Hynix東芝宣布將聯(lián)合開(kāi)發(fā)STT-MRAM技術(shù)

　　韓國Hynix與日本東芝公司近日宣布兩家公司將共同開(kāi)發(fā)STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋轉移矩磁阻RAM)技術(shù),兩家公司均認為這項技術(shù)是非常重要的下一代非易失性存儲技術(shù)之一。一旦有關(guān)的技術(shù)研發(fā)完成之后，兩家公司計劃成立一 家專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)STT-MRAM的芯片制造公司。另外，作為這次合作戰略的其它部分，兩家公司還將擴大專(zhuān)利交叉授權的范圍。

　　據兩家公司的聯(lián)合聲明稱(chēng)，MRAM是一種非易失性存儲技術(shù)，它具備速度極快和耗電量低的優(yōu)點(diǎn)。預計STT-MRAM芯片初期的用途將包括對耗電量要求很高的移動(dòng)設備。

　　不過(guò)兩家公司并沒(méi)有透露其STT-MRAM芯片產(chǎn)量規劃，以及何時(shí)開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)的計劃等。

　　目前已經(jīng)有多家半導體廠(chǎng)商在生產(chǎn)MRAM芯片產(chǎn)品，其中包括Everspin，Grandis，Crocus等。不過(guò)這次兩大存儲業(yè)界巨頭的聯(lián)手則令MRAM市場(chǎng)大有風(fēng)云突變之勢。目前市場(chǎng)上存儲密度最高的MRAM芯片其密度為16Mbit左右，相比之下，采用20nm級別制程制造的NAND芯片目前則已經(jīng)達到64Gbit的存儲密度水平，兩者的密度差距甚大。不過(guò)研發(fā)MRAM的廠(chǎng)商都公認MRAM具備更好的存儲密度拓展空間和信息保存能力。

　　最近有報道稱(chēng)東芝認為其新近開(kāi)發(fā)的垂直磁隧道結器件可作為制造Gbit密度級別ATT-MRAM的基本構件，東芝認為這種產(chǎn)品在3-4年內可望實(shí)現商業(yè)化。Hynix與東芝表示雙方正在整合有關(guān)的資源和技術(shù)，以降低MRAM商業(yè)化的風(fēng)險，加快將產(chǎn)品推向商業(yè)化的步調。