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南韓加速研發(fā)新興存儲器與材料，穩固龍頭地位
- 南韓為穩固全球記憶體龍頭地位，在產(chǎn)業(yè)通商資源部(Ministry of Trade, Industry and Energy;MOTIE)主導下，不僅采取以三星電子(Samsung Electronics)等大企業(yè)為投資要角的產(chǎn)官學(xué)新合作研發(fā)模式，亦將次世代非揮發(fā)性記憶體與新興材料、技術(shù)列為研發(fā)重點(diǎn)。 2013~2017年南韓將引進(jìn)由政府與企業(yè)共同提供資金給學(xué)術(shù)機構研發(fā)的新合作模式，研發(fā)成果的智財權將由學(xué)術(shù)機構擁有，此將有利提高往后提供南韓中小型企業(yè)運用的可能性。 觀(guān)察2013~2017年
- 關(guān)鍵字： 三星 PRAM IC設計
爾必達停止研發(fā)PRAM
- 日刊工業(yè)新聞報導，由于擴展應用范圍及降低成本不易，爾必達(Elpida)計劃停止研發(fā)相位變化隨機存取存儲器 (PRAM)。 爾必達監于30納米技術(shù)已是DRAM產(chǎn)品細微化的技術(shù)極限，遂轉而研發(fā)PRAM，甚至已送樣容量為128MB的產(chǎn)品，然爾必達社長(cháng)本幸雄認為PRAM成本很難降到比Flash低，且應用范圍難以擴大，故決定停止研發(fā)該產(chǎn)品。日后研發(fā)重心將轉至矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC技術(shù)。 爾必達于2009年內已開(kāi)始量產(chǎn)40納米技術(shù)DRAM產(chǎn)品，緊接著(zhù)將朝
- 關(guān)鍵字： Elpida 30納米 PRAM
存儲芯片市場(chǎng)前景令人堪憂(yōu)
- 去年，一場(chǎng)嚴重的“價(jià)格寒流”席卷了整個(gè)存儲芯片領(lǐng)域，存儲芯片市場(chǎng)亦受到了前所未有的沖擊。業(yè)界巨頭三星電子2007年第四季度財務(wù)報告顯示，由于計算機存儲芯片的平均銷(xiāo)售價(jià)格迅速下滑，該公司的利潤下降了6.6%。DRAM生產(chǎn)商爾必達(Elpida)也宣布其銷(xiāo)售額下滑了34%，并且第三財季凈虧損達1.132億美元。臺灣地區廠(chǎng)商茂德科技也因存儲芯片價(jià)格下跌和供過(guò)于求而宣布虧損。 存儲芯片市場(chǎng)陰霾的表現，迫使許多廠(chǎng)商削減生產(chǎn)或推遲了Fab的投產(chǎn)計劃。美光(Micron)近期就宣布，將
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 存儲芯片 MRAM PRAM
現代半導體獲Ovonyx授權 加入PRAM研發(fā)陣營(yíng)
- PRAM內存的處理速度遠遠快于閃存，理論上其寫(xiě)入數據速度是普通閃存芯片的30倍，保守也可達到10倍以上，而且尺寸也比閃存小很多，從而使未來(lái)高密度非易失性存儲器以及功能更強大的電子設備的出現成為可能。 三星電子、IBM、奇夢(mèng)達、意法半導體以及英特爾公司，都在積極進(jìn)行PRAM存儲產(chǎn)品的研發(fā)。 全球最大的存儲芯片制造商三星公司稱(chēng)，PRAM產(chǎn)品的生產(chǎn)流程也比NOR flash產(chǎn)品簡(jiǎn)單許多，三星公司于去年開(kāi)發(fā)出了512MB的PRAM產(chǎn)品，預計最早可在2008年實(shí)現量產(chǎn)。 此外，IBM與多家內存廠(chǎng)商合作，共同開(kāi)發(fā)出一
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 現代 Ovonyx PRAM MCU和嵌入式微處理器
新興存儲技術(shù)突破多 大規模商用待考
- 最近，目前主流的DRAM、SRAM和FLASH等存儲技術(shù)一定感覺(jué)到既有近憂(yōu)，又有遠慮，因為新型存儲技術(shù)PRAM(相變存儲器)、MRAM(磁性隨機存儲器)及FRAM(鐵電儲存器)表現活躍，大有取而代之的勢頭。不過(guò)，雖然上述新興技術(shù)具有很多優(yōu)點(diǎn)，并有各自不同的取代對象，但是，它們要經(jīng)歷大規模商用的考驗。 新興存儲技術(shù)發(fā)展快 與目前主流的存儲技術(shù)相比，PRAM、MRAM和FRAM普遍具有非易失、重復擦寫(xiě)次數多等特點(diǎn)，它們在近兩年取得了令人興奮
- 關(guān)鍵字： 消費電子 存儲技術(shù) PRAM
DRAM內存可能被淘汰 PRAM才是正道
- 4月19日消息，據國外媒體報道，英特爾日前表示，其所開(kāi)發(fā)的相變隨機存取存儲器（PRAM）有潛力取代當前的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器）。 在日前于北京召開(kāi)的“英特爾信息技術(shù)峰會(huì )（IDF）”上，英特爾首席技術(shù)官Justin Rattner展示了新型PRAM內存，并表示，PRAM有潛力取代當前的DRAM。 Rattner還稱(chēng)，英特爾開(kāi)發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據悉，PRAM是一種非易失性的內存產(chǎn)品，它集DRAM內存的高速存取，以及閃存在關(guān)閉電源后保留數據的特性為一體，因此被業(yè)界視為未來(lái)D
- 關(guān)鍵字： DRAM PRAM 存儲器
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