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stt-mram 文章 進(jìn)入stt-mram技術(shù)社區
臺積電計劃建立首個(gè)歐洲設計中心瞄準5納米車(chē)用MRAM
- TSMC 將在歐洲建立其第一個(gè)設計中心，并正在尋求汽車(chē)應用內存技術(shù)的重大飛躍。歐盟設計中心 （EUDC） 將設在慕尼黑，預計將專(zhuān)注于汽車(chē)，但也將支持工業(yè)應用、人工智能 （AI）、電信和物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 的芯片設計?？紤]到這一點(diǎn)，臺積電已對其 28nm 電阻式 RRAM 存儲器進(jìn)行了汽車(chē)應用認證，預計 12nm 版本將滿(mǎn)足同樣嚴格的汽車(chē)質(zhì)量要求，并計劃推出 6nm 版本。它還計劃推出 5nm MRAM 磁性存儲器。與 MRAM 一起，RRAM 是 16nm 以下工藝技術(shù)上閃存的關(guān)鍵替代品。臺積電的 22
- 關(guān)鍵字： 臺積電 5納米 MRAM
從閃存到MRAM：滿(mǎn)足現代FPGA配置的需求
- 在技術(shù)飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關(guān)鍵基礎設施和汽車(chē)應用正在重新定義人們對現場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來(lái)存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應用；然而，隨著(zhù)技術(shù)的進(jìn)步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉變的催化劑在于應用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應用的極限，要求在數據完整性、系統耐用性和運行效率等方面更進(jìn)一步?，F代應用需要更先進(jìn)的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級駕駛輔助系統和先進(jìn)的互連航空電子技術(shù)等應用
- 關(guān)鍵字： 閃存 MRAM FPGA 萊迪思
IMEC，加碼MRAM
- 不只是 imec，當下諸多研究機構紛紛表示，看好 MRAM。
- 關(guān)鍵字： MRAM
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng )新研究成果
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng )新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會(huì )（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱(chēng)，鎧俠旨在不斷創(chuàng )新以滿(mǎn)足未來(lái)計算和存儲系統的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng )新技術(shù)：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開(kāi)發(fā)，通過(guò)改進(jìn)制造工藝，開(kāi)發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機存取存儲器
- 關(guān)鍵字： 鎧俠 存儲技術(shù) DRAM MRAM 3D堆疊
【供應商亮點(diǎn)】Everspin與Lucid Motors攜手，將MRAM技術(shù)集成至Gravity SUV車(chē)型
- Source:Getty/kaptnal專(zhuān)注于磁阻隨機存取存儲器（MRAM）解決方案的美國企業(yè)Everspin Technologies日前宣布將與Lucid Motors合作，在Lucid即將推出的Gravity電動(dòng)運動(dòng)型多用途車(chē)中使用其PERSYST MRAM產(chǎn)品。Everspin旗下PERSYST產(chǎn)品線(xiàn)中的一款256Kb串行MRAM產(chǎn)品——MR25H256A，將被集成至Lucid的Gravity SUV車(chē)型中。Lucid之所以選擇Everspin的MR25H256A MRAM型號，是因為它能夠在較寬
- 關(guān)鍵字： Everspin Lucid Motors MRAM Gravity SUV車(chē)型
MRAM，新興的黑馬
- 1956 年，IBM 推出世界上第一個(gè)硬盤(pán)驅動(dòng)器——RAMAC 305，可以存儲 5MB 的數據，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤(pán)體積巨大如同兩臺冰箱，重量超過(guò)一噸，但是卻標志著(zhù)磁盤(pán)存儲時(shí)代的開(kāi)始。此后，隨著(zhù)科技的進(jìn)步，內存技術(shù)逐漸發(fā)展。動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），具有較快的讀寫(xiě)速度，能夠滿(mǎn)足計算機系統在運行過(guò)程中對數據的快速存取需求。固態(tài)硬盤(pán)（SSD）以其高速的讀寫(xiě)性能、低功耗和抗震動(dòng)等優(yōu)點(diǎn)，逐漸取代傳統磁盤(pán)成為主流存儲設備之一。存儲技術(shù)仍舊在持續發(fā)展，近年來(lái)新型存儲技術(shù)如雨后春筍般涌現，諸如相
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生成式人工智能音頻快速發(fā)展：高信噪比MEMS麥克風(fēng)功不可沒(méi)
- 最新一代人工智能或將開(kāi)啟新一輪科技革命，全面提升各種人機交互體驗。人工智能日益融入人們的日常生活，在方方面面帶來(lái)深刻變化?；谌斯ぶ悄艿奈谋竞蛨D像生成工具可以創(chuàng )建出令人難以置信的內容。不僅如此，人工智能的觸角已從視覺(jué)和文字媒介，伸向語(yǔ)音轉文字（STT）和自然語(yǔ)言處理（NLP）等音頻應用，展現出巨大潛力。然而，音頻應用質(zhì)量大幅提高是否僅僅歸功于最新一代基于大語(yǔ)言模型的生成式人工智能？還是說(shuō)硬件依然功不可沒(méi)？就拿高信噪比（SNR）微機電系統（MEMS）麥克風(fēng)來(lái)說(shuō)，它為實(shí)現這種必將改變人們日常生活的新質(zhì)人機交互
- 關(guān)鍵字： NLP STT SNR MEMS 麥克風(fēng)
臺積電新型存儲技術(shù)問(wèn)世，功耗僅為同類(lèi)技術(shù)的1%
- 臺積電利用其自身先進(jìn)的制程優(yōu)勢，正在積極推動(dòng)新型存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
- 關(guān)鍵字： MRAM
MRAM：RAM和NAND再遇強敵
- M 是一種非易失性存儲技術(shù)，通過(guò)磁致電阻的變化來(lái)表示二進(jìn)制中的 0 和 1，從而實(shí)現數據的存儲。由于產(chǎn)品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數據信息，并擁有不遜色于 DRAM 內存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠低于 DRAM。被大廠(chǎng)看好的未來(lái)之星，非它莫屬。三星：新里程碑目前三星仍然是全球專(zhuān)利第一，2002 年三星宣布研發(fā) MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對 MRAM 的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的 MRAM 研發(fā)逐漸走向低調。20
- 關(guān)鍵字： MRAM
迷人的新型存儲
- 多年來(lái)，各大廠(chǎng)商多年來(lái)孜孜不倦地追求閃存更高層數和內存更先進(jìn)制程?，F代社會(huì )已經(jīng)進(jìn)入大數據、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代——一方面，數據呈爆炸式增長(cháng)，芯片就必須需要具備巨大的計算能力 ；另一方面，依據傳統摩爾定律微縮的半導體技術(shù)所面臨的挑戰越來(lái)越大、需要的成本越來(lái)越高、實(shí)現的性能提高也趨于放緩。應用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士說(shuō)：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統的存儲器，已經(jīng)有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發(fā)展，不斷更新?lián)Q代，尺寸越來(lái)越小，成本越來(lái)越低，性能越來(lái)越強?！沟且呀?jīng)開(kāi)始出現無(wú)法超越的
- 關(guān)鍵字： MRAM ReRAM PCRAM
尺寸最小+功耗最低，三星即將宣布MRAM重要突破
- 據外媒報道，三星電子即將在國際電子器件會(huì )議（IEDM）上報告其在新一代非易失性存儲器件領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。會(huì )議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺上實(shí)現了磁性隧道結堆疊的磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)制造，據稱(chēng)是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲器。該團隊采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結擴展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開(kāi)的國際電子器件會(huì )議上就此進(jìn)行報告。論文中提到，該團隊生產(chǎn)了一個(gè)獨立的存儲器，其寫(xiě)入能量要求為每比特25pJ
- 關(guān)鍵字： 功耗 三星 MRAM
工業(yè)儲存技術(shù)再進(jìn)化 完美內存MRAM現身
- 近年來(lái)，半導體先進(jìn)制程微縮趨勢帶動(dòng)下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進(jìn)，3C設備、智慧家電、智慧汽車(chē)、智能城市到國防航天等領(lǐng)域都可以應用大量芯片記錄海量數據。內存是所有微控制器嵌入式系統的主要組件，閃存（Flash）儲存技術(shù)早已成為工控設備的主流配備。近年來(lái)，半導體先進(jìn)制程微縮趨勢帶動(dòng)下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進(jìn)，3C設備、智慧家電、智慧汽車(chē)、智能城市到國防航天等領(lǐng)域都可以應用大量芯片記錄海量數據。新一代嵌入式內存具有小體積、大容量、高效能等特性，可以滿(mǎn)足龐大運算需求，
- 關(guān)鍵字： 工業(yè)儲存 MRAM
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