半導體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán) EUV光刻最新進(jìn)展如何

　　ASML宣稱(chēng)它的Q2收到4臺EUV訂單，預期明年EUV發(fā)貨達10臺以上。

　　EUV光刻設備一再延遲，而最新消息可能在2020年時(shí)能進(jìn)入量產(chǎn)，而非?？赡軕迷?nm節點(diǎn)。

　　業(yè)界預測未來(lái)在1znm的存儲器生產(chǎn)中可能會(huì )有2層或者以上層會(huì )采用它，及在最先進(jìn)制程節點(diǎn)(7 or 5nm)的邏輯器件生產(chǎn)中可能會(huì )有6-9層會(huì )使用它。

　　ASML計劃2018年時(shí)它的EUV設備的產(chǎn)能再擴大一倍達到年產(chǎn)24臺，每臺售價(jià)約1億美元，目前芯片制造商己經(jīng)安裝了8臺，正在作各種測試。

　　半導體顧問(wèn)公司的分析師Robert Maire認為EUV真能應用于量產(chǎn)應該是大約在2020年，在5nm時(shí)。近期TSMC公布它的計劃也是在5nm節點(diǎn)。

　　Maire說(shuō)英特爾可能會(huì )有不同的觀(guān)點(diǎn)，它采用EUV設備在7nm，因為今年下半年它有可能進(jìn)入10nm。

　　因為現在16/14nm節點(diǎn)時(shí)通常采用兩次圖形曝光技術(shù)，如果EUV成功量產(chǎn)，可以避免在10nm及以下時(shí)要采用三次或者四次圖形曝光技術(shù)，成本上可大幅的節省。

　　從20nm節點(diǎn)開(kāi)始要采用兩次圖形曝光技術(shù)，芯片制造商人為的把工藝節點(diǎn)分成兩類(lèi)，如20nm及10nm都是過(guò)渡節點(diǎn)，相對工藝壽命短，而28nm，16/14nm及7nm可能是長(cháng)壽命節點(diǎn)。

　　ASML的市場(chǎng)部總監Micheal Lercel說(shuō)EUV系統量產(chǎn)需要安裝250瓦光源，保證每小時(shí)125片，而現在的光源是125瓦，只能每小時(shí)85片，ASML正在實(shí)驗室中研發(fā)210瓦光源。

　　目前大于200瓦的EUV光源有兩家供應商，分別是ASML的Cymer及Gigaphoton。兩家供應商都認為未來(lái)500瓦光源有可能性。

　　目前用于EUV掩膜保護的Pellicle只能承受125瓦的熱負荷，離開(kāi)250瓦的目標尚有一段距離。

　　由于EUV光刻膠它的工作模式是采用反射的兩次電子，不同通常的193nm光刻膠，因此尚需要突破。

　　目前EUV光刻的成本非常接近于三次圖形曝光技術(shù)。

　　ASML希望它的EUV系統能有大於90%的uptime，但是目前在4周工作周期中它的uptine大於80%。

　　設備從研發(fā)到量產(chǎn)有很大的差別。光源系統的可靠性要求十分高，即便系統工作在真空環(huán)境下要求每秒能擊中50，000次融化的錫珠。因此新的光源體積很大，相比之前的準分子激光源更為復雜，它的尺寸如同電冰箱一樣大，工作在潔凈廠(chǎng)房中。

　　截止目前為止，全球EUV光刻機的訂單，英特爾有5臺，帶4臺訂單，臺積電有5臺，帶2臺訂單，三星有3臺，帶3臺訂單，GF有1臺，帶1臺訂單，IMEC有2臺，東芝與海力士各有1臺及美光有1臺訂單。