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SoC低電壓SRAM技術(shù)介紹

  • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,發(fā)布了采用09年開(kāi)始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類(lèi)產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過(guò)控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化,可抑
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SRAM在網(wǎng)絡(luò )中的應用分析

  • 同步SRAM的傳統應用領(lǐng)域是搜索引擎,用于實(shí)現算法。在相當長(cháng)的一段時(shí)間里,這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò )中發(fā)揮的主要作用。然而,隨著(zhù)新存儲技術(shù)的出現,系統設計師為SRAM找到了新的用武之地,如:NetFlow(網(wǎng)流)、計數器、統計、
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基于SRAM的FPGA配置數據存儲方式解析方案

  • 1.引言由于FPGA 良好的可編程性和優(yōu)越的性能表現,當前采用FPGA 芯片的嵌入式系統數量呈現迅速增加的趨勢,特別是在需要進(jìn)行大規模運算的通信領(lǐng)域。目前FPGA 配置數據一般使用基于SRAM 的存儲方式,掉電后數據消失,
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基于SRAM工藝FPGA的加密方法介紹

  • 在現代電子系統設計中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性,而得到了廣泛的應用。由于大規模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對FPGA器件進(jìn)行重配置,這就使得可以通過(guò)監視配置
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嵌入式系統應用中NV SRAM存儲器的應用

  • 嵌入式系統應用中NV SRAM存儲器的應用,傳統方案中常常采用EPROM、EEPROM和Flash存儲程序,NVSRAM具有高速存取時(shí)間和與SRAM相同的接口,因而可用于存儲程序。本文介紹NVSRAM如何與基于程序和數據存儲的微處理器進(jìn)行接口,并說(shuō)明選用NVSRAM與現有的其它非易
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DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

  • DS1265W 8Mb非易失(NV)SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電 ...
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DS1250 4096k、非易失SRAM

  • DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自 ...
  • 關(guān)鍵字: DS1250  4096k  SRAM  

DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

  • DS1250W 3.3V 4096k NVSRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰 ...
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一種基于MCU內部Flash的在線(xiàn)仿真器設計方法

SoC用低電壓SRAM技術(shù)

  • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,發(fā)布了采用09年開(kāi)始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類(lèi)產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過(guò)控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化,可抑
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Linux下ColdFire片內SRAM的應用程序優(yōu)化設計

  • Linux下ColdFire片內SRAM的應用程序優(yōu)化設計,本文以MP3解碼器為例,介紹了一種在嵌入式Linux系統下配置使用處理器片內SRAM的應用方案,有效提高了代碼的解碼效率,降低了執行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。1 硬件平臺和軟件架構硬件平臺采
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使用新SRAM工藝實(shí)現嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計

  • 使用新SRAM工藝實(shí)現嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計,基于傳統六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實(shí)現的開(kāi)發(fā)人員所采用的利器,因為這種存儲器結構非常適合主流的CMOS工藝流程,不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣
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基于FPGA與外部SRAM的大容量數據存儲

  • 1引言我們將針對FPGA中內部BlockRAM有限的缺點(diǎn),提出了將FPGA與外部SRAM相結合來(lái)改進(jìn)設計的方法,并給出...
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富士通與SuVolta展示其SRAM可在0.4伏低壓下工作

  •   富士通半導體有限公司和SuVolta公司宣布,通過(guò)將SuVolta的PowerShrink 低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術(shù)集成,已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下,SRAM(靜態(tài)隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術(shù)降低能耗,為即將出現的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細節和結果會(huì )在12月5日開(kāi)始在華盛頓召開(kāi)的2011年國際電子器件會(huì )議(IEDM)上發(fā)表。   從移動(dòng)電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務(wù)器,以及網(wǎng)絡(luò )設備,控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應電
  • 關(guān)鍵字: 富士通  SRAM  

富士通和SuVolta展示低電壓工作的SRAM模塊

  •   富士通半導體和SuVolta宣布,通過(guò)將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術(shù)集成,已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下,SRAM(靜態(tài)隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術(shù)降低能耗,為即將出現的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細節和結果將會(huì )在12月5日開(kāi)始在華盛頓召開(kāi)的2011年國際電子器件會(huì )議(IEDM)上發(fā)表。   從移動(dòng)電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務(wù)器,以及網(wǎng)絡(luò )設備,控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應電壓又是決定功耗的重要因素
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sram介紹

  SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě),它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路,每隔一段時(shí)間,固定要對DRAM刷新充電一次,否則內部的數據即會(huì )消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [ 查看詳細 ]

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