磁阻式隨機存儲器將挑戰閃存

　　磁阻式隨機存儲器（MRAM）將優(yōu)于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導體正試圖證明這一點(diǎn)。

　　根據消息，飛思卡爾半導體（前摩托羅拉公司芯片部門(mén)）周一宣布，它已經(jīng)獲得了幾個(gè)風(fēng)險投資公司的加入。據悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術(shù)公司，側重于研發(fā)制造MRAM（磁阻式隨機存儲器），其目的是為了“擴大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)份額”。

　　MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規硅電路相結合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高速讀寫(xiě)能力，以及Flash不揮發(fā)性的特性，在Cell面積上也和DRAM比例相近，而重復讀寫(xiě)次數和DRAM、SRAM相同，操作電壓也近似，可說(shuō)是集各種記憶體優(yōu)點(diǎn)于一體的產(chǎn)品。它的主要競爭對手是快閃記憶體，目前一些公司如三星、東芝、Intel正在不斷開(kāi)發(fā)更快更高容量的閃存式存儲裝置。

　　據悉飛思卡爾半導體將把MRAM的相關(guān)知識產(chǎn)權移交給Everspin科技，而Everspin的后盾則是風(fēng)險投資公司例如Venture Partners、Sigma Partners、Lux Capital、Draper Fisher Jurvetson和Epic Ventures等。分離后的Everspin將負責推廣MRAM同時(shí)作為一個(gè)主要的MRAM供應商存在，飛思卡爾的嵌入式產(chǎn)品也將采用everspin提供的MRAM產(chǎn)品。