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工程師們心目中那永遠的十款王牌存儲器
- 在如今這工程師漫山遍野的年代，工程師已經(jīng)變得隨處可見(jiàn)、遍地都是，但我相信每個(gè)工程師心目中都有屬于自己的“王牌”器件。如電腦的記憶芯片 - 存儲器，SRAM、DRAM、EEPROM、PLASH、可讀寫(xiě)類(lèi)、只可讀類(lèi)等等。同時(shí)存儲器在我們日常生活中也隨處可見(jiàn)，每人必備的U盤(pán)、硬盤(pán)、光盤(pán)等等，所以作為工程師的我們必須關(guān)注下這十款經(jīng)典的存儲器。下面就為大家帶來(lái)工程師們心目中那永遠的十款“王牌”存儲器。 NO.1：24C16 火熱度：????? 一款非常
- 關(guān)鍵字： 存儲器 SRAM DRAM
全球存儲及觸摸感應領(lǐng)導廠(chǎng)商賽普拉斯簽約世強合力開(kāi)拓中國成長(cháng)型新市場(chǎng)
- 前不久，全球高性能、混合信號、可編程解決方案的領(lǐng)先供應商賽普拉斯(Cypress)簽下中國本土最具實(shí)力的分銷(xiāo)商世強(Sekorm)，由后者負責其全線(xiàn)產(chǎn)品包括PSoC®可編程片上系統器件、觸摸感應解決方案、SRAM和非易失性存儲器、USB控制器等等在中國區的分銷(xiāo)業(yè)務(wù)。 賽普拉斯全球分銷(xiāo)高級總監Kamal Haddad表示很高興找到了值得信賴(lài)的分銷(xiāo)伙伴一起開(kāi)拓市場(chǎng)，中國市場(chǎng)對賽普拉斯非常重要，世強將在開(kāi)拓新市場(chǎng)的同時(shí)，直接支持新的設計，擴展客戶(hù)基礎并建立持續的合作關(guān)系。 賽普拉斯198
- 關(guān)鍵字： Cypress Sekorm PSoC SRAM
基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設計與實(shí)現
- 1 引言 FIFO(First In First Out)是一種具有先進(jìn)先出存儲功能的部件。在高速數字系統當中通常用作數據緩存。在高速數據采集、傳輸和實(shí)時(shí)顯示控制領(lǐng)域中.往往需要對大量數據進(jìn)行快速存儲和讀取，而這種先進(jìn)先出的結構特點(diǎn)很好地適應了這些要求，是傳統RAM無(wú)法達到的。 許多系統都需要大容量FIFO作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個(gè)FIFO芯片級聯(lián)擴展，這往往導致系統結構復雜，成本高。本文分別針對Hynix公司的兩款SRAM和DRAM器件，介紹了使用CPLD進(jìn)行接口連接和編程控制，來(lái)
- 關(guān)鍵字： FIFO SRAM DRAM CPLD
賽普拉斯加強在中國和韓國的分銷(xiāo)力量 增加五家新代理商
- 賽普拉斯半導體公司日前宣布，已經(jīng)與中國及韓國的五家新代理商達成協(xié)議。即日起，中國的大豆科技、世強和利爾達，韓國的HB公司和STC公司將加入賽普拉斯的銷(xiāo)售隊伍。這些分銷(xiāo)合作伙伴將銷(xiāo)售賽普拉斯的全線(xiàn)產(chǎn)品，包括PSoC?可編程片上系統器件、觸摸感應解決方案、SRAM和非易失性存儲器、USB控制器等等?！ ≠惼绽谷蚍咒N(xiāo)高級總監Kamal Haddad說(shuō)：“我們很高興和這些值得信賴(lài)的合作伙伴一起拓展我們的分銷(xiāo)渠道。中國和韓國市場(chǎng)對于賽普拉斯來(lái)說(shuō)非常重要，這五個(gè)合作伙伴將協(xié)助我們將各類(lèi)產(chǎn)品滲透到新增的65個(gè)分
- 關(guān)鍵字： 賽普拉斯 PSoC SRAM
賽普拉斯發(fā)布異步SRAM
- 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場(chǎng)領(lǐng)導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正代碼(ECC)的16Mb快速異步SRAM 已開(kāi)始出樣。片上ECC功能可使新的SRAM具有最高水準的數據可靠性，而無(wú)需另外的錯誤校正芯片，從而簡(jiǎn)化設計并節省電路板空間。該器件可確保工業(yè)、軍事、通訊、數據處理、醫療、消費電子和汽車(chē)等應用領(lǐng)域里的數據安全。 背景輻射造成的軟錯誤可損壞存儲內容，丟失重要數據。賽普拉斯新型異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線(xiàn)執行所有錯誤校正動(dòng)作，無(wú)需用戶(hù)干預，因而具有業(yè)界最佳的軟錯誤(S
- 關(guān)鍵字： 賽普拉斯 SRAM ECC
賽普拉斯推出QDR-IV SRAM用于下一代網(wǎng)絡(luò )設備
- 靜態(tài)隨機存取存儲器市場(chǎng)領(lǐng)導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，量產(chǎn)業(yè)界首款四倍速(QDR?-IV?)SRAM。賽普拉斯的QDR-IV?SRAM有144和72-Megabit?(Mbit)兩種容量，可滿(mǎn)足下一代交換機和路由器的100-400?Gigabit線(xiàn)卡對隨機傳輸速率的要求。賽普拉斯的QDR-IV?SRAM是市場(chǎng)上性能最高的標準網(wǎng)絡(luò )存儲器解決方案?！ τ诓粩嗵嵘木€(xiàn)卡和交換速率來(lái)說(shuō)，RTR(每秒完整隨機存取次數)是存儲器性能的重要指標。提升線(xiàn)卡速率的瓶
- 關(guān)鍵字： 賽普拉斯 SRAM QDR-IV
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應用
- 靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡(jiǎn)稱(chēng)SRAM。在電子設備中，常見(jiàn)的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無(wú)需刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會(huì )消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時(shí)鐘信號，即可保持數據不丟失?！ ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數據總線(xiàn)的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
東芝產(chǎn)出從深度休眠模式快速喚醒的極低泄漏SRAM
- 東芝公司(Toshiba Corporation,TOKYO:6502)今天宣布，該公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出適用于低功耗微控制器備用RAM的極低泄漏65納米靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)，它可以實(shí)現從深度休眠模式快速喚醒。 東芝于2月11日在2014年美國電氣和電子工程師協(xié)會(huì )(IEEE)國際固態(tài)電路會(huì )議上公布了這一進(jìn)展，此次大會(huì )在加州舊金山舉行。 可穿戴式設備、醫療保健工具和智能電表等低功耗系統對較長(cháng)的電池放電時(shí)間存在強勁需求。降低這些系統所使用微控制器的功耗存在許多挑戰，隨著(zhù)工藝的升級換代，泄漏電流的
- 關(guān)鍵字： 東芝 SRAM
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會(huì )消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [ 查看詳細 ]
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