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賽普拉斯推出帶四個(gè)串行外設接口的1Mb nvSRAM，針對需要掉電時(shí)進(jìn)行高可靠性數據保存的大數據吞吐量應用
- 賽普拉斯半導體公司今天宣布推出一款具有四個(gè)串行外設接口(SPI)的1Mb 非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)。 這一新款nvSRAM的四個(gè)SPI接口使得該器件可以在尺寸更小的情況下，超越尺寸更大的并行接口器件的數據吞吐量。該款nvSRAM可為RAID存儲設備、工業(yè)自動(dòng)化、計算和網(wǎng)絡(luò )應用在掉電時(shí)，無(wú)需電池即可保存大吞吐量的數據。 四SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高時(shí)鐘頻率為108MHz，其性能超過(guò)了并行接口(x8 IO 寬度, 45-ns 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間)器件。該nvS
- 關(guān)鍵字： 賽普拉斯 nvSRAM
賽普拉斯擴充業(yè)界領(lǐng)先的非易失性RAM產(chǎn)品發(fā)布全新16Mb并行nvSRAM系列
- 賽普拉斯半導體公司日前宣布推出一系列16Mb非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)，包括具有異步并行和異步開(kāi)放式NAND閃存接口(ONFI)標準1.0接口的器件.。這一16 Mb nvSRAM系列擴展了賽普拉斯的產(chǎn)品線(xiàn)，以滿(mǎn)足高端可編程邏輯控制器(PLC)、存儲設備中的高速數據/錯誤日志記錄器、網(wǎng)絡(luò )設備、航空電子系統以及電子游戲機等關(guān)鍵任務(wù)應用的需求。 16 Mb nvSRAM是市場(chǎng)上最快的高容量異步非易失性RAM，存取時(shí)間可低至25 ns。賽普拉斯的新器件可選擇集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)，
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Cypress推出1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器
- 賽普拉斯半導體日前宣布推出一款1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)系列，以及新的擁有集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM。 賽普拉斯的nvSRAM是基于其S8? 0.13-微米 SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)嵌入式非易失性存儲器技術(shù)，能達到更大的密度并改善存取時(shí)間和性能。nvSRAM對于要求絕對數據非易失安全性的應用來(lái)說(shuō)是理想的選擇，如RAID系統、工業(yè)控制和自動(dòng)化(如PLC，
- 關(guān)鍵字： Cypress nvSRAM 嵌入式非易失性存儲器
賽普拉斯推出2Mbit和8Mbit nvSRAM
- 日前，賽普拉斯半導體公司宣布推出 2 Mbit 和 8 Mbit 非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（nvSRAM），進(jìn)一步豐富了公司旗下從 16 Kbit 到 8 Mbit 的nvSRAM 產(chǎn)品系列。該新型產(chǎn)品的存取時(shí)間短至 20 納秒，支持無(wú)限次的讀寫(xiě)與調用循環(huán)，而且數據能保存 20 年之久。nvSRAM 為需要持續高速寫(xiě)入數據和絕對非易失性數據安全的應用提供了最佳解決方案，因此成為了服務(wù)器、RAID 應用、惡劣環(huán)境下的工業(yè)控制、汽車(chē)、醫療以及數據通信等領(lǐng)域的理想選擇。 CY14B102 2 Mbi
- 關(guān)鍵字： 賽普拉斯 nvSRAM EEPROM 存儲器
新一代非易失性存儲器——NVSRAM的原理和應用
- 摘要： 本文介紹了針對高端存儲應用的最新非易失性存儲器NVSRAM?？梢愿鶕靡笠约肮δ苄枰x擇最佳的非易失性存儲器架構。關(guān)鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM 概述眾所周知，在非易失性存儲器領(lǐng)域，市場(chǎng)熱度節節攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫(xiě)，即為非易失性SRAM。本文將比較各類(lèi)非易失性存儲器，并介紹NVSRAM的特點(diǎn)和優(yōu)勢， NVSRAM 的應用以及工作方式。 非易失性存儲器應用
- 關(guān)鍵字： 0701_A NVSRAM SRAM 消費電子 雜志_技術(shù)長(cháng)廊 存儲器 消費電子
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