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賽普拉斯最新推出65-nm 36-Mbit 和18-Mbit器件
- RAM業(yè)界的領(lǐng)導者賽普拉斯半導體公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速? (QDR?) 和雙倍速 (DDR) SRAM，這些新產(chǎn)品是其65-nm SRAM 系列產(chǎn)品中的最新成員。這些新的存儲器件完善了業(yè)界最寬的65-nm同步SRAM產(chǎn)品線(xiàn)，最高容量可達144Mbit，速度最快可達550MHz。賽普拉斯擁有專(zhuān)利的工藝技術(shù)最多可將90-nmSRAM的功耗降低50%，引領(lǐng)了“綠色”網(wǎng)絡(luò )架構應用的新潮流。
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基于位線(xiàn)循環(huán)充電SRAM模式的自定時(shí)電路設計
- 隨著(zhù)集成電路的密度和工作頻率按照摩爾定律所描述的那樣持續增長(cháng)，使得高性能和低功耗設計已成為芯片設計的主流。在微處理器和SoC中，存儲器占據了大部分的芯片面積，而且還有持續增加的趨勢。這使存儲器中的字線(xiàn)長(cháng)度和位線(xiàn)長(cháng)度不斷增加，增加了延時(shí)和功耗。因此，研究高速低功耗存儲器的設計技術(shù)對集成電路的發(fā)展具有重要意義。對SRAM存儲器的低功耗設計技術(shù)進(jìn)行研究，在多級位線(xiàn)位SRAM結構及工作原理基礎上，以改善SRAM速度和功耗特性為目的，設計了基于位線(xiàn)循環(huán)充電結構的雙模式自定時(shí)SRAM，其容量為8K×32 b。
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SRAM在網(wǎng)絡(luò )中的應用
- 同步SRAM的傳統應用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實(shí)現算法。在相當長(cháng)的一段時(shí)間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò )中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著(zhù)新存儲技術(shù)的出現，系統設計師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計數器、統
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賽普拉斯推出全球首款32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM
- 賽普拉斯半導體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開(kāi)創(chuàng )業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非?？斓捻憫獣r(shí)間和最小化的封裝尺寸。目標應用領(lǐng)域包括存儲服務(wù)器、交換機和路由器、測試設備、高端安全系統和軍事系統。 CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間可達12ns。器件采用符合RoHS標準的48-B
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分析美光沖得那么快能堅持多久？
- 編者點(diǎn)評：存儲器是半導體業(yè)的風(fēng)向標。它的特點(diǎn)起伏大，幾乎每十年有一次大的變動(dòng)及盈利一年要虧損2-3年。另一個(gè)是反映半導體制造工藝能力水平，通常新建生產(chǎn)線(xiàn)會(huì )采用SRAM工藝來(lái)通線(xiàn)及會(huì )盡可能的采用最先進(jìn)工藝技術(shù)。另外存儲器的產(chǎn)值約占半導體的23%，但其投資會(huì )占到半導體的40-60%。盡管看似供求市場(chǎng)決定它的周期變化, 非常簡(jiǎn)單,然而實(shí)際上操作很難。所以韓，美包括臺灣地區都不會(huì )輕易退出此領(lǐng)域。中國是全球最大的半導體市場(chǎng), 從長(cháng)遠戰略看不該缺席存儲器。 美光公司報道它的季度業(yè)績(jì)由虧損3億美元轉變到盈利9
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瑞薩開(kāi)發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術(shù)
- 瑞薩電子開(kāi)發(fā)出了一種新型SRAM電路技術(shù)，可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現象，還能在維持速度的同時(shí)，以更小的面積實(shí)現合適的工作裕度。以上內容是在半導體電路技術(shù)相關(guān)國際會(huì )議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產(chǎn)品，該公司試制出了bit密度達到業(yè)界最高水平的SRAM，并確認了其工作性能。主要用于實(shí)現40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。 在So
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sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會(huì )消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [ 查看詳細 ]
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