億美元。臺灣地區廠(chǎng)商茂德科技也因存儲芯片價(jià)格下跌和供過(guò)于求而宣布虧損。 存儲芯片市場(chǎng)陰霾的表現，迫使許多廠(chǎng)商削減生產(chǎn)或推遲了Fab的投產(chǎn)計劃。美光(Micron)近期就宣布，將
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 存儲芯片 MRAM PRAM
磁阻式隨機存儲器將挑戰閃存
- 磁阻式隨機存儲器（MRAM）將優(yōu)于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導體正試圖證明這一點(diǎn)。 根據消息，飛思卡爾半導體（前摩托羅拉公司芯片部門(mén)）周一宣布，它已經(jīng)獲得了幾個(gè)風(fēng)險投資公司的加入。據悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術(shù)公司，側重于研發(fā)制造MRAM（磁阻式隨機存儲器），其目的是為了“擴大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)份額”。 MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規硅電路相結合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
- 關(guān)鍵字： MRAM 快閃記憶體 Flash DRAM Everspin
相變內存成為研發(fā)熱點(diǎn) 趕超FeRAM與MRAM
- 相變內存(Phase Change Memory，PCM)是近年來(lái)內存業(yè)界熱門(mén)研發(fā)主題之一，針對此一新式內存技術(shù)發(fā)展趨勢與廠(chǎng)商專(zhuān)利現況，工研院IEK-ITIS計劃發(fā)表最新研究報告指出，臺灣地區已有不少廠(chǎng)商投入該技術(shù)的研發(fā)，相較于FeRAM與MRAM，在PCM領(lǐng)域發(fā)展機會(huì )較大。 工研院IEK-ITIS計劃分析師陳俊儒表示，相變化材料在1970年代開(kāi)始有重量級的公司投入研究資源，但受限于當時(shí)半導體工藝技術(shù)，相變化材料在2000年以前的商業(yè)應用還是以光盤(pán)片為主
- 關(guān)鍵字： 消費電子 內存 研發(fā) MRAM 存儲器 消費電子
MRAM：內存的新潮流(下)
- Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁體層并不是單純的鐵磁板。相反，它們是合成的反鐵磁體(synthetic antiferromagnet，SAF)三明治結構，由兩個(gè)反向對準的鐵磁材料層以及兩層材料之間所夾的一層非磁性材料耦合隔層而組成。圖2示出了一個(gè)SAF位單元。SAF三明治結構產(chǎn)生磁致電阻效應的能力并不會(huì )因為它的混合式結構而受到影響。對準和反對準只取決于MTJ結構兩側相對的兩層材料。將兩層板材組成SAF，就可以讓每層板變成“磁矩平衡”—凈外磁場(chǎng)為零
- 關(guān)鍵字： 0702_A MR2A16A MRAM 消費電子 雜志_技術(shù)長(cháng)廊 存儲器 消費電子
MRAM：內存的新潮流(上)
- 摘要： Freescale運用自旋電子技術(shù)制作了新的非易失性RAM，本文對此進(jìn)行了詳細介紹。關(guān)鍵詞： MRAM；自旋電子；位線(xiàn)；字線(xiàn) 在半導體業(yè)界，微處理器是一種更有魅力，利潤更高，而且更難以設計的產(chǎn)品，而內存芯片在推動(dòng)半導體技術(shù)向前發(fā)展的過(guò)程中則會(huì )起到關(guān)鍵性的作用。Intel早期的成功，來(lái)源于其1970年推出的、當時(shí)業(yè)界第一款DRAM芯片，1kb的1103。兩年后，1103成為業(yè)界銷(xiāo)售情況最好的內存芯片，在很多新的系統設計中取代了磁芯存儲器。DRAM在過(guò)去的歲月中成為半導體技術(shù)發(fā)展
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