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Zeno開(kāi)發(fā)特殊SRAM 可提升MOS結構效能
- Zeno Semiconductor日前開(kāi)發(fā)出將最小靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)納入單一MOS電晶體技術(shù)，不僅其采用記憶單元(bit-cell)數量變多，存取時(shí)間也可大幅縮短4成?！ 﨓E Times網(wǎng)站報導，Zeno在國際電子零組件會(huì )議(International Electron Devices Meeting)上展示這項新技術(shù)。Zeno執行董事長(cháng)Zvi Or-Bach表示，該技術(shù)之所以讓N型MOS電晶體做為穩定SRAM，主要是透過(guò)采
- 關(guān)鍵字： Zeno SRAM
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