“十三五”期間，功率半導體產(chǎn)業(yè)應有怎樣的路線(xiàn)圖？

　　如果說(shuō)中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實(shí)現對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來(lái)十年產(chǎn)業(yè)轉型升級的整體方向與發(fā)展規劃，在此過(guò)程中，功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。

　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進(jìn)水平也存在著(zhù)巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較，其實(shí)如果按比例計算，我國功率半導體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著(zhù)“節能減排”、“開(kāi)發(fā)綠色新能源”成為我國長(cháng)期發(fā)展的基本國策，通過(guò)“互聯(lián)網(wǎng)+”推進(jìn)信息化與工業(yè)化深度融合成為既定任務(wù)，加快發(fā)展功率半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為當務(wù)之急。

　　針對我國當前功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況以及2016年~2020年以功率半導體為核心的電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)，中國寬禁帶功率半導體及應用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中國IGBT技術(shù)創(chuàng )新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中國電器工業(yè)協(xié)會(huì )電力電子分會(huì )、北京電力電子學(xué)會(huì )共同發(fā)布《電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍皮書(shū)》(以下簡(jiǎn)稱(chēng)《藍皮書(shū)》)?！端{皮書(shū)》指出，電力電子器件產(chǎn)業(yè)主要是核心的電力電子芯片和封裝的生產(chǎn)，但也離不開(kāi)半導體和電子材料、關(guān)鍵零部件、制造設備、檢測設備等產(chǎn)業(yè)的支撐，其發(fā)展既需要上游基礎的材料產(chǎn)業(yè)的支持，又需要下游裝置產(chǎn)業(yè)的拉動(dòng)。

　　做強功率半導體，推進(jìn)《中國制造2025》

　　作為半導體產(chǎn)業(yè)的一大分支，與集成電路相仿，功率半導體的作用同樣巨大?！端{皮書(shū)》指出，電力電子器件是采用半導體材料制造、用于實(shí)現電能高效轉換的開(kāi)關(guān)控制電子器件，包括功率半導體分立器件、模塊和組件等。它們是實(shí)現對電能高效產(chǎn)生、傳輸、轉換、存儲和控制，提高能源利用效率、開(kāi)發(fā)可再生能源，推動(dòng)國民經(jīng)濟可持續發(fā)展的基礎。

　　近年來(lái)，“節能減排”、“開(kāi)發(fā)綠色新能源”已成為我國長(cháng)期發(fā)展的基本國策。在我國綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動(dòng)下，功率半導體已經(jīng)成為建設節約型社會(huì )、促進(jìn)國民經(jīng)濟發(fā)展、踐行創(chuàng )新驅動(dòng)發(fā)展戰略的重要支撐。此外，功率半導體不僅涉及電力電子器件、電力電子裝置、系統控制及其在各個(gè)行業(yè)的應用，還涉及相關(guān)的半導體材料、電工材料、關(guān)鍵結構件、散熱裝置、生產(chǎn)設備、檢測設備等產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)業(yè)鏈長(cháng)、產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)作用巨大，在推進(jìn)實(shí)施《中國制造2025》規劃中具有重大意義，對深入推進(jìn)制造業(yè)結構調整和企業(yè)技術(shù)改造，實(shí)施中國制造強國建設“三步走”的發(fā)展戰略提供強大的支撐。

　　正是由于電力電子器件的巨大作用，已經(jīng)形成一個(gè)龐大的市場(chǎng)需求和產(chǎn)業(yè)規模?！端{皮書(shū)》數據顯示，2013年國際電力電子器件市場(chǎng)容量已接近1千億美元，而且市場(chǎng)年平均增長(cháng)速度在15%左右。“十二五”以來(lái)，我國電力電子器件市場(chǎng)在全球市場(chǎng)中所占份額就越來(lái)越大，已成為全球最大的大功率電力電子器件需求市場(chǎng)。我國市場(chǎng)的增長(cháng)速度高于全球水平，年增長(cháng)率近20%。

　　國際大廠(chǎng)主導產(chǎn)業(yè)，中國功率半導體亟需做強

　　《藍皮書(shū)》同時(shí)指出，雖然功率半導體產(chǎn)業(yè)極具重要性，且規模龐大，但是主要供應商集中在美國、日本和歐洲。美國是電力電子器件的發(fā)源地，在全球電力電子器件市場(chǎng)中占有重要地位，主要器件企業(yè)有通用電氣(GE)、ONSemi等。從上世紀90年代開(kāi)始，日本成為國際上電力電子器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)達地區，主要器件企業(yè)有東芝、富士和三菱等。歐洲也是全球電力電子器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)達地區，主要企業(yè)有英飛凌、ABB、Semikron等。國際上SiC電力電子器件的主要供應商有Wolfspeed、英飛凌、羅姆、東芝、富士和三菱等公司;國際上GaN電力電子器件的主要企業(yè)有英飛凌、松下、富士通、三星、Transphom、GaNSystem、EPC、Avogy等。

　　從技術(shù)角度看，在超大功率(電壓3.3kV以上、容量1～45MW)領(lǐng)域。目前，國際上6英寸8.5kV/5kA晶閘管已商品化。瑞士ABB等公司開(kāi)發(fā)了非對稱(chēng)型、逆導型和逆阻型IGCT的產(chǎn)品，研發(fā)水平已達到9kV/6kA，商業(yè)化產(chǎn)品有4.5kV和6kV兩種系列，其中6.5kV/6kA的IGCT產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始供應市場(chǎng)。

　　在中大功率領(lǐng)域(電壓1200V～6.5kV)，IGBT是市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品。IGBT器件(包括大功率模塊、智能功率模塊)已經(jīng)涵蓋了300V～6.5kV的電壓和2A～3600A的電流。近年來(lái)，以德國英飛凌，瑞士ABB，日本三菱、東芝和富士等為代表的電力電子器件企業(yè)開(kāi)發(fā)了先進(jìn)的IGBT技術(shù)和產(chǎn)品，占全球每年約50億美元的市場(chǎng)，帶動(dòng)了高達幾百億美元的電力電子設備市場(chǎng)。

　　SiC是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導體材料，已經(jīng)形成了全球的材料、器件和應用產(chǎn)業(yè)鏈。GaN是另一種重要的寬禁帶半導體材料。它具有獨特的異質(zhì)結構和二維電子氣，在此基礎上研制的高電子遷移率晶體管(HEMT)是一種平面型器件，可以實(shí)現低導通電阻、高開(kāi)關(guān)速度的優(yōu)良特性。以SiC和GaN材料為代表的寬禁帶半導體材料和器件產(chǎn)業(yè)已成為高科技領(lǐng)域中的戰略性產(chǎn)業(yè)，國際領(lǐng)先企業(yè)已經(jīng)開(kāi)始部署市場(chǎng)，全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級已經(jīng)開(kāi)始。

　　在專(zhuān)利方面，2001～2010年間，全球電力電子器件行業(yè)專(zhuān)利申請量處于穩步增長(cháng)階段，每年的全球專(zhuān)利申請量都在1500項左右，器件類(lèi)型以MOSFET和IGBT為主，申請量占比達到67%。國際上電力電子器件的專(zhuān)利集中于國際大型公司，全球專(zhuān)利申請量居前5位的分別是東芝、NEC、日立、三菱、富士，均是日本公司，歐洲和美國的GE、英飛凌、西門(mén)子、ABB等歐美企業(yè)也在該領(lǐng)域申請了大量專(zhuān)利。

　　綜合而言，我國寬禁帶電力電子器件技術(shù)和產(chǎn)業(yè)水平還落后于國際先進(jìn)水平。以IGBT為例，我國IGBT芯片的進(jìn)口率居高不下，主要市場(chǎng)仍然被國外企業(yè)所主導，嚴重阻礙了我國獨立自主IGBT器件產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。

　　打造完整產(chǎn)業(yè)鏈，制訂技術(shù)路線(xiàn)圖

　　2013年，我國的電力電子器件市場(chǎng)總額近2000億元，由此直接帶動(dòng)的電力電子裝置產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)超過(guò)2萬(wàn)億元。中國電器工業(yè)協(xié)會(huì )電力電子分會(huì )預測，隨著(zhù)新能源革命的推動(dòng)，我國電力電子器件產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)10～20年的黃金發(fā)展期，將保持較高的增長(cháng)態(tài)勢，并在投資增量需求與節能環(huán)境需求的雙重推動(dòng)，以及下游電力電子裝置行業(yè)需求高速發(fā)展的拉動(dòng)下，我國電力電子器件市場(chǎng)到2020年預計將超過(guò)5000億元。在此情況下，發(fā)展自主安全可控的功率半導體產(chǎn)業(yè)是當務(wù)之急。

　　對此，《藍皮書(shū)》指出，電力電子器件產(chǎn)業(yè)主要是核心的電力電子芯片和封裝的生產(chǎn)，但也離不開(kāi)半導體和電子材料、關(guān)鍵零部件、制造設備、檢測設備等產(chǎn)業(yè)的支撐，其發(fā)展既需要上游基礎的材料產(chǎn)業(yè)的支持，又需要下游裝置產(chǎn)業(yè)的拉動(dòng)，其產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有投資大、周期較長(cháng)的特點(diǎn)。

　　“十三五”期間，我國功率半導體為重點(diǎn)的電力電子產(chǎn)業(yè)應當以什么樣的一幅路線(xiàn)圖進(jìn)行發(fā)展?《藍皮書(shū)》建議，2016～2020年，在以下技術(shù)和產(chǎn)業(yè)進(jìn)行重點(diǎn)布局，并制定關(guān)鍵材料和關(guān)鍵器件的相關(guān)技術(shù)標準。其中，近期發(fā)展目標可制訂為：在硅基電力電子器件用8英寸高阻區熔中照硅單晶圓片，IGBT封裝用平板全壓接多臺架精密陶瓷結構件、氮化鋁覆銅板、鋁-碳化硅散熱基板，6英寸碳化硅單晶及外延材料，6英寸～8英寸硅基GaN外延材料和4～6英寸碳化硅基GaN外延材料、SiC和GaN耐高溫(>300oC)封裝材料等關(guān)鍵材料方面形成生產(chǎn)能力;關(guān)鍵電力電子器件方面，硅基IGBT芯片、模塊以及硅基MOSFET、FRD的國內市場(chǎng)占有率達到一定的份額，形成中低壓SiC功率二極管、JFET和MOSFET以及低壓GaN功率器件等器件生產(chǎn)能力，開(kāi)發(fā)相應功率模塊。2020年發(fā)展目標為：在關(guān)鍵材料方面，形成硅基電力電子器件所需全部材料、碳化硅6英寸單晶和厚外延材料、6～8英寸硅基GaN外延材料和4～6英寸碳化硅基GaN外延材料、SiC和GaN電力電子器件所需高溫(>300oC)封裝材料等的生產(chǎn)能力，并建立相應標準體系和專(zhuān)利保護機制;在關(guān)鍵電力電子器件方面，硅基IGBT、MOSFET、FRD形成系列化產(chǎn)品，綜合性能達到國際先進(jìn)水平，SiC二極管、晶體管及其模塊產(chǎn)品和GaN器件產(chǎn)品具有國際競爭力。