韓國政府攜手三星與海力士　研發(fā)MRAM芯片

　　根據韓聯(lián)社(Yonhap)報導，韓國政府宣布，已與半導體廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，進(jìn)行磁性隨機存儲器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研發(fā)專(zhuān)案，以維持韓國在半導體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。

　　韓國知識經(jīng)濟部半導體與面板部門(mén)首長(cháng) Park Tae-sung表示，一旦STT-MRAM研發(fā)完成，韓國于2015年將可掌握大約45%的30奈米制程存儲器芯片市場(chǎng)，并預估該市場(chǎng)于2015年將有 530億美元的產(chǎn)值。Park也指出，此項共同研發(fā)專(zhuān)案將讓韓國擁有基礎技術(shù)，支持韓國在半導體產(chǎn)業(yè)續保世界級的競爭力。

　　政府計劃負擔該合作專(zhuān)案一半的成本，為240億韓元(約2,080萬(wàn)美元)，另外一半將由三星與海力士共同出資。韓國政府表示，研發(fā)中心目前已安裝12寸 (300mm)磁性薄膜沈積系統(Magnetic Thin Film Deposition System)以及其它芯片制造設備，優(yōu)于日本競爭對手研發(fā)STT-MRAM時(shí)所使用的8寸(200mm)沈積系統，預期將讓韓國在研發(fā)腳步上領(lǐng)先。