富士電機擬擴增SiC功率半導體產(chǎn)線(xiàn)

　　富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長(cháng)野縣的松元制作所增設一條產(chǎn)線(xiàn)，此為該公司首次在自家工廠(chǎng)設置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線(xiàn)，未來(lái)預計在2012年春季開(kāi)始量產(chǎn)。

　　富士電機將在近期內決定生產(chǎn)規模，外界預估投資額將可達到數10億日圓，此產(chǎn)線(xiàn)利用二極管及碳化硅制作出功率半導體，并整合絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor;IGBT)，以模塊方式提供給工業(yè)用機器。

　　在此之前，富士電機已然與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所合作于該研究所的茨城事業(yè)所生產(chǎn)碳化硅功率半導體的試作品，今后透過(guò)自家公廠(chǎng)產(chǎn)線(xiàn)，富士電機計劃正式進(jìn)行量產(chǎn)。

　　富士電機于2011年會(huì )計年度(2010年4月~2011年3月)對功率半導體的投資額高達185億日圓(約2.4億美元)，約占該公司總投資額的一半。

　　碳化硅功率半導體為變頻器(Inverter)中一重要零組件，主要用于控制馬達轉速，近期以來(lái)因其省電效果而受到矚目。使用硅為原料的功率半導體因性能已然難以提升，故電力損失可減半的碳化硅功率半導體，可望于2015年成為市場(chǎng)主流。

　　根據野村證券金融經(jīng)濟研究所的預估，功率半導體市場(chǎng)規模將在2013年，達到165億日圓，較2009年增加64%。盡管關(guān)于碳化硅功率半導體的市場(chǎng)預估仍然不多，但業(yè)界估計，碳化硅功率半導體市場(chǎng)將可在2019年達到8億美元規模，較2010年增加達30倍。

　　為因應未來(lái)市場(chǎng)需求，日本多家廠(chǎng)商已然陸續整頓生產(chǎn)體制，先有Rohm于2010年，后有三菱電機于2011年初量產(chǎn)碳化硅功率半導體。海外方面也有德國Infineon Technologies、意法半導體(STMicroelectronics)等公司，投入碳化硅功率半導體市場(chǎng)。