Everspin科技推出業(yè)界首款16Mb MRAM

　　磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領(lǐng)導廠(chǎng)商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進(jìn)一步強化了該公司在MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導地位?，F在，所有需要無(wú)電數據保持以及SRAM性能的應用都可使用具有非揮發(fā)性、高性能、以及高可靠性?xún)?yōu)勢的MRAM技術(shù)。

　　Everspin科技公司首席運營(yíng)官Saied Tehrani表示：“Everspin將持續快速擴展MRAM產(chǎn)品組合，以協(xié)助更多客戶(hù)實(shí)現產(chǎn)品差異化的目標。根據產(chǎn)品發(fā)展藍圖，我們將不斷提高M(jìn)RAM產(chǎn)品的容量，并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨有特性。”

　　MR4A16B 是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，并允許無(wú)限制的讀/寫(xiě)循環(huán)。在每次寫(xiě)入后，資料能持續保存超過(guò)20年。此外，與其它存儲器不同，MRAM還可免除因宇宙射線(xiàn)所產(chǎn)生的軟錯誤率(SER, soft error rate)。這款16Mb MRAM由位寬為16的1,048,576個(gè)字組成。引腳和功能可與異步SRAM兼容。MR4A16B目標應用為工業(yè)自動(dòng)化、機器人、網(wǎng)絡(luò )和數據儲存、多功能打印機、以及其它許多傳統受限于需采用SRAM設計的系統。

　　MR4A16B提供小尺寸48引腳球柵陣列(BGA)封裝和54引腳的薄形小尺寸(TSOPII)封裝兩種形式。這些封裝均能與相似的低功率SRAM產(chǎn)品和其它非揮發(fā)RAM產(chǎn)品兼容。

　　供貨情況

　　新款16Mb MRAM系列包括商業(yè)級(0°C至+70 °C)和工業(yè)級(-40°C至+85 °C)兩種溫度范圍?，F已可提供樣品，并預計于2010年7月開(kāi)始量產(chǎn)。價(jià)格咨詢(xún)請聯(lián)系Everspin銷(xiāo)售部和代理商。

　　Everspin的產(chǎn)品系列

　　Everspin的MRAM技術(shù)具高可靠性、快速讀/寫(xiě)、即時(shí)開(kāi)啟、非揮發(fā)性、和無(wú)限次擦除等特性。加入新的16Mb MRAM成員后，現在Everspin的產(chǎn)品組合包括提供BGA和TSOP兩種可選封裝、容量從256Kb 到16Mb 的8位和16位并行I/O產(chǎn)品，以及采用DFN封裝、容量從256Kb到1Mb的串行I/O產(chǎn)品。