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Everspin科技推出業(yè)界首款16Mb MRAM
- 磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領(lǐng)導廠(chǎng)商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進(jìn)一步強化了該公司在MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導地位?，F在，所有需要無(wú)電數據保持以及SRAM性能的應用都可使用具有非揮發(fā)性、高性能、以及高可靠性?xún)?yōu)勢的MRAM技術(shù)。 Everspin科技公司首席運營(yíng)官Saied Tehrani表示：“Everspin將持續快速擴展MRAM產(chǎn)品組合，以協(xié)助更多客戶(hù)實(shí)現產(chǎn)品差異化的目標。根據產(chǎn)品發(fā)展藍圖，我們將不斷提高M(jìn)R
- 關(guān)鍵字： Everspin MRAM
磁阻式隨機存儲器將挑戰閃存
- 磁阻式隨機存儲器（MRAM）將優(yōu)于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導體正試圖證明這一點(diǎn)。 根據消息，飛思卡爾半導體（前摩托羅拉公司芯片部門(mén)）周一宣布，它已經(jīng)獲得了幾個(gè)風(fēng)險投資公司的加入。據悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術(shù)公司，側重于研發(fā)制造MRAM（磁阻式隨機存儲器），其目的是為了“擴大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)份額”。 MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規硅電路相結合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
- 關(guān)鍵字： MRAM 快閃記憶體 Flash DRAM Everspin
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