分析師預測2019年MRAM市場(chǎng)可達21億美元

　　市場(chǎng)研究機構CoughlinAssociates的最新報告預測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場(chǎng)感應(field-induced)以及自旋力矩轉移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來(lái)因為取代DRAM與SRAM而繁榮發(fā)展。

　　CoughlinAssociates的報告指出，因為具備省電與非揮發(fā)特性，MRAM/STTMRAM市場(chǎng)營(yíng)收規?？赏?013年的1.9億美元左右，到2019年成長(cháng)至21億美元;期間的復合年平均成長(cháng)率(CAGR)估計為50%。

　　因為MRAM能以CMOS邏輯制程生產(chǎn)，使其適合做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體使用;該種記憶體需要額外的磁性材料層以及專(zhuān)門(mén)的生產(chǎn)設備，與生產(chǎn)硬碟機內磁性讀寫(xiě)頭(magneticreadsensors)的設備類(lèi)似。CoughlinAssociates估計，市場(chǎng)對獨立MRAM元件與嵌入式MRAM的需求，將驅動(dòng)MRAM制造設備市場(chǎng)的成長(cháng);該市場(chǎng)規模將由2013年的5,290萬(wàn)美元，在2019年成長(cháng)至2.463億美元。

　　除了MRAM，CoughlinAssociates的報告還討論了相變化記憶體、電阻式記憶體(ReRAM)、鐵電記憶體(FeRAM)以及碳奈米管等技術(shù);該報告指出，ReRAM也有取代快閃記憶體的潛力，但恐怕還要再過(guò)十年才可能發(fā)生，至于MRAM取代SRAM與DRAM的情況在接下來(lái)幾年就會(huì )看到，可能早于ReRAM取代快閃記憶體的時(shí)程。