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東芝發(fā)布40nm工藝SoC用低電壓SRAM技術(shù)
- 東芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15～17日，美國夏威夷州檀香山)上，發(fā)布了采用09年開(kāi)始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類(lèi)產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過(guò)控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑制SRAM的最小驅動(dòng)電壓上升。東芝此次證實(shí)，單元面積僅為0.24μm2的32Mbit SRAM的驅動(dòng)電壓可在確保95%以上成品率的情況下降至0.9V。因此，低功耗SoC的驅動(dòng)電壓可從65n
- 關(guān)鍵字： 東芝 40nm SoC SRAM
賽普拉斯推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM
- 賽普拉斯半導體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開(kāi)創(chuàng )業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非?？斓捻憫獣r(shí)間和最小化的封裝尺寸。目標應用領(lǐng)域包括存儲服務(wù)器、交換機和路由器、測試設備、高端安全系統和軍事系統。 CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間可達12ns。器件采用符合RoHS標準的48
- 關(guān)鍵字： Cypress SRAM
Maxim推出具有無(wú)痕跡存儲器和篡改檢測功能的安全管理器
- Maxim推出帶有1024字節無(wú)痕跡存儲器的安全管理器DS3644，可安全存儲敏感數據。器件內部的篡改監測器能夠有效抵御時(shí)鐘、電信號和溫度篡改事件，還可將篡改檢測輸入連接至外部傳感器，實(shí)現靈活的定制特性。片內無(wú)痕跡存儲器允許終端用戶(hù)在發(fā)生特定篡改事件時(shí)有選擇地清除存儲器數據。這種具有專(zhuān)利保護的存儲器架構*能夠確保在發(fā)生篡改事件時(shí)立即擦除數據，從而提高了基于SRAM存儲器的系統安全等級。DS3644能夠滿(mǎn)足政府設施、軍事系統等高安全等級應用的要求，適用于需要監測多種篡改操作的系統。 DS3644能
- 關(guān)鍵字： Maxim 存儲器 SRAM DS3644
MIPS和Virage Logic結成合作伙伴提供優(yōu)化嵌入式內存IP
- 為數字消費、家庭網(wǎng)絡(luò )、無(wú)線(xiàn)、通信和商業(yè)應用提供業(yè)界標準處理器架構與內核的領(lǐng)導廠(chǎng)商美普思科技公司和備受半導體業(yè)界信賴(lài)的IP伙伴Virage Logic 共同宣布，雙方將結成合作伙伴關(guān)系為兩家公司的共同客戶(hù)提供優(yōu)化嵌入式內存IP。Virage 的Logic ASAP 90nm SRAM內存實(shí)體(memory instance)以及 SiWareTM 65GP高密度SRAM編譯器(SRAM compiler) 系列產(chǎn)品專(zhuān)為MIPS32處理器而優(yōu)化，以協(xié)助客戶(hù)加速為藍光DVD、HDTV、IPTV、機頂盒和寬帶
- 關(guān)鍵字： MIPS SRAM 嵌入式內存
TPACK與Cypress聯(lián)手為以太網(wǎng)交換和流量管理提供參考設計
- SRAM行業(yè)的領(lǐng)導者賽普拉斯，與領(lǐng)先的核心數據傳輸及交換功能IC的供應商TPACK日前聯(lián)合宣布，為超高速以太網(wǎng)交換和排隊管理應用推出一款參考設計。全新的Springbank參考設計結合了TPACK的 TPX4004高容量集成包處理器和流量管理器，以及賽普拉斯的CY7C15632KV18 72-Mbit Quad Data Rate™II+ (QDR™II+)SRAM，從而能提供最快的速度，并且未來(lái)升級非常簡(jiǎn)單。TPACK參考設計還提供對各類(lèi)FPGA的便捷接口，擁有強大的應用支持
- 關(guān)鍵字： Cypress SRAM 65nm
為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標
- 存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業(yè)中經(jīng)常分成兩類(lèi)，DRAM及閃存類(lèi)。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應用市場(chǎng)面寬，使其半導體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱(chēng)它為半導體業(yè)的風(fēng)向標。 縱觀(guān)DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠(chǎng)退出，表示循環(huán)的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢(mèng)達最先退出。奇夢(mèng)達的退出使市場(chǎng)少了10萬(wàn)片的月產(chǎn)能。 在全球硅片尺寸轉移中，存儲器也是走在前列，如
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM NAND NOR SRAM
賽普拉斯推出業(yè)界首款65納米144-Mbit SRAM
- SRAM行業(yè)的領(lǐng)先者賽普拉斯半導體公司日前推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲器采用65納米工藝技術(shù)，由臺灣聯(lián)華電子(UMC)的芯片工廠(chǎng)代工生產(chǎn)。該產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最快的時(shí)鐘，速率可達550MHz，在36-bit I/O寬度的QDRII+器件中，整體數據率達到80 Gbps，并且其功耗只有采用90納米工藝的SRAM器件的一半。這些產(chǎn)品是諸如互聯(lián)網(wǎng)核心與邊
- 關(guān)鍵字： Cypress 65納米 SRAM
便攜消費市場(chǎng)FPGA正部分取代ASIC
- 傳統型FPGA基本具備高性能、傳輸速度快的特點(diǎn)，因此這些產(chǎn)品都具有DSP(數字信號處理)和高速傳輸I/O接口。它們主要滿(mǎn)足基站、工控、醫療等市場(chǎng)對高速產(chǎn)品的需求。SiliconBlue的產(chǎn)品定位與上述傳統型FPGA不同。我們強調生產(chǎn)針對便攜消費電子市場(chǎng)的低功耗產(chǎn)品。 傳統的FPGA企業(yè)在低功耗市場(chǎng)上推出的都是密度非常小的器件，只能滿(mǎn)足非常簡(jiǎn)單的邏輯應用，而且即使他們在這方面有系列產(chǎn)品，產(chǎn)品線(xiàn)相對來(lái)說(shuō)仍然不很完整。而SiliconBlue看準這一市場(chǎng)，提供完整的產(chǎn)品線(xiàn)。 市場(chǎng)上一些新興FPG
- 關(guān)鍵字： FPGA DSP 65納米 SRAM
臺積電28納米SRAM良率突破
- 臺積電24日宣布率業(yè)界之先，不但達成28納米64Mb SRAM試產(chǎn)良率，而且分別在28納米高效能高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱(chēng)28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱(chēng)28HPL)與低耗電氮氧化硅(簡(jiǎn)稱(chēng)28LP)等28納米全系列工藝驗證均完成相同的良率。 臺積電研究發(fā)展副總經(jīng)理孫元成博士表示：“所有三種28納米系列工藝皆已由64Mb SRAM芯片完成良率驗證，是一項傲人的成就。更值得一提的是，此項成果亦展現我們兩項高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)工藝采用gate-last
- 關(guān)鍵字： 臺積電 28納米 SRAM
全球首個(gè)22納米節點(diǎn)靜態(tài)存儲單元研制成功
- 美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)等機構共同宣布，世界上首個(gè)22納米節點(diǎn)靜態(tài)存儲單元(SRAM)研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設備環(huán)境下，制造出有效存儲單元。 22納米節點(diǎn)靜態(tài)存儲單元SRAM芯片是更復雜的設備，比如微處理器的“先驅”。SRAM單元的尺寸更是半導體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)指標。最新的SRAM單元利用傳統的六晶體管設計，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。 新的研究工作是在紐
- 關(guān)鍵字： IBM SRAM 22納米 32納米
瑞薩推出高速SRAM*1產(chǎn)品系列
- 瑞薩科技公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩”)宣布推出面向新一代通信網(wǎng)絡(luò )內高端路由器和交換機使用的高速SRAM*1產(chǎn)品系列。這些SRAM產(chǎn)品不僅符合QDR聯(lián)盟*2行業(yè)標準要求，還實(shí)現了72Mb四倍數據速率II+(QDRTM II+)和雙數據速率II+(DDRII+)的業(yè)內最高工作速度，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件。整個(gè)器件系列(具有多種速度和配置)將于2009年8月在日本開(kāi)始陸續進(jìn)行銷(xiāo)售。 新產(chǎn)品特性如下： (1) 業(yè)內最高的工作速度：533 MHz(Q
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 SRAM DDRII
臺積電率先推出28納米低耗電平臺
- 臺灣積體電路制造股份有限公司今(17)日宣布領(lǐng)先專(zhuān)業(yè)積體電路制造服務(wù)領(lǐng)域，成功開(kāi)發(fā)28納米低耗電技術(shù)，同時(shí)配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)工藝，將32納米工藝所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米工藝，使得半導體可以持續往先進(jìn)工藝技術(shù)推進(jìn)。此一工藝技術(shù)的優(yōu)勢還包括高密度與低Vcc_min六電晶體靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)元件、低漏電電晶體、已通過(guò)驗證的傳統類(lèi)比/射頻/電子熔線(xiàn)(analog
- 關(guān)鍵字： 臺積電 SRAM 28納米 低耗電 氮氧化硅 多晶硅
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會(huì )消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [ 查看詳細 ]
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