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美光車(chē)規級內存和存儲解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗
- 全球汽車(chē)內存領(lǐng)先供應商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布其車(chē)規級高性能LPDDR5 DRAM內存和基于3D TLC NAND技術(shù)的UFS 3.1產(chǎn)品已被應用于理想汽車(chē)最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車(chē)型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級駕駛輔助系統（ADAS）實(shí)現最高L4級自動(dòng)駕駛。得益于美光完整的產(chǎn)品組合，理想L9智能座艙系統還集成了美光車(chē)規級LPDDR4和UFS 2.1技術(shù)，為用戶(hù)提供出色的娛樂(lè )和用
- 關(guān)鍵字： 美光 智能座艙 DRAM UFS ADAS 域控制器 車(chē)載信息娛樂(lè )系統
DRAM 內存加速降價(jià)，6 月報價(jià)環(huán)比下跌 10% 創(chuàng ) 1 年半新低
- IT之家 7 月 18 日消息，日經(jīng)新聞表示，半導體存儲芯片之一的 DRAM 正在加速降價(jià)，作為上代產(chǎn)品的 DDR3 型的 4GB 內存連續 2 個(gè)月下跌。指標產(chǎn)品的 6 月大單優(yōu)惠價(jià)環(huán)比下跌 1 成，創(chuàng )出 1 年半以來(lái)新低。從作為指標的 8GB DDR4 內存來(lái)看，6 月報價(jià)約 2.7 美元每個(gè)，環(huán)比下跌 0.3 美元（10％），而容量較小的 4GB 內存約為 2.18 美元 / 個(gè)，環(huán)比下跌 10％，同比下跌 32％，處于 2020 年 12 月以來(lái)的最低水平。分析師認為，PC 和智能手機的
- 關(guān)鍵字： DRAM 市場(chǎng)
DRAM能否成為半導體市場(chǎng)預測晴雨表？
- 在今年Gartner的半導體市場(chǎng)分析報告中指出，從歷史角度來(lái)看，存儲市場(chǎng)一直規律的處于2~3年的周期波動(dòng)中。2021年DRAM市場(chǎng)存在一個(gè)供不應求的情況，使得價(jià)格上漲，但在2022年下半年會(huì )恢復并且進(jìn)入供過(guò)于求的周期，這個(gè)周期會(huì )導致存儲市場(chǎng)價(jià)格的整體下滑。下面我們來(lái)具體分析都存在哪些因素導致DRAM的周期波動(dòng)。1.地緣問(wèn)題導致消費市場(chǎng)向下修正 俄烏戰爭打破歐洲和平局面，導致能源價(jià)格大幅提升，整體社會(huì )的消費水平降低，企業(yè)和消費者會(huì )減少很多不必要的開(kāi)支。早在4月底，美國商務(wù)部公布的數據顯示，美國一季度G
- 關(guān)鍵字： DRAM 半導體 市場(chǎng)
潛力無(wú)限的汽車(chē)存儲芯片
- 隨著(zhù)智能化、電動(dòng)化浪潮的推進(jìn)，汽車(chē)芯片的含量成倍提升，電動(dòng)車(chē)半導體含量約為燃油車(chē)2倍，智能車(chē)為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車(chē)芯片，2035年增長(cháng)為1285億顆。價(jià)值增量端，2020年汽車(chē)芯片價(jià)值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢?jiàn)芯片將成為汽車(chē)新利潤增長(cháng)點(diǎn)，有望成為引領(lǐng)半導體發(fā)展新驅動(dòng)力?！ ∑?chē)芯片從應用環(huán)節可以分為5類(lèi)：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車(chē)存儲芯片市場(chǎng)規模約52億美元，國內汽車(chē)存儲芯片市場(chǎng)規模
- 關(guān)鍵字： 北京君正 兆易創(chuàng )新 DRAM NAND
美光面向數據中心客戶(hù)推出 DDR5 服務(wù)器 DRAM， 推動(dòng)下一代服務(wù)器平臺發(fā)展
- 關(guān)鍵優(yōu)勢：● 隨著(zhù) CPU 內核數量不斷增加，改進(jìn)后的內存架構相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍，進(jìn)而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達 64GB 的模組容量，能夠支持內存密集型工作負載[4]● DDR5 的創(chuàng )新架構改進(jìn)和模組內建電源管理功能，有助于優(yōu)化系統整體運行性能 內存和存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
- 關(guān)鍵字： 美光 數據中心 DRAM DDR5
中國DRAM和NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?
- 近日，韓國進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長(cháng)鑫存儲2022年將推進(jìn)第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半，兩國之間的技術(shù)差距超過(guò)5年。據該研究院推測，在NAND閃存領(lǐng)域，中國與韓國的技術(shù)差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長(cháng)江存
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖
- 全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場(chǎng)規模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場(chǎng)規模約占56%，NAND Flash市場(chǎng)規模約占41%（IC Insights數據）。另外，根據CFM 閃存市場(chǎng)預計，2021年全球存儲市場(chǎng)規模將達1620億美元，增長(cháng)29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調研機構的數據相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場(chǎng)主要被韓國、歐美以及
- 關(guān)鍵字： 存儲芯片 DRAM NAND Flash
2022半導體儲存器市場(chǎng)調研 半導體儲存器行業(yè)前景及現狀分析
- 國內半導體儲存器行業(yè)市場(chǎng)前景及現狀如何?半導體存儲器行業(yè)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)規模最大的分支：半導體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，根據功能的不同，集成電路又可以分為存儲器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細分領(lǐng)域。2022半導體儲存器市場(chǎng)調研半導體儲存器行業(yè)前景及現狀分析 國內開(kāi)始布局存儲產(chǎn)業(yè)規?；?，中國大陸的存儲器公司陸續成立，存儲產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進(jìn)展。在半導體國產(chǎn)化的大趨勢下，國內存儲器行業(yè)有望迎來(lái)新的發(fā)展和機遇?！ “雽w儲存器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機、平板電腦、計算機、網(wǎng)
- 關(guān)鍵字： 存儲 DRAM 市場(chǎng)
TrendForce：DRAM原廠(chǎng)降價(jià)意愿提高 第三季跌至近10%
- 根據TrendForce最新研究顯示，盡管今年上半年的整體消費性需求快速轉弱，但先前DRAM原廠(chǎng)議價(jià)強勢，并未出現降價(jià)求售跡象，使得庫存壓力逐漸由買(mǎi)方堆棧至賣(mài)方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下，部分DRAM供貨商已開(kāi)始有較明確的降價(jià)意圖，尤其發(fā)生在需求相對穩健的服務(wù)器領(lǐng)域以求去化庫存壓力，此情況將使第三季DRAM價(jià)格由原先的季跌3至8%，擴大至近10%，若后續引發(fā)原廠(chǎng)競相降價(jià)求售的狀況，跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續性下修出貨展望，且綜觀(guān)各家DRAM庫存水位平均超過(guò)兩個(gè)月以上，除非有極大的價(jià)格
- 關(guān)鍵字： TrendForce DRAM
TrendForce：第三季DRAM價(jià)格預估下跌3～8％
- 據TrendForce研究，盡管有旺季效應和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場(chǎng)仍不敵俄烏戰事、高通膨導致消費性電子需求疲弱的負面影響，進(jìn)而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價(jià)格下跌3～8％的主因，且不排除部分產(chǎn)品別如PC與智能型手機領(lǐng)域恐出現超過(guò)8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續走弱情況下，引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標，同時(shí)也造成DRAM庫存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著(zhù)重在調整與去化DRAM庫存，采購力道尚難回溫。同時(shí)，由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過(guò)于求，因此即便
- 關(guān)鍵字： TrendForce DRAM
SK海力士將向英偉達供應業(yè)界首款HBM3 DRAM
- SK海力士宣布公司開(kāi)始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內存芯片，從開(kāi)發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七 個(gè)月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實(shí)現加速計算（accelerated computing）SK海力士旨在進(jìn)一步鞏固公司在高端 DRAM 市場(chǎng)的領(lǐng)導地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價(jià)值、高性能內存
- 關(guān)鍵字： SK海力士 英偉達 HBM3 DRAM
3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？
- 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著(zhù)“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠(chǎng)商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據公開(kāi)資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
- 關(guān)鍵字： DRAM 3D DRAM 華為 三星 美光 制程 納米
利基型DRAM持續擴產(chǎn) 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙
- 內存大廠(chǎng)華邦電日前宣布擴大利基型DDR3產(chǎn)出，爭取韓系DRAM廠(chǎng)退出后的市占率，推升營(yíng)收及獲利續創(chuàng )新高。華邦電自行開(kāi)發(fā)的20奈米DRAM制程，將于明年導入至高雄廠(chǎng)量產(chǎn)，為長(cháng)遠發(fā)展奠定良好的基礎與成長(cháng)動(dòng)能，同時(shí)滿(mǎn)足5G基地臺、人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）、電動(dòng)車(chē)及車(chē)用電子、元宇宙等產(chǎn)業(yè)大趨勢強勁需求。華邦電第一季迎來(lái)利基型DRAM價(jià)格回升，SLC NAND及NOR Flash價(jià)格回穩，季度營(yíng)收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達45.59億元并創(chuàng )下歷史新高，每股凈利1.15元優(yōu)于預期
- 關(guān)鍵字： DRAM 華邦電 AIoT 元宇宙
三星推出512GB 內存擴展器CXL DRAM
- 2022年5月10日 ，作為先進(jìn)內存技術(shù)的廠(chǎng)商，三星宣布開(kāi)發(fā)出三星首款512 GB 內存擴展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統中實(shí)現更高的內存容量且更低的延遲。三星半導體512GB 內存擴展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開(kāi)發(fā)的CXL內存容量為其4倍，從而讓服務(wù)器擴展至數十TB，而系統延遲僅為其五分之一三星還將推出其開(kāi)源軟件工具包的升級版本，以推動(dòng)CXL內存在現有和新興IT系統中的部署自2021年5月推出三星首款配備
- 關(guān)鍵字： 三星 內存擴展器 CXL DRAM
第二季度DRAM跌幅估縮小
- 根據市調預估，第二季整體DRAM平均價(jià)格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買(mǎi)賣(mài)雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰事和高通膨影響，進(jìn)而削弱消費者購買(mǎi)力道，目前僅服務(wù)器為主要支撐內存需求來(lái)源，故整體第二季DRAM仍有供過(guò)于求情形。在標準型PC DRAM方面，受俄烏戰爭影響，引發(fā)PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續影響下半年旺季訂單情形，進(jìn)而下修今年的出貨目標，然而整體供給位卻仍在增長(cháng)，故第二季PC DRAM價(jià)格跌幅達3～8％，且可能會(huì )進(jìn)一步惡化。在服務(wù)器DR
- 關(guān)鍵字： DRAM 集幫咨詢(xún)
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