相變內存成為研發(fā)熱點(diǎn) 趕超FeRAM與MRAM

　　相變內存(Phase Change Memory，PCM)是近年來(lái)內存業(yè)界熱門(mén)研發(fā)主題之一，針對此一新式內存技術(shù)發(fā)展趨勢與廠(chǎng)商專(zhuān)利現況，工研院IEK-ITIS計劃發(fā)表最新研究報告指出，臺灣地區已有不少廠(chǎng)商投入該技術(shù)的研發(fā)，相較于FeRAM與MRAM，在PCM領(lǐng)域發(fā)展機會(huì )較大。  

　　工研院IEK-ITIS計劃分析師陳俊儒表示，相變化材料在1970年代開(kāi)始有重量級的公司投入研究資源，但受限于當時(shí)半導體工藝技術(shù)，相變化材料在2000年以前的商業(yè)應用還是以光盤(pán)片為主；直到2000年后，相變化材料制作的相變內存無(wú)論是在專(zhuān)利布局、芯片試產(chǎn)及學(xué)術(shù)論文上開(kāi)始有優(yōu)異的表現。  

　　其中一家PCM廠(chǎng)商O(píng)vonyx于1999年成立，將其PCM發(fā)展策略設定在智財(Intellectual Property，IP)商業(yè)模式，提供技術(shù)以推動(dòng)PCM進(jìn)入內存市場(chǎng)。陳俊儒指出，目前Ovonyx擁有的他國專(zhuān)利申請數量是全球最多，美國專(zhuān)利數第二(僅次于Micron)，還獲得Intel的投資，以及授權給ST、Elpida、Samsung及Qimonda等半導體大廠(chǎng)。  

　　投資Ovonyx的廠(chǎng)商Intel還準備推出128Mb PCM樣品，并計劃在2007年下半年采用90納米技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)。陳俊儒表示，這種稱(chēng)為Alverstone的產(chǎn)品是Intel的首款PCM產(chǎn)品，是與NOR Flash兼容的替代產(chǎn)品。Intel技術(shù)長(cháng)Justin Rattner并曾指出，Intel的理想目標是讓128Mb PCM成為NOR Flash閃存的替代品，而該公司將持續最佳化PCM的量產(chǎn)工藝。  

　　Ovonyx的授權廠(chǎng)商Samsung也將開(kāi)始供應PCM的評估測試樣品，該公司目前向多家大型手機廠(chǎng)商提供的是256Mb和512Mb的90nm產(chǎn)品。為了準備2008年上半年的量產(chǎn)，該公司還計劃在2007年第2季和2007年年底，分別開(kāi)始供應工程樣品和商用樣品。  

　　陳俊儒表示，Samsung是從2006年下半年開(kāi)始量產(chǎn)90nm工藝NOR Flash，落后于同期開(kāi)始量產(chǎn)65nm產(chǎn)品的Intel。為此，Samsung希望以替代NOR Flash為目的，盡早創(chuàng )造出PCM被采用的實(shí)際業(yè)績(jì)，以便在與其它公司的競爭中占據領(lǐng)先地位。  

　　根據ITRS預測，PCM的Cell Size于2011年將小于NOR Flash，未來(lái)可望大規模取代NOR Flash市場(chǎng)(營(yíng)收約72億美元)，未來(lái)市場(chǎng)潛力較FeRAM和MRAM大。陳俊儒表示，目前先進(jìn)廠(chǎng)商投入PCM的研發(fā)較晚，臺灣地區廠(chǎng)商投入PCM研發(fā)者，相較于FeRAM與MRAM反而來(lái)的多，多屬于DRAM揮發(fā)性?xún)却鎻S(chǎng)商。  

　　因此陳俊儒認為，臺灣地區廠(chǎng)商若是未來(lái)計劃大規模切入非揮發(fā)性?xún)却媸袌?chǎng)，相較于FeRAM與MRAM，投入PCM研發(fā)是比較有機會(huì )的。