干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍
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近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱(chēng)磁阻隨機訪(fǎng)問(wèn)內存，已經(jīng)存在一段時(shí)間了，但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數據存儲介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫(xiě)入數據的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/263809.htm
MRAM技術(shù)的讀寫(xiě)速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)。
TDK多年來(lái)一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開(kāi)展示。這次拿出的原型芯片和一個(gè)NOR Flash閃存進(jìn)行了肩并肩對比，讀寫(xiě)數據的速度是后者的7倍多——342MB/s VS. 48MB/s。
不過(guò)目前測試芯片的容量才8Mb(1MB)，實(shí)在微不足道。
TDK已經(jīng)讓手下的Headway Technologies(位于美國加州)試產(chǎn)了一塊8英寸(200毫米)的MRAM晶圓，但它沒(méi)有量產(chǎn)能力，商用的時(shí)候必須另外尋找代工伙伴。
至于MRAM何時(shí)能夠投入實(shí)用，目前還沒(méi)有確切時(shí)間表，但是TDK估計說(shuō)可能需要長(cháng)達10年。
Intel、IBM、三星、海力士、東芝也都在不同程度地研發(fā)STT-MRAM，而美國亞利桑那州的Everspin Technologies甚至已經(jīng)小批量出貨，Buffalo固態(tài)硬盤(pán)的緩存就用到了它。
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