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基于國產(chǎn)龍芯GS32I的小系統的硬件設計
- 一. 引言 目前，嵌入式系統已經(jīng)滲透到各個(gè)領(lǐng)域：工業(yè)控制，軍事國防，消費類(lèi)電子產(chǎn)品，網(wǎng)絡(luò )通信等，但大部分領(lǐng)域的應用都是基于國外各大廠(chǎng)商的嵌入式處理器。在嵌入式領(lǐng)域使用國產(chǎn)芯片，走國產(chǎn)化道路已經(jīng)成為一個(gè)迫切需要解決的問(wèn)題。目前國內的芯片主要有星光系列、漢芯系列、神威系列、青鳥(niǎo)嵌入式芯片、方舟系列、龍芯系列等，這些芯片各有自己的特點(diǎn)?！ ”驹O計采用了龍芯系列的GS32I SoC處理器，探討并設計如何構造一個(gè)小型嵌入式硬件系統，同時(shí)兼顧科研與應用兩方面的要求，在該平臺的基礎上可以連接各
- 關(guān)鍵字： GS32I SRAM
使用QDR-IV設計高性能網(wǎng)絡(luò )系統——第三部分
- 在本系列第二部分，我們探討了總線(xiàn)轉換、總線(xiàn)翻轉、地址奇偶校驗等重要的總線(xiàn)問(wèn)題。在第三也是最后一部分，我們將探討校正問(wèn)題，其中包括矯正訓練、控制/地址信號校正和讀寫(xiě)校正，以及糾錯碼(ECC)和QDR-IV存儲器控制器的設計建議?！ ⌒Ｕ柧毿蛄小 〈鎯ζ骺刂破骱蚎DR IV較高的工作頻率意味著(zhù)數據有效窗口很窄。QDR-IV器件支持“校正訓練序列”，它可通過(guò)減少字節通道之間的偏差擴大這個(gè)窗口，從而在控制器讀取存儲器的數據時(shí)，增加時(shí)序余量。校正訓練序列是賽普拉斯的QDR-IV SRAM的
- 關(guān)鍵字： QDR-IV SRAM
使用QDR-IV設計高性能網(wǎng)絡(luò )系統——第二部分
- 總線(xiàn)轉換的注意事項 總線(xiàn)轉換時(shí)間非常重要，其決定了讀和寫(xiě)指令間是否需要額外的間隔來(lái)避免在同一個(gè)I/O 端口上發(fā)生總線(xiàn)沖突?！ ∠胂笙翾DR-IV HP SRAM 中端口A(yíng) 先后收到寫(xiě)指令和讀指令。從CK 信號的上升沿(與初始化寫(xiě)指令周期相對應)算起，在整整三個(gè)時(shí)鐘周期后向DQA 引腳提供寫(xiě)數據。讀數據則將在下一個(gè)周期發(fā)送，因為 DQ從CK 信號的上升沿(與初始化讀指令的周期相應)算起五個(gè)時(shí)鐘周期后才能獲得數據。
- 關(guān)鍵字： QDR-IV SRAM
使用QDR-IV設計高性能網(wǎng)絡(luò )系統——第一部分
- 流媒體視頻、云服務(wù)和移動(dòng)數據推動(dòng)了全球網(wǎng)絡(luò )流量的持續增長(cháng)。為了支持這種增長(cháng)，網(wǎng)絡(luò )系統必須提供更快的線(xiàn)路速率和每秒處理數百萬(wàn)個(gè)數據包的性能。在網(wǎng)絡(luò )系統中，數據包的到達順序是隨機的，且每個(gè)數據包的處理需要好幾個(gè)存儲動(dòng)作。數據包流量需要每秒鐘訪(fǎng)問(wèn)數億萬(wàn)次存儲器，才能在轉發(fā)表中找到路徑或完成數據統計?！ 祿俾逝c隨機存儲器訪(fǎng)問(wèn)速率成正比。如今的網(wǎng)絡(luò )設備需要具有很高的隨機訪(fǎng)問(wèn)速率(RTR)性能和高帶寬才能跟上如今高速增長(cháng)的網(wǎng)絡(luò )流量。其中，RTR是衡量存儲器可以執行的完全隨機存儲(讀或寫(xiě))的次數，即隨機存儲速
- 關(guān)鍵字： QDR-IV SRAM
基于QDR-IV SRAM實(shí)現高性能網(wǎng)絡(luò )系統設計
- 在過(guò)去40年里，隨著(zhù)制造工藝的進(jìn)步，各種專(zhuān)用存儲設備不斷推向市場(chǎng)，滿(mǎn)足著(zhù)不同系統的存儲需求。眾多的選擇，意味著(zhù)系統架構師和設計者可以同時(shí)考慮多種方案，根據應用選擇合適的存儲子系統。尤其是在網(wǎng)絡(luò )應用方面，架構師面臨著(zhù)不斷增加的網(wǎng)絡(luò )流量所帶來(lái)的挑戰?！ 烙?，2015年到2020年期間，網(wǎng)絡(luò )流量的年均復合增長(cháng)率(CAGR)將達到22%，這一增長(cháng)主要來(lái)自于無(wú)線(xiàn)設備的爆炸式增長(cháng)以及不斷增加的視頻用量。由于數據包處理的隨機性，網(wǎng)絡(luò )傳輸的關(guān)鍵—路由器和交換機的性能將和所使用的存儲子系統的隨機存取性能(以隨機存取
- 關(guān)鍵字： MAC SRAM
STM32硬件調試詳解
- STM32的基本系統主要涉及下面幾個(gè)部分： 一、電源 1)、無(wú)論是否使用模擬部分和AD部分，MCU外圍出去VCC和GND，VDDA、VSSA、Vref(如果封裝有該引腳)都必需要連接，不可懸空; 2)、對于每組對應的VDD和GND都應至少放置一個(gè)104的陶瓷電容用于濾波，并接該電容應放置盡量靠近MCU; 3)、用萬(wàn)用表測試供電電壓是否正確。調試時(shí)最好用數字電源供電，以便過(guò)壓或過(guò)流燒壞板子。電壓最好一步一步從進(jìn)線(xiàn)端測試到芯片供電端?！ 《?、復位、啟動(dòng)選擇 1)、Boot引腳與JTAG無(wú)
- 關(guān)鍵字： STM32 SRAM
SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式設計中的作用
- 上世紀90年代中期，英特爾決定把SRAM整合到自己的處理器中，這給世界各地的獨立式SRAM供應商帶來(lái)“滅頂之災”。最大的SRAM市場(chǎng)(PC 高速緩存)一
- 關(guān)鍵字： 可穿戴設備 物聯(lián)網(wǎng) SRAM
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會(huì )消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [ 查看詳細 ]
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