美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng )新

近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線(xiàn)上主題演講中，美光總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項產(chǎn)品創(chuàng )新，涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內存和存儲創(chuàng )新產(chǎn)品，并推出業(yè)界首款面向汽車(chē)應用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng )新產(chǎn)品和創(chuàng )新技術(shù)體現了美光通過(guò)內存和存儲創(chuàng )新加速數據驅動(dòng)洞察的愿景，從而助力數據中心和智能邊緣的創(chuàng )新，突出了內存和存儲在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數據經(jīng)濟潛能方面的核心作用。

在新的數據經(jīng)濟背后，有一些最基本的推動(dòng)力量，其中人工智能（AI）和5G是兩個(gè)最為關(guān)鍵的創(chuàng )新驅動(dòng)因素。這兩個(gè)技術(shù)如今正在起步，為未來(lái)十年積累發(fā)展能量。AI與5G的結合在未來(lái)幾年可以創(chuàng )造一些新的機會(huì )和創(chuàng )新，是現在大家所難以想象的。所有的這些創(chuàng )新會(huì )帶來(lái)顛覆性的力量，大大改變并提升我們面向所有終端市場(chǎng)的價(jià)值主張：不僅是手機、筆記本電腦這些客戶(hù)端設備，還有智能邊緣 (Intelligent Edge)，包括自動(dòng)駕駛汽車(chē)和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)。
美光科技執行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana評價(jià)這些發(fā)展趨勢時(shí)表示，“對美光來(lái)說(shuō)是非常振奮的消息，因為它也帶來(lái)了對內存和存儲技術(shù)與產(chǎn)品的需求。我們的產(chǎn)品覆蓋不同的市場(chǎng)領(lǐng)域，我們也是內存和存儲領(lǐng)域的龍頭企業(yè)。最令人感到興奮的是，內存和存儲技術(shù)在數據經(jīng)濟中被賦予了新的定義。半導體行業(yè)在快速增長(cháng)，行業(yè)增速持續高于全球GDP，而內存和存儲是半導體行業(yè)增長(cháng)最快的領(lǐng)域?！?br/>
得益于開(kāi)發(fā)和制程工程師和團隊在176層技術(shù)領(lǐng)域贏(yíng)得市場(chǎng)先機，美光此次宣布量產(chǎn)的首批基于全球首款 176 層 NAND 的 PCIe? 4.0 固態(tài)硬盤(pán) (SSD)共有兩款，Micron 3400高性能 NVMe和Micron 2450實(shí)惠型 NVMe SSD。其中Micron 3400的容量最高可以達到2TB，它的性能可以滿(mǎn)足最嚴格、最極端的工作負載；而Micron 2450則提供高達1TB的存儲，為日常使用創(chuàng )造卓越的用戶(hù)體驗。它的體積很小，只有22×30mm，和25美分的大小差不多。除了采用美光176層NAND之外，這兩款SSD還具備美光先進(jìn)的低功耗性能，讓用戶(hù)在外享有全天的計算能力而無(wú)需使用充電器。

Micron 3400、Micron 2450 具備設計靈活、高性能、低功耗等特點(diǎn)，可支持從專(zhuān)業(yè)工作站到超薄筆記本應用的全天候使用。Micron 3400 固態(tài)硬盤(pán)提供 2 倍讀吞吐量，最大寫(xiě)吞吐量提高了 85% ，可滿(mǎn)足實(shí)時(shí) 3D 渲染、計算機輔助設計 (CAD)、游戲、動(dòng)畫(huà)等要求嚴苛的應用需求。Micron 2450 固態(tài)硬盤(pán)最大限度發(fā)揮了 PCIe 4.0 的性能，為用戶(hù)提供高響應速度體驗，且提供三種外形尺寸，最小僅為 22x30mm 的 M.2 規格，為客戶(hù)產(chǎn)品設計賦予極大的靈活性。

工藝在存儲顆粒方面具有非常重要的技術(shù)競爭優(yōu)勢，美光一直引領(lǐng)著(zhù)存儲工藝的變革。大約一年前美光在業(yè)界首先實(shí)現了1z納米制程，鞏固了在DRAM領(lǐng)域持續保持領(lǐng)先的地位。而現在美光在6月份利用1α 節點(diǎn)制程實(shí)現產(chǎn)品的量產(chǎn)出貨。美光科技高級副總裁兼計算與網(wǎng)絡(luò )事業(yè)部總經(jīng)理Raj Hazra介紹，“過(guò)去幾十年來(lái)，美光首次在DRAM和NAND領(lǐng)域實(shí)現同時(shí)領(lǐng)先。這一點(diǎn)的重要性不僅在于LPDDR4x的進(jìn)一步技術(shù)演進(jìn)，而是在基礎架構層集成了DDR以及LPDDR優(yōu)化，并通過(guò)1α的制程技術(shù)釋放它的潛力，在移動(dòng)功耗方面帶來(lái)驚人的提升，相比1z節點(diǎn)，電池的使用壽命和續航時(shí)間會(huì )更長(cháng)，尺寸會(huì )更加精簡(jiǎn)，用戶(hù)體驗會(huì )更好。這確實(shí)是一個(gè)大躍進(jìn)，在移動(dòng)時(shí)代特別如此，可以讓這些移動(dòng)設備更好的發(fā)揮性能?！?br/>另一方面，1α制程也是DDR4的重要基礎，LPDDR4x 是第四代低功耗 DRAM 的最新 JEDEC 標準，由于 I/O 電壓性能增強，功耗大幅降低，因此非常適用于移動(dòng)計算設備。美光在業(yè)內首次批量出貨基于1α節點(diǎn)的DDR4，在數據中心平臺進(jìn)行了廣泛驗證，且已經(jīng)正式量產(chǎn)，很快就可以到達數據中心的客戶(hù)手上。重要的是1α制程與1z制程相比，內存密度增加40%。

此外，美光在其 DDR5 技術(shù)賦能計劃 (TEP，Technology Enablement Program) 方面也取得了重大進(jìn)展，該計劃于 2020 年啟動(dòng)，旨在加快市場(chǎng)對 DDR5 的采用，并為生態(tài)系統明年廣泛使用支持 DDR5 的平臺做好準備。目前，該計劃已經(jīng)吸引了包括系統和芯片服務(wù)商、渠道合作伙伴、云服務(wù)提供商和原始設備制造商在內的 100 多家業(yè)界頭部企業(yè)的 250 余位設計和技術(shù)領(lǐng)導參與。