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瞄準智能制造、新能源汽車(chē)等新興關(guān)鍵數據存儲需求，FeRAM以獨特性能發(fā)力智能物聯(lián)時(shí)代增量市場(chǎng)
- 存儲器是現代信息系統最關(guān)鍵的組件之一，在當前物聯(lián)網(wǎng)與人工智能聯(lián)合推動(dòng)下的數據爆發(fā)時(shí)代，存儲器行業(yè)的“加速鍵”隨之開(kāi)啟。據YOLE統計，自2019年以來(lái)，存儲器成為半導體增速最快的細分行業(yè)，總體市場(chǎng)空間從2019年的1110億美元將增長(cháng)至2025年的1850億美元。細分市場(chǎng)中，以FeRAM（鐵電存儲）和ReRAM（電阻式存儲）為代表的新型存儲器市場(chǎng)增速最快，將從5億美元增長(cháng)到40億美元，年復合增長(cháng)率達到42%，發(fā)展潛力巨大。圖1 全球存儲器市場(chǎng)規模及增速（資料來(lái)源：YOLE）業(yè)界將相變存儲器、鐵電存儲器、磁
- 關(guān)鍵字： 存儲 FeRAM
未來(lái)新型存儲器技術(shù)將主導存儲器市場(chǎng) 其中FeRAM有什么競爭優(yōu)勢
- 存儲器是半導體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標和最大細分市場(chǎng)，約占半導體產(chǎn)業(yè)的三分之一。智能時(shí)代的到來(lái)，將引起存儲行業(yè)的新一輪爆發(fā)。新的存儲器和存儲器架構已經(jīng)籌劃了很長(cháng)時(shí)間，但仍未被廣泛采用。然而，許多業(yè)內人士認為臨界點(diǎn)已然將近。存儲器是現代信息系統最關(guān)鍵的組件之一，已經(jīng)形成主要由DRAM與NAND Flash構成的超千億美元的市場(chǎng)。隨著(zhù)萬(wàn)物智聯(lián)時(shí)代的到來(lái)，人工智能、智能汽車(chē)等新興應用場(chǎng)景對存儲提出了更高的性能要求，促使新型存儲器迅速發(fā)展，影響未來(lái)存儲器市場(chǎng)格局。新型存儲器是未來(lái)選擇據YOLE統計，2019年以來(lái)，存儲器成為
- 關(guān)鍵字： 存儲器 FeRAM
揚長(cháng)補短發(fā)展FeRAM
- 存儲器在半導體行業(yè)就是一塊萬(wàn)能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數據計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡(jiǎn)單的分成易失性和非易失性?xún)刹糠?，它們各有所長(cháng)，應用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì )失去保存的數據，但是RAM 類(lèi)型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會(huì )丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術(shù)，包
- 關(guān)鍵字： DRAM FeRAM RAM SRAM 存儲器
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feram介紹
FeRAM.它是利用鐵電薄膜的雙穩態(tài)極化特性——電滯回線(xiàn)制備的非易失性存儲器，將鐵電薄膜技術(shù)與集成電路工藝相結合制作鐵電存儲器（FeRAM）是新興的邊緣學(xué)科-集成鐵電學(xué)中電引入矚目的研究方向?！ 哪壳暗氖袌?chǎng)情況看，不揮發(fā)存儲器的市場(chǎng)增長(cháng)速度已高于DRAM和SRAM。應用需求主要在非接觸IC卡、智能卡、移動(dòng)電話(huà)、掌上電腦、手提計算機、嵌入式微處理器等領(lǐng)域。不揮發(fā)存儲器最巨大的市場(chǎng)增長(cháng)點(diǎn)在嵌入式 [ 查看詳細 ]
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