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sram 文章 進(jìn)入sram技術(shù)社區
使用高速SRAM設計電池支持型存儲器
- 嵌入式系統的性能取決于其軟硬件能力。一個(gè)編寫(xiě)合理的軟件可以利用硬件的所有能力發(fā)揮后者的最大性能。與此類(lèi)似，無(wú)論軟件設計多么合理，低效的硬件都可能影響系統性能?！ 凳陙?lái)，傳統嵌入式系統的結構一直沒(méi)有改變。圖1顯示了一個(gè)典型嵌入式系統的框圖。一個(gè)微控制器和一個(gè)微處理器位于系統的核心。按照具體應用，系統設計人員可根據需要刪減接口和外設。如果控制器的內置存儲器不足，就需要使用閃存、SRAM、DRAM等外置存儲器。通常而言，閃存用于存儲控制器執行的代碼，而SRAM用于存儲運行時(shí)臨時(shí)變量和保存重要的應用數據塊
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Zeno開(kāi)發(fā)特殊SRAM 可提升MOS結構效能
- Zeno Semiconductor日前開(kāi)發(fā)出將最小靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)納入單一MOS電晶體技術(shù)，不僅其采用記憶單元(bit-cell)數量變多，存取時(shí)間也可大幅縮短4成?！ 﨓E Times網(wǎng)站報導，Zeno在國際電子零組件會(huì )議(International Electron Devices Meeting)上展示這項新技術(shù)。Zeno執行董事長(cháng)Zvi Or-Bach表示，該技術(shù)之所以讓N型MOS電晶體做為穩定SRAM，主要是透過(guò)采
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10nm SRAM、10核心芯片亮相ISSCC
- 一年一度的“國際固態(tài)電路會(huì )議”(ISSCC)將在明年2月舉行，幾乎所有重要的晶片研發(fā)成果都將首度在此公開(kāi)發(fā)布，讓業(yè)界得以一窺即將面世的最新技術(shù)及其發(fā)展趨勢。三星(Samsung)將在ISSCC 2016發(fā)表最新的10nm制程技術(shù)、聯(lián)發(fā)科(MediaTek)將展示采用三叢集(Tri-Cluster)架構搭載十核心的創(chuàng )新行動(dòng)SoC。此外，指紋辨識、視覺(jué)處理器與3D晶片堆疊以及更高密度記憶體等技術(shù)也將在此展示最新開(kāi)發(fā)成果。 三星將提供更多DRAM與快
- 關(guān)鍵字： SRAM ISSCC
三星成功開(kāi)發(fā)10納米FinFET SRAM 10納米邏輯制程量產(chǎn)更近一步
- 在英特爾(Intel)、臺積電的SRAM仍停留在14納米、16納米制程時(shí)，三星電子(Samsung Electronics)已搶先研發(fā)出10納米FinFET制程SRAM，這也意味著(zhù)距離10納米邏輯芯片量產(chǎn)更近一步?！ ∷俣容^DRAM快的SRAM，可運用為中央處理器(CPU)緩存存儲器。完成研發(fā)10納米SRAM，也意味著(zhù)三星在同制程系統芯片生產(chǎn)準備作業(yè)正順利進(jìn)行。照此趨勢，2017年初將可正式量產(chǎn)采10納米制程的移動(dòng)應用處理器(AP)。10納米AP將與GB級數據機芯片整合，移動(dòng)裝置速度將更快?！ 享n
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串行和并行接口SRAM對比
- 外置SRAM通常配有一個(gè)并行接口?？紤]到大多數基于SRAM的應用的存儲器要求，選擇并行接口并不令人驚訝。對于已經(jīng)(和仍在)使用SRAM的高性能(主要是緩存)應用而言，與串行接口相比，并行接口擁有明顯優(yōu)勢。但這種情況似乎即將改變。 盡管能夠提供高于串行接口的性能，但并行接口也有劣勢。其中最明顯的是，無(wú)論是從電路板空間還是從引腳數要求的角度而言，并行接口的尺寸都遠遠大于串行接口。例如，一個(gè)簡(jiǎn)單的4Mb SRAM最多可能需要43個(gè)引腳才能與一個(gè)控制器相連。在使用一個(gè)4Mb SRAM時(shí)，我們的要求可能如
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存儲器革新將引發(fā)電子產(chǎn)業(yè)蝴蝶效應？
- 經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展，電子產(chǎn)業(yè)幾乎已成為一個(gè)線(xiàn)性系統，并被摩爾定律(Moore‘sLaw)左右。然而隨著(zhù)摩爾定律逐漸出現松動(dòng)，越來(lái)越多新技術(shù)開(kāi)始浮上臺面。這些技術(shù)不僅僅是既有技術(shù)的改進(jìn)，而是全面的變革。電子產(chǎn)業(yè)可望借由這些新技術(shù)轉型成為非線(xiàn)性系統，推翻多年來(lái)電子產(chǎn)業(yè)所定立的主張。 存儲器技術(shù)近年的發(fā)展，可能就此改變存儲器與處理技術(shù)在1940年代便已確立的關(guān)系。連續存儲器配置的效率盡管不斷受到挑戰，但系統的惰性使得這種配置幾十年來(lái)維持不變。 即使在對稱(chēng)多處理系統中，存儲器的配置仍多是
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ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區別
- ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫(xiě)，RAM是Random Access Memory的縮寫(xiě)。 ROM在系統停止供電的時(shí)候仍然可以保持數據，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數據，典型的RAM就是計算 機的內存。 RAM 有兩大類(lèi)，一種稱(chēng)為靜態(tài)RAM(StaticRAM/SRAM)，SRAM速度非?？?，是目前讀寫(xiě)最快的存儲設備了，但 是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱(chēng)為動(dòng)態(tài)RA
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賽普拉斯推出具備片上錯誤校正碼的高性能同步SRAM，確保卓越的可靠性
- 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場(chǎng)領(lǐng)導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，推出業(yè)界最高容量的其具有片上錯誤校正碼(ECC)的同步SRAM。新的36Mb同步SRAM集成了ECC功能，使之可以提供最高水平的數據可靠性，簡(jiǎn)化多種軍用、通訊和數據處理應用的設計。賽普拉斯今年計劃擴充具備ECC功能的同步SRAM產(chǎn)品線(xiàn)，增加其他容量的產(chǎn)品。 由背景輻射引起的軟錯誤可損壞存儲器中的內容，造成重要數據的遺失。賽普拉斯新型同步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線(xiàn)執行所有的錯誤校正功能，而無(wú)需用戶(hù)干預，能達到業(yè)界最佳的軟
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賽普拉斯的異步SRAM系列又添新丁 具有片上錯誤校正碼的4Mb器件橫空出世
- 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場(chǎng)領(lǐng)導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正碼(ECC)的4Mb異步SRAM正在出樣。這些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的數據可靠性，而無(wú)需額外的錯誤校正芯片，從而簡(jiǎn)化了設計，并縮小了電路板尺寸。該器件可在工業(yè)、軍事、通訊、數據處理、醫療、消費及汽車(chē)等應用中確保數據的可靠性。 由背景輻射引起的軟錯誤可損壞存儲器中的內容，造成重要數據的遺失。賽普拉斯新型異步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線(xiàn)執行所有的錯誤校正功能，而無(wú)需用戶(hù)干預，能達到業(yè)界最
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賽普拉斯的異步SRAM系列又添新丁，具有片上錯誤校正碼的4Mb器件橫空出世
- 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場(chǎng)領(lǐng)導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正碼(ECC)的4Mb異步SRAM正在出樣。這些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的數據可靠性，而無(wú)需額外的錯誤校正芯片，從而簡(jiǎn)化了設計，并縮小了電路板尺寸。該器件可在工業(yè)、軍事、通訊、數據處理、醫療、消費及汽車(chē)等應用中確保數據的可靠性。 由背景輻射引起的軟錯誤可損壞存儲器中的內容，造成重要數據的遺失。賽普拉斯新型異步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線(xiàn)執行所有的錯誤校正功能，而無(wú)需用戶(hù)干預，能達到業(yè)界最
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IBM持續提升磁帶儲存密度
- IBM Research 宣布創(chuàng )下磁帶(magnetic tape)儲存最高密度的世界紀錄──在富士(FujiFilm)為其研究案特別開(kāi)發(fā)的低成本微粒(particulate)磁帶上達到每平方英寸1,230億位元(123 billion bits)未壓縮資料的儲存密度。該技術(shù)一旦商業(yè)化，可讓今日的6 Gbyte磁帶盒(cartridge)儲存容量擴充到220 Terabyte。 負責磁帶技術(shù)開(kāi)發(fā)的IBM Research研究經(jīng)理Mark Lantz表示：“新技術(shù)可確保我們在接下來(lái)十年
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SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式設計中的作用
- 上世紀90年代中期，英特爾決定把SRAM整合到自己的處理器中，這給世界各地的獨立式SRAM供應商帶來(lái)“滅頂之災”。最大的SRAM市場(chǎng)(PC高速緩存)一夜之間銷(xiāo)聲匿跡，只留下少數細分市場(chǎng)應用。SRAM的“高性能存儲器(訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間短、待機功耗小)”價(jià)值主張因其較高的價(jià)格和容量限制(目前的最高容量是288Mb)而高度受限。由于SRAM每個(gè)單元有四到六個(gè)晶體管，幾乎無(wú)法與DRAM和閃存競爭(這兩種存儲器每個(gè)單元只有1個(gè)晶體管);每個(gè)單元的晶體管數越少就意味著(zhù)板容量
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世界最小延遲的網(wǎng)絡(luò )交換機采用賽普拉斯QDR-IV SRAM
- 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場(chǎng)領(lǐng)導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，網(wǎng)絡(luò )設備制造商Exablaze在其ExaLINK Fusion網(wǎng)絡(luò )交換機中選用了賽普拉斯的QDR-IV SRAM。該交換機采用了一種將賽靈思Ultrascale FPGA與QDR-IV存儲器對接的模塊化設計。ExaLINK Fusion采用了賽普拉斯最快的QDR-IV器件，頻率為1066 MHz，是市場(chǎng)上最高隨機存取速率(RTR)的存儲器。 RTR的意思是每秒完全隨機存儲器訪(fǎng)問(wèn)次數，是影響高速線(xiàn)卡和交換機速率的存儲器性能關(guān)鍵
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sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會(huì )消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [ 查看詳細 ]
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