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新一代功率器件及電源管理IC的發(fā)展概況

介紹了包括SiC、GaN在內的新一代功率器件，面向工業(yè)和汽車(chē)的新型功率模塊，可穿戴設備的電源管理IC的發(fā)展概況及相關(guān)新技術(shù)和熱門(mén)產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： SiC GaN 電源管理 201804

新發(fā)現！SiC可用于安全量子通信

　　使用單光子作為量子位的載體可以在量子數據傳輸期間實(shí)現可靠的安全性。研究人員發(fā)現，目前可以通過(guò)某現有材料建立一個(gè)系統，能在常溫條件下可靠地產(chǎn)生單光子。　　來(lái)自莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)的一個(gè)研究小組展示通過(guò)使用基于碳化硅(SiC)光電子半導體材料的單光子發(fā)射二極管，每秒可以發(fā)射多達數十億個(gè)光子。研究人員進(jìn)一步表明，SiC色心的電致發(fā)光可用于將無(wú)條件的安全量子通信線(xiàn)路中的數據傳輸速率提高到1Gbps以上。　　量子密碼術(shù)與傳統的加密算法不同，它依賴(lài)于物理定律。在不改變原始信息的情況下，是無(wú)法
關(guān)鍵字： SiC 量子通信

受惠5G及汽車(chē)科技 SiC及GaN市場(chǎng)前景向好

　　相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡(jiǎn)化周邊電路的設計，達到減少模組、系統周邊的零組件及冷卻系統的體積。根據估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬(wàn)美元。　　　　此外，除了輕化車(chē)輛設計之外，因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車(chē)輛運轉時(shí)的能源轉換損失，兩者對于電動(dòng)車(chē)續航力的提升有相當的幫助。因此，
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ROHM攜汽車(chē)電子及工業(yè)設備市場(chǎng)產(chǎn)品強勢登陸“2018慕尼黑上海電子展”

　　全球知名半導體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"?！　　澳侥岷谏虾ｋ娮诱?不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內最重要的盛會(huì )之一。ROHM在此次展會(huì )上以“汽車(chē)電子”和“工業(yè)設備”為軸，為大家呈現包括“汽車(chē)電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動(dòng)設備”在內的5大解決方案展區，囊括了業(yè)界領(lǐng)先的強大產(chǎn)品陣容。另外，為此
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慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結構件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品都在世強

　　慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會(huì )吸引了數萬(wàn)名電子行業(yè)的觀(guān)眾到場(chǎng)參觀(guān)學(xué)習。而全球先進(jìn)的元件分銷(xiāo)商——世強元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動(dòng)化、結構件、阻容感、材料、測試測量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相?！　{借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類(lèi)的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線(xiàn)充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)、新能源汽車(chē)、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門(mén)市場(chǎng)的最新產(chǎn)品的展示，世強元件電商吸引了大批工程師
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5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件

　　據麥姆斯咨詢(xún)報道，一些非常重要的市場(chǎng)趨勢正在推動(dòng)化合物半導體器件在關(guān)鍵行業(yè)的應用，化合物半導體正在強勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )協(xié)議、無(wú)人駕駛和自動(dòng)汽車(chē)、交通電氣化、增強現實(shí)和虛擬現實(shí)(AR/VR)。這些應用正在推動(dòng)3D傳感的應用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應用。所有這些新發(fā)展背后的關(guān)鍵器件都是由化合物半導體制造而成?？其J(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關(guān)于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告，還僅僅是化合物半導體應用的冰山一角。　　我們
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ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅動(dòng)器板加快產(chǎn)品上市時(shí)間

　　Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場(chǎng)首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板，在200kHz開(kāi)關(guān)頻率時(shí)該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設計旨在提高設計可靠性，同時(shí)減少創(chuàng )建額外原型的需求，為電源轉換和儲能客戶(hù)節省時(shí)間、降低成本并縮短上市時(shí)間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會(huì )上展示該評估
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安森美半導體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統成本

　　推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體?(ON?Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開(kāi)關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實(shí)現器件并聯(lián)?！　“采腊雽w最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復、低正向壓、不受溫度影響的電流穩定性、高浪涌容
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納微半導體將在中國臺灣的電源設計技術(shù)論壇活動(dòng)上

　　納微 (Navitas)半導體宣布其現場(chǎng)應用及技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)總監黃萬(wàn)年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設計與功率組件技術(shù)論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實(shí)現下一代電源適配器設計”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內首個(gè)及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統中顯著(zhù)提高速度、效率和密度的嶄新見(jiàn)解。納微是這項活動(dòng)的銀級贊助商，該活動(dòng)為具有創(chuàng )新性的制造商、合作伙伴及客戶(hù)提供了一個(gè)交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專(zhuān)業(yè)知識?！　↑S萬(wàn)年
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ROHM贊助上海同濟大學(xué)“DIAN Racing”電動(dòng)方程式車(chē)隊

　　近年來(lái)，出于地球溫室化對策和減少空氣污染的考慮，對汽車(chē)的環(huán)保性能要求越來(lái)越高。世界各國均已制定了新能源汽車(chē)的開(kāi)發(fā)和引進(jìn)計劃，未來(lái)新能源汽車(chē)的普及將會(huì )進(jìn)一步加速。其中，中國新能源汽車(chē)市場(chǎng)發(fā)展勢頭最為迅猛。隨著(zhù)中國新能源汽車(chē)市場(chǎng)的迅速壯大和新能源汽車(chē)技術(shù)的快速發(fā)展，越來(lái)越多的中國新能源汽車(chē)品牌開(kāi)始走出國門(mén)，投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車(chē)市場(chǎng)?！　∽鳛槿蛑雽w制造商， ROHM一直以來(lái)都將汽車(chē)市場(chǎng)為主要目標領(lǐng)域，通過(guò)開(kāi)發(fā)并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿(mǎn)足最新汽車(chē)電子化需求的創(chuàng )新型高
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電動(dòng)汽車(chē)打開(kāi)應用窗口：SiC產(chǎn)品要來(lái)了！

隨著(zhù)技術(shù)的不斷更新?lián)Q代，以及電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的巨大助力，SiC產(chǎn)品有望迎來(lái)快速增長(cháng)期。
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集成智能——第1部分：EMI管理

　　智能集成電機驅動(dòng)器和無(wú)刷直流(BLDC)電機可以幫助電動(dòng)汽車(chē)和新一代汽車(chē)變得更具吸引力、更可行及更可靠?！　D1所示為集成電機驅動(dòng)器結合驅動(dòng)電機所需的一切要素，如場(chǎng)效應晶體管(FET)、柵極驅動(dòng)器和狀態(tài)機。集成避免了電線(xiàn)從電子控制單元(ECU)到電機的布線(xiàn)距離過(guò)長(cháng)，并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統成本的優(yōu)點(diǎn)?！　LDC電機在汽車(chē)應用中提供的優(yōu)勢包括效率、緊湊的尺寸、更長(cháng)的電機壽命和電池壽命、更安靜的車(chē)內體驗以及更好的EMI性能?！　D1：智能集成BLDC電機驅動(dòng)器　　集成智能系列博
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具有低輸入偏置電流和高交流共模抑制性能的高速FET輸入儀表放大器

關(guān)鍵字： ADI FET 儀表放大器

使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個(gè)寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構成的。這個(gè)寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
關(guān)鍵字： FET 雙極性晶體管緩沖電路寬帶

我國第三代半導體材料制造設備取得新突破

　　近日，863計劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術(shù)研究”課題通過(guò)了技術(shù)驗收。　　通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱(chēng)之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導體材料的制造裝備對設備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場(chǎng)分布、設備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
關(guān)鍵字：半導體 SiC