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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區
報告稱(chēng)三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額創(chuàng ) 8 年來(lái)新低
- IT之家 11 月 9 日消息，根據最新的報告，三星電子在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額已跌至八年來(lái)的最低點(diǎn)。據 Eugene Investment & Securities 11 月 8 日發(fā)布的報告，第三季度全球 DRAM 市場(chǎng)銷(xiāo)售額為 179.73 億美元（當前約 1301.25 億元人民幣），較第二季度的 254.27 億美元下降 29.3%。三星電子的 DRAM 銷(xiāo)售額從第二季度的 111.21 億美元下降到第三季度的 73.71 億美元（當前約 533.66 億元人民幣
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芯片巨頭美光：成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準備?！ ?β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)?！ ∫粋€(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱(chēng)，1β繞過(guò)了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！ ∵@意味著(zhù)相較于三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM 內存芯片 光刻機 EUV
機構預計今年服務(wù)器 DRAM 需求將達到 684.86 億 GB，首次超過(guò)移動(dòng)設備
- 11 月 2 日消息，據國外媒體報道，受電子消費品續期下滑影響，當前全球存儲芯片市場(chǎng)并不樂(lè )觀(guān)，DRAM 與 NAND 閃存的需求和價(jià)格都有下滑，三星電子、SK 海力士等存儲芯片制造商的業(yè)績(jì)，也受到了影響。雖然存儲芯片市場(chǎng)整體的狀況并不樂(lè )觀(guān)，但部分領(lǐng)域的需求，卻在不斷增長(cháng)。研究機構在最新的報告中就表示，服務(wù)器 DRAM 的需求在不斷增長(cháng)，在今年有望首次超過(guò)智能手機、平板電腦等移動(dòng)設備對 DRAM 的需求。研究機構在報告中預計，今年全球服務(wù)器對 DRAM 的需求，會(huì )達到 684.86 億 GB，智能手機、平板
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功率效率提高15%，美光1β DRAM樣本出貨
- 當地時(shí)間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機制造商和芯片組運送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴，并已通過(guò)世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)節點(diǎn)實(shí)現了量產(chǎn)準備。據官方介紹，美光于2021年實(shí)現1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區儲存的位元數也增加35%。美光表示，隨著(zhù)LPDDR5X的出樣，移動(dòng)產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時(shí)，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門(mén)副總裁Thy Tran表示，新版
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美光出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節點(diǎn)DRAM
- 2022年11月2日——中國上?！獌却媾c存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節點(diǎn)的1β DRAM產(chǎn)品已開(kāi)始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有顯著(zhù)提升，將為市場(chǎng)帶來(lái)巨大收益。除了移動(dòng)應用，基于1β節點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內存：采用先進(jìn) 1β 工藝，15% 能效提升
- IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內存，采用先進(jìn) 1β 工藝，正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據官方介紹，美光 2021 年實(shí)現 1α 工藝批量出貨，現在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場(chǎng)領(lǐng)先地位。官方稱(chēng)，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過(guò) 35% 的密度提升，每個(gè) die 容量為 16Gb。美光表示，隨著(zhù) LPDDR5X 的出樣，移動(dòng)產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時(shí)，消
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SK海力士：未研究過(guò)“轉移中國工廠(chǎng)設備”相關(guān)具體計劃
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠(chǎng)設備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠(chǎng)運營(yíng)作出澄清說(shuō)明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績(jì)發(fā)表會(huì )上，針對由于地緣政治問(wèn)題及多種因素導致中國工廠(chǎng)運營(yíng)受困的各種假想情境，作出了可能會(huì )考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠(chǎng)的設備轉移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現場(chǎng)回復，SK海力士澄清并未研究過(guò)與此相關(guān)的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
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8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運行速度創(chuàng )新高
- 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內存已通過(guò)驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動(dòng)平臺上使用，該內存速度可達到當前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過(guò)優(yōu)化應用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境，三星超過(guò)了自身在今年3月創(chuàng )下的7.5Gbps的最高運行速度，夯實(shí)了在內存市場(chǎng)的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達8.5Gbps的運行速度作為十多年來(lái)全球移動(dòng)內存（DRAM）市場(chǎng)的推動(dòng)者，三星一直在努力推進(jìn)高端智能手機普及，使更多消費者能夠在移動(dòng)設備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
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SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內不獲取許可的前提下為中國工廠(chǎng)供應設備
- SK海力士于10月12日通過(guò)聲明表示，公司完成與美國商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來(lái)一年內不獲取個(gè)別許可的前提下為中國工廠(chǎng)供應所需的半導體生產(chǎn)設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來(lái)一年內不獲取美方個(gè)別許可的前提下為中國工廠(chǎng)保障生產(chǎn)設備的供應，進(jìn)而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。SK海力士表示：“公司與美方圓滿(mǎn)完成了就在中國持續生產(chǎn)半導體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續與韓國政府及美國商務(wù)部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠(chǎng)的運營(yíng)盡最大的努力?！泵绹虅?wù)部先前于10月7日發(fā)布稱(chēng)，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
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TrendForce：存儲器廠(chǎng)聚焦CXL存儲器擴充器產(chǎn)品
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新服務(wù)器相關(guān)報告指出，CXL（Compute Express Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進(jìn)而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務(wù)器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現階段僅支援至CXL 1.1規格，而該規格可先實(shí)現的產(chǎn)品則是CXL存儲器擴充（CXL Memory Expander）。因此，TrendForce認為
- 關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢(xún) 存儲器 CXL AI/ML DRAM
SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
- 芯片已經(jīng)無(wú)處不在：從手機和汽車(chē)到人工智能的云服務(wù)器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強大。創(chuàng )建更先進(jìn)的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著(zhù)芯片特征變得更小，現有材料可能無(wú)法在所需厚度下實(shí)現相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結構中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPAR
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庫存難減 DRAM價(jià)Q4恐再跌13～18％
- 市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續呈現季減，各終端買(mǎi)方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場(chǎng)上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形，導致第四季DRAM價(jià)格續跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠(chǎng)仍將著(zhù)重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營(yíng)業(yè)利益仍佳的前提下，未有實(shí)際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來(lái)
- 關(guān)鍵字： 集邦 DRAM NAND
集邦：明年DRAM需求位成長(cháng)8.3％創(chuàng )新低 NAND跌價(jià)帶動(dòng)搭載容量成長(cháng)
- 根據集邦科技指出，2023年DRAM市場(chǎng)需求位成長(cháng)僅8.3％，是歷年來(lái)首度低于10％，遠低于供給位成長(cháng)約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過(guò)于求的情勢下仍相當嚴峻，價(jià)格恐將持續下滑。至于NAND Flash仍是供過(guò)于求，但價(jià)格下跌應有助于搭載容量提升。從各類(lèi)應用來(lái)看，高通膨持續沖擊消費市場(chǎng)需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問(wèn)題，品牌超額下訂，加上通路銷(xiāo)售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進(jìn)一步走弱。標準型PC DRAM方面，
- 關(guān)鍵字： 集邦 DRAM NAND
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對lpddr5x dram的理解，并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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