EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
sic fet
sic fet 文章 進(jìn)入sic fet技術(shù)社區
碳化硅發(fā)展勢頭強 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng )新浪潮
- 近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢，現在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET，值此機會(huì )，電子產(chǎn)品世界訪(fǎng)問(wèn)了英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部大中華區開(kāi)關(guān)電源應用高級市場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部,大中華區,開(kāi)關(guān)電源應用,高級市場(chǎng)經(jīng)理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件，它的出現使一些以前硅材料很難被應用的電源轉換結構，例如電流連續
- 關(guān)鍵字： SiC UPS
ROHM的SiC功率元器件被應用于UAES的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應用于中國汽車(chē)行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“UAES公司”）的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器（On Board Charger，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“OBC”）。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車(chē)制造商供應該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
- 關(guān)鍵字： OBC SiC MOSFET
安森美半導體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應用
- 近日，推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個(gè)碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長(cháng)應用，包括太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)（EV）車(chē)載充電、不間斷電源（UPS）、服務(wù)器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無(wú)法實(shí)現的。安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性?？焖俦菊鞫?/li>
- 關(guān)鍵字： SiC WBG
CISSOID宣布推出用于電動(dòng)汽車(chē)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID近日宣布，將繼續致力于應對汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)的挑戰，并推出用于電動(dòng)汽車(chē)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案，即整合了內置柵極驅動(dòng)器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個(gè)全新的可擴展平臺同時(shí)優(yōu)化了功率開(kāi)關(guān)的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制，對于電動(dòng)汽車(chē)（EV）整車(chē)廠(chǎng)和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現更高效、更簡(jiǎn)潔電機驅動(dòng)的電動(dòng)機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。該可擴展
- 關(guān)鍵字： SiC IPM
電機的應用趨勢及控制解決方案
- 顧偉俊? （羅姆半導體（上海）有限公司?技術(shù)中心?現場(chǎng)應用工程師）摘? 要：介紹了電機的應用趨勢，以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動(dòng)向。 關(guān)鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應用趨勢?隨著(zhù)智能家居、工業(yè)自動(dòng)化、物流自動(dòng)化等概念的 普及深化，在與每個(gè)人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車(chē)載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域，各類(lèi)電機在技術(shù)方面都出現了新的 需求。?在家電領(lǐng)域，電器的 智能化需要電器對人機交 流產(chǎn)生相應的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間，規劃路線(xiàn)，然后執 行移動(dòng)以及相應
- 關(guān)鍵字： 202003 電機 BLDC MCU SiC IPM
碳化硅（SiC）功率器件或在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域一決勝負
- 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個(gè)大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn)，在功耗上也有非常好的表現，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經(jīng)有越來(lái)越多的半導體企業(yè)開(kāi)始進(jìn)入SiC市場(chǎng)。到2023年，SiC功率半導體市場(chǎng)預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
- 關(guān)鍵字： 碳化硅、SiC、功率器件、電動(dòng)汽車(chē)
英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平
- 近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進(jìn)一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿(mǎn)足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動(dòng)以及電動(dòng)汽車(chē)充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著(zhù)新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉換業(yè)務(wù)高級總監St
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
如何利用 SiC 打造更好的電動(dòng)車(chē)牽引逆變器
- 在本文中，我們將調查電動(dòng)車(chē)牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢。我們將展示在各種負荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負荷到滿(mǎn)負荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開(kāi)關(guān)頻率，以對電機繞組輸出更理想的正弦曲線(xiàn)波形和降低電機內的鐵損。預計在所有這些因素的影響下，純電動(dòng)車(chē)的單次充電行駛里程將提高 5-10%，同時(shí)，降低的損耗還能簡(jiǎn)化冷卻問(wèn)題。簡(jiǎn)介近期的新聞表明，純電動(dòng)車(chē)?(BEV) 的數量增加得比之前的預期要快。這促使汽車(chē)制造商（包括現有制
- 關(guān)鍵字： SiC BEV 牽引逆變器
羅姆集團旗下的SiCrystal與意法半導體就碳化硅（SiC）晶圓長(cháng)期供貨事宜達成協(xié)議
- 近日，全球知名半導體制造商羅姆和意法半導體（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ST”）宣布，雙方就碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）晶圓由羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH （以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiCrystal”）供應事宜達成長(cháng)期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長(cháng)的大背景下，雙方達成超1.2億美元的協(xié)議，由SiCrystal（SiC晶圓生產(chǎn)量歐洲第一）向ST（面向眾多電子設備提供半導體的全球性半導體制造商）供應先進(jìn)的150mm SiC晶圓。ST 總經(jīng)理 兼 首席執行官（CEO） Jean-Marc Chery 說(shuō)：
- 關(guān)鍵字： SiC 車(chē)載
使用ADuM4136隔離式柵極驅動(dòng)器和LT3999 DC/DC轉換器驅動(dòng)1200 V SiC電源模塊
- 簡(jiǎn)介電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源和儲能系統等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉換方案能否有效實(shí)施。電力電子轉換器的核心包含專(zhuān)用半導體器件和通過(guò)柵極驅動(dòng)器控制這些新型半導體器件開(kāi)和關(guān)的策略。目前最先進(jìn)的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體具有更高的性能，如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗，以及高達MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅動(dòng)器的性能要求，例如，，通過(guò)去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進(jìn)的短路保護。本應用筆記展示了ADuM4136 柵極驅動(dòng)器的優(yōu)勢，這款單通道器件的輸出驅動(dòng)能
- 關(guān)鍵字： DC/DC SiC
Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專(zhuān)業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開(kāi)關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車(chē)、數據中心、電信設備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
- 關(guān)鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
CISSOID與國芯科技簽署戰略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng )新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“國芯科技”）簽署了戰略合作協(xié)議，將攜手開(kāi)展寬禁帶功率技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動(dòng)其在眾多領(lǐng)域實(shí)現廣泛應用。近年來(lái)，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車(chē)、智能家電、通信等領(lǐng)域開(kāi)始逐漸取代傳統硅器件。然而，在各類(lèi)應用中
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC GaN
SiC MOSFET在汽車(chē)和電源應用中優(yōu)勢顯著(zhù)
- 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問(wèn)世以來(lái)，MOSFET和IGBT一直是開(kāi)關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動(dòng)等電路設計。不過(guò)，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會(huì )到因成功反而受其害的含義。隨著(zhù)產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導通電阻和開(kāi)關(guān)損耗的大幅降低，這些半導體開(kāi)關(guān)的應用范圍越來(lái)越廣。結果，市場(chǎng)對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來(lái)越高，對性能的要求越來(lái)越高。盡管主要的半導體研發(fā)機構和廠(chǎng)商下大力氣滿(mǎn)足市場(chǎng)要求，進(jìn)一步改進(jìn)MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時(shí)候，收益遞減
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 意法半導體
ST進(jìn)軍工業(yè)市場(chǎng)，打造豐富多彩的工業(yè)樂(lè )園
- 近日，意法半導體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區功率分立和模擬產(chǎn)品器件部區域營(yíng)銷(xiāo)和應用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場(chǎng)的特點(diǎn)，并介紹了ST的產(chǎn)品線(xiàn)寬泛且通用性強，能夠提供完整系統的支持。1 芯片廠(chǎng)商如何應對工業(yè)市場(chǎng)少量多樣的挑戰工業(yè)領(lǐng)域呈現多樣、少量的特點(diǎn)，需要改變消費類(lèi)電子大規模生產(chǎn)的模式，實(shí)現少量、高質(zhì)量的生產(chǎn)。具體地，工業(yè)的一大挑戰是應用的多樣化，即一個(gè)大應用下面通常有很多小的子應用，所以產(chǎn)品會(huì )非標準化，即一個(gè)產(chǎn)品只能針對某一類(lèi)小應用/小客戶(hù)的需
- 關(guān)鍵字： 電機 MCU 電源 SiC
sic fet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條sic fet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sic fet的理解，并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sic fet的理解，并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
sic fet電路
sic fet相關(guān)帖子
sic fet資料下載
sic fet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473