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stt-mram 文章 進(jìn)入stt-mram技術(shù)社區
生成式人工智能音頻快速發(fā)展：高信噪比MEMS麥克風(fēng)功不可沒(méi)
- 最新一代人工智能或將開(kāi)啟新一輪科技革命，全面提升各種人機交互體驗。人工智能日益融入人們的日常生活，在方方面面帶來(lái)深刻變化?；谌斯ぶ悄艿奈谋竞蛨D像生成工具可以創(chuàng )建出令人難以置信的內容。不僅如此，人工智能的觸角已從視覺(jué)和文字媒介，伸向語(yǔ)音轉文字（STT）和自然語(yǔ)言處理（NLP）等音頻應用，展現出巨大潛力。然而，音頻應用質(zhì)量大幅提高是否僅僅歸功于最新一代基于大語(yǔ)言模型的生成式人工智能？還是說(shuō)硬件依然功不可沒(méi)？就拿高信噪比（SNR）微機電系統（MEMS）麥克風(fēng)來(lái)說(shuō)，它為實(shí)現這種必將改變人們日常生活的新質(zhì)人機交互
- 關(guān)鍵字： NLP STT SNR MEMS 麥克風(fēng)
臺積電新型存儲技術(shù)問(wèn)世，功耗僅為同類(lèi)技術(shù)的1%
- 臺積電利用其自身先進(jìn)的制程優(yōu)勢，正在積極推動(dòng)新型存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
- 關(guān)鍵字： MRAM
MRAM：RAM和NAND再遇強敵
- M 是一種非易失性存儲技術(shù)，通過(guò)磁致電阻的變化來(lái)表示二進(jìn)制中的 0 和 1，從而實(shí)現數據的存儲。由于產(chǎn)品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數據信息，并擁有不遜色于 DRAM 內存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠低于 DRAM。被大廠(chǎng)看好的未來(lái)之星，非它莫屬。三星：新里程碑目前三星仍然是全球專(zhuān)利第一，2002 年三星宣布研發(fā) MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對 MRAM 的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的 MRAM 研發(fā)逐漸走向低調。20
- 關(guān)鍵字： MRAM
迷人的新型存儲
- 多年來(lái)，各大廠(chǎng)商多年來(lái)孜孜不倦地追求閃存更高層數和內存更先進(jìn)制程?，F代社會(huì )已經(jīng)進(jìn)入大數據、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代——一方面，數據呈爆炸式增長(cháng)，芯片就必須需要具備巨大的計算能力 ；另一方面，依據傳統摩爾定律微縮的半導體技術(shù)所面臨的挑戰越來(lái)越大、需要的成本越來(lái)越高、實(shí)現的性能提高也趨于放緩。應用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士說(shuō)：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統的存儲器，已經(jīng)有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發(fā)展，不斷更新?lián)Q代，尺寸越來(lái)越小，成本越來(lái)越低，性能越來(lái)越強?！沟且呀?jīng)開(kāi)始出現無(wú)法超越的
- 關(guān)鍵字： MRAM ReRAM PCRAM
尺寸最小+功耗最低，三星即將宣布MRAM重要突破
- 據外媒報道，三星電子即將在國際電子器件會(huì )議（IEDM）上報告其在新一代非易失性存儲器件領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。會(huì )議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺上實(shí)現了磁性隧道結堆疊的磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)制造，據稱(chēng)是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲器。該團隊采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結擴展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開(kāi)的國際電子器件會(huì )議上就此進(jìn)行報告。論文中提到，該團隊生產(chǎn)了一個(gè)獨立的存儲器，其寫(xiě)入能量要求為每比特25pJ
- 關(guān)鍵字： 功耗 三星 MRAM
工業(yè)儲存技術(shù)再進(jìn)化 完美內存MRAM現身
- 近年來(lái)，半導體先進(jìn)制程微縮趨勢帶動(dòng)下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進(jìn)，3C設備、智慧家電、智慧汽車(chē)、智能城市到國防航天等領(lǐng)域都可以應用大量芯片記錄海量數據。內存是所有微控制器嵌入式系統的主要組件，閃存（Flash）儲存技術(shù)早已成為工控設備的主流配備。近年來(lái)，半導體先進(jìn)制程微縮趨勢帶動(dòng)下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進(jìn)，3C設備、智慧家電、智慧汽車(chē)、智能城市到國防航天等領(lǐng)域都可以應用大量芯片記錄海量數據。新一代嵌入式內存具有小體積、大容量、高效能等特性，可以滿(mǎn)足龐大運算需求，
- 關(guān)鍵字： 工業(yè)儲存 MRAM
e絡(luò )盟發(fā)布新一期人工智能電子書(shū)，激發(fā)廣大讀者創(chuàng )新應用開(kāi)發(fā)熱情
- 全球電子元器件與開(kāi)發(fā)服務(wù)分銷(xiāo)商 e絡(luò )盟 新近發(fā)布名為《AIoT時(shí)代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來(lái)》的電子書(shū)，旨在為專(zhuān)業(yè)工程師、創(chuàng )客和電子愛(ài)好者提供人工智能相關(guān)專(zhuān)業(yè)知識，助力他們更加順利地進(jìn)行人工智能應用開(kāi)發(fā)并開(kāi)拓出更多新型市場(chǎng)應用。本冊電子書(shū)匯集了人工智能詳細路線(xiàn)圖和類(lèi)別，闡釋了人工智能、機器學(xué)習（ML）和深度學(xué)習（DL）之間的關(guān)系，并詳細介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )相關(guān)技術(shù)。書(shū)中還向讀者推薦了數款適用于首次進(jìn)行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開(kāi)發(fā)的優(yōu)質(zhì)平臺。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變人類(lèi)的工作方式。目前，人工
- 關(guān)鍵字： TTS STT AIoT CNN RNN GAN
MRAM技術(shù)新突破！臺灣清大團隊發(fā)表新磁性翻轉技術(shù)
- 全球各半導體大廠(chǎng)如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學(xué)研究團隊最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！ RAM為非揮發(fā)性存儲器技術(shù)，斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲的數據不會(huì )流失，是“不失憶”的存儲器。其結構如三明治，上層是自由翻轉的鐵磁層，可快速處理數據，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數據，兩層中則有氧化層隔開(kāi)?！ ∑?/li>
- 關(guān)鍵字： MRAM DRAM
MRAM將改變半導體市場(chǎng)的格局？三星已開(kāi)始大量生產(chǎn)
- 據報道，三星已開(kāi)始生產(chǎn)磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場(chǎng)的格局，因為它兼具DRAM與NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)?！ ∪?月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線(xiàn)上，開(kāi)始大規模生產(chǎn)和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠(chǎng)房舉行了儀式，標志著(zhù)新內存產(chǎn)品的首次發(fā)貨?！ ∵@種解決方案無(wú)需在數據記錄期間擦除數據，并實(shí)現了比傳統閃存快1000倍左右的寫(xiě)入速度。三星表示，由于它在斷電時(shí)保存了存儲的數據，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很
- 關(guān)鍵字： MRAM 三星
英特爾已悄悄將MRAM商用？三星緊追其后
- 在第 64 屆國際電子器件會(huì )議 (IEDM) 上，全球兩大半導體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)?！ RAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機存取存儲)，是一種非易失性存儲技術(shù)，從 1990 年代開(kāi)始發(fā)展。此技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機存儲的高速讀取寫(xiě)入能力，具有閃存的非揮發(fā)性，容量密度及使用壽命不輸 DRAM，但平均能耗遠低于 DRAM，而且基本上可以無(wú)限次地重復寫(xiě)入?！ ∮⑻貭栐硎酒淝度胧?MRAM 技術(shù)可在200℃下實(shí)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 MRAM
聯(lián)華電子和美商Avalanche合作技術(shù)開(kāi)發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品
- 聯(lián)華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領(lǐng)導者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)取代嵌入式內存的磁阻式隨機存取內存(MRAM)。同時(shí)聯(lián)華電子也將透過(guò)Avalanche的授權提供技術(shù)給其他公司?！ ÷?lián)華電子根據此合作協(xié)議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發(fā)性MRAM區塊供客戶(hù)將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM內存模塊整合至應用產(chǎn)品，并鎖定在物聯(lián)網(wǎng)、穿戴裝置、消費型產(chǎn)品，以及工業(yè)、車(chē)用電子市場(chǎng)的微控制器(MCU)和系統單芯片(So
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)華電子 MRAM 28納米
嵌入式存儲器的過(guò)去與現在
- 近期臺積電技術(shù)長(cháng)孫元成在其自家技術(shù)論壇中，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年
- 關(guān)鍵字： 嵌入式存儲器 MRAM eRRAM 物聯(lián)網(wǎng)
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結陣列的加工成為可能
- 半導體產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)下一代存儲器技術(shù)的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器 (MRAM) 的出現。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說(shuō)明初始階段面臨的一些挑戰，并探討實(shí)現 STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展?！ 貌牧瞎緸閷?shí)現 STT MRAM 的制造提供了多項重要創(chuàng )新，包括基于Endura? 平臺上的PVD創(chuàng )新以及特別的蝕刻技術(shù)。利用這些新技術(shù)并借助梅丹技術(shù)中心的設施來(lái)加工并測試器件陣列，我們驗證了 STT MRAM 的性能和可擴展性?！ ∪缃?，除了邏
- 關(guān)鍵字： STT MRAM
新式儲存結構能加速MRAM市場(chǎng)起飛嗎？
- MRAM新創(chuàng )公司STT開(kāi)發(fā)出一種存儲器專(zhuān)有技術(shù)，據稱(chēng)可在增加數據保持的同時(shí)降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲存結構將在MRAM市場(chǎng)扮演什么角色?它能成為加速MRAM市場(chǎng)起飛的重要推手嗎? 磁阻式隨機存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng )公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開(kāi)發(fā)出MRAM專(zhuān)用技術(shù)，據稱(chēng)能以同步提高數據保持(retention)與降低電流
- 關(guān)鍵字： MRAM SRAM
stt-mram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條stt-mram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對stt-mram的理解，并與今后在此搜索stt-mram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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