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汽車(chē)TFT彩屏儀表開(kāi)發(fā)技巧

  • 摘要:本文基于飛思卡爾的MPC5606S芯片,介紹了MPC5606S針對TFT彩屏控制的顯示器控制模塊(DCU),且對于TFT彩屏上的各種動(dòng)畫(huà)效果,進(jìn)行逐一解析如何在MPC5606S上實(shí)現。
  • 關(guān)鍵字: MPC5606S  DCU  TFT  汽車(chē)儀表  SRAM  201310  

MPU還是MCU,不是一個(gè)簡(jiǎn)單選擇的問(wèn)題

  • 當為你的下一個(gè)設計方案選擇正確的核心處理器件時(shí),你應該考慮哪些因素呢?本文將對MPU和MCU做些對比分析,并以此對器件的選擇給出一些指導性建議和意見(jiàn)。
  • 關(guān)鍵字: MCU  MPU  ARM  DMIPS  SRAM  

DRAM SRAM SDRAM內存精華問(wèn)題匯總

  • 問(wèn)題1:什么是DRAM、SRAM、SDRAM?  答:名詞解釋如下  DRAM--------動(dòng)態(tài)隨即存取器,需要不斷的刷新,才能保存 ...
  • 關(guān)鍵字: DRAM  SRAM  SDRAM  

基于SRAM的核心路由器交換矩陣輸入端口設計

  • 交換矩陣是核心路由器的重要組成部分,為了避免來(lái)自不同輸入端口的信元同時(shí)發(fā)往同一個(gè)輸出端口,需要在輸入端口設置緩沖區,即輸入排隊交換結構?;陟o態(tài)隨機存儲器完成了交換矩陣輸入端口虛擬輸出隊列(VOQ)的設計,該設計可以降低核心路由器交換芯片的面積,提高輸入端口緩沖區信元的響應速率,并通過(guò)DE-115開(kāi)發(fā)板完成對設計的驗證。
  • 關(guān)鍵字: 交換矩陣  輸入端口  VOQ  SRAM  

東芝開(kāi)發(fā)嵌入式SRAM低功耗技術(shù)智能手機

  •   東芝公司已經(jīng)宣布了一項新的突破,應用于嵌入式硬件的智能手機和移動(dòng)產(chǎn)品市場(chǎng)。東芝公司已經(jīng)宣布成功研究了一個(gè)新的低功耗的嵌入式SRAM技術(shù)。新技術(shù)有望延長(cháng)智能手機和其他設備的電池壽命。東芝表示,新的技術(shù)通過(guò)功率計算器和數字化控制減少設備運行溫度從常溫到高溫時(shí)的損耗,以路的主電源和備用電源的長(cháng)時(shí)間運行。   在25°C,這項新技術(shù)在設備運行時(shí)可節省約85%的損耗,而在設備待機時(shí)間可以節省約27%的的損耗。東芝公司已經(jīng)在2013年在舊金山國際固態(tài)電路會(huì )議上展示這項新技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字: 東芝  嵌入式  SRAM  

基于FPGA的SRAM自測試研究

  • 引言

      SRAM有高速和不用刷新等優(yōu)點(diǎn),被廣泛用于高性能的計算機系統。由于半導體工藝技術(shù)的提高以及存儲系統多方面的需要,存儲器件日益向高速、高集成方向發(fā)展,在使系統功能強大的同時(shí),也增加了系統的復雜性
  • 關(guān)鍵字: FPGA  SRAM  自測試    

基于CMOS圖像傳感器的視頻采集系統設計

  • 提出了一種采用Altera公司CycloneⅡ系列的FPGA作為主控芯片,采用OV7670這款CMOS圖像傳感器作為視頻信號源并采用SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)作為數據緩存的實(shí)用方案,實(shí)現了對圖像傳感器寄存器配置、圖像傳感器輸出信號采集、圖像數據格式轉換、圖像數據緩存及最終在VGA顯示器上進(jìn)行圖像顯示的一系列過(guò)程。該視頻采集系統設計能夠很好地滿(mǎn)足實(shí)時(shí)圖像的輸出需求。
  • 關(guān)鍵字: 視頻采集  OV7670  FPGA  SRAM  VGA  

SRAM外部數據存儲器擴展實(shí)驗

  • 一、實(shí)驗目的1.掌握89C51單片機擴展外RAM的方法2.了解靜態(tài)RAM使用方法二、實(shí)驗說(shuō)明MCS-51型單片機內有1 ...
  • 關(guān)鍵字: SRAM  數據存儲器  擴展實(shí)驗  

賽普拉斯增加了16-Mbit并行nvSRAM和同步NAND接口

  • 賽普拉斯半導體公司(納斯達克股票代碼:CY)日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器 (nvSRAM) 系列,其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開(kāi)放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線(xiàn)控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲器。
  • 關(guān)鍵字: 賽普拉斯  NAND  SRAM  

RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀(guān)測并模擬的方法簡(jiǎn)介

  • 瑞薩電子開(kāi)發(fā)出了對起因于隨機電報噪聲(RTN:Random Telegraph Noise)的SRAM誤操作進(jìn)行觀(guān)測并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響,適當設定針對RTN的設計余度。該公司已在ldquo
  • 關(guān)鍵字: SRAM  RTN  模擬  方法    

Cortex—M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究

  • 引言 目前,對于存儲單元SRAM的研究都是基于硬件電路來(lái)完成,而且這些方法都是運用在生產(chǎn)過(guò)程中,但是生產(chǎn)過(guò)程 ...
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詳解s3c44b0 cpu 8K cache SRAM的初始化

  • 關(guān)于s3c44b0的cpu內部8Kcache SRAM的初始化問(wèn)題。主要是因為cpu_init()調用了icache_enable()函數,而該函數 ...
  • 關(guān)鍵字: s3c44b0  SRAM  初始化  

Microchip推出四款業(yè)內容量最大、速度最快的新器件

  •   Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布,推出四款業(yè)內容量最大、速度最快的新器件,擴展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內首批5V工作的產(chǎn)品,廣泛適用于汽車(chē)和工業(yè)應用。這些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了產(chǎn)品組合的低功耗和小型8引腳封裝,成本較低,10,000片起批量供應。通過(guò)四路SPI或SQI協(xié)議可實(shí)現高達80 Mbps的速度,為卸載圖形、數據緩沖、數據記錄、顯示、數學(xué)、音頻、視頻及其他數據密集型功能提供所需的近乎瞬時(shí)數據傳送及零寫(xiě)入時(shí)間。   
  • 關(guān)鍵字: Microchip  SRAM  

SoC用低電壓SRAM技術(shù)介紹

  • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,發(fā)布了采用09年開(kāi)始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類(lèi)產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過(guò)控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化,可抑
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采用FPGA與SRAM的大容量數據存儲的設計

  • 采用FPGA與SRAM的大容量數據存儲的設計,1 前言 針對FPGA中內部BlockRAM有限的缺點(diǎn),提出了將FPGA與外部SRAM相結合來(lái)改進(jìn)設計的方法,并給出了部分VHDL程序?! ? 硬件設計  這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61LV
  • 關(guān)鍵字: 存儲  設計  數據  大容量  FPGA  SRAM  采用  
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sram介紹

  SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě),它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路,每隔一段時(shí)間,固定要對DRAM刷新充電一次,否則內部的數據即會(huì )消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [ 查看詳細 ]

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