賽普拉斯的異步SRAM系列又添新丁，具有片上錯誤校正碼的4Mb器件橫空出世

　　靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場(chǎng)領(lǐng)導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正碼(ECC)的4Mb異步SRAM正在出樣。這些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的數據可靠性，而無(wú)需額外的錯誤校正芯片，從而簡(jiǎn)化了設計，并縮小了電路板尺寸。該器件可在工業(yè)、軍事、通訊、數據處理、醫療、消費及汽車(chē)等應用中確保數據的可靠性。

　　由背景輻射引起的軟錯誤可損壞存儲器中的內容，造成重要數據的遺失。賽普拉斯新型異步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線(xiàn)執行所有的錯誤校正功能，而無(wú)需用戶(hù)干預，能達到業(yè)界最佳的小于0.1 FIT/Mb的軟錯誤率(SER)性能(一個(gè)FIT等于器件每工作十億小時(shí)發(fā)生一次錯誤)。這些新款器件與現有的快速異步和低功耗SRAM管腳兼容，客戶(hù)無(wú)需改變電路板設計，即可提高系統的可靠性。這些4Mb SRAM還有可選的錯誤指示信號，可指示單比特錯誤的校正。

　　賽普拉斯異步SRAM業(yè)務(wù)部高級總監Sunil Thamaran說(shuō)：“去年我們推出了首款具有片上ECC功能的16Mb異步SRAM，客戶(hù)反響強烈。增加一款不同容量的產(chǎn)品，可使片上ECC技術(shù)造福于更多的應用。賽普拉斯一直致力于開(kāi)發(fā)新的SRAM技術(shù)，為客戶(hù)更好地服務(wù)，同時(shí)鞏固我們在市場(chǎng)中不可撼動(dòng)的領(lǐng)導地位。”

　　賽普拉斯4Mb異步SRAM有三款可選——快速4Mb SRAM、MoBL(更長(cháng)電池壽命)4Mb SRAM、帶PowerSnooze™功能的快速4Mb SRAM(附加深度睡眠節能模式，該模式下最大電流僅為15 uA)。每款均為業(yè)界標準的x8或x16配置。這些器件可在多種電壓下工作(1.8V、3V和5V)，溫度范圍是-40°C 到 +85°C(工業(yè)級)和-40°C 到 +125°C(汽車(chē)E級)。

　　供貨情況

　　這些新款SRAM的工業(yè)級溫度范圍產(chǎn)品目前正在出樣，預計2015年7月量產(chǎn)。封裝方式為符合RoHS標準的32-pin SOIC、32-pin TSOP II、36-pin SOJ、44-pin SOJ、44-pin TSOP II 以及 48-ball VFBGA。