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2025搞定2nm工藝 日本芯片公司Rapidus已搞定EUV光刻機
- 5月17日消息，原本已經(jīng)落后的日本半導體制造行業(yè)近年來(lái)加快了追趕速度，去年8月份索尼、豐田等8家企業(yè)出資成立了Rapidus，計劃2025年試產(chǎn)2nm工藝，而且很快就籌備了EUV光刻機。日本當前的邏輯工藝還在28nm以上，但是Rapidus公司選擇跳過(guò)中間的工藝，直接搞2nm工藝，而5nm以下的工藝都離不開(kāi)EUV光刻機，不論研發(fā)還是制造都要先買(mǎi)設備。Rapidus社長(cháng)小池淳義日前在采訪(fǎng)中透露，他們已經(jīng)完成了1臺EUV光刻機的籌備，不過(guò)具體的型號及進(jìn)度沒(méi)有說(shuō)明，不確定是ASML的哪款EUV光刻機，何時(shí)安裝、
- 關(guān)鍵字： 日本 EUV 光刻機
柔弱的雕刻大師——EUV光刻機
- 在如今這個(gè)信息時(shí)代，如果說(shuō)我們的世界是由芯片堆積起來(lái)的高樓大廈，那么芯片制造，則是這里面高樓的地基，而談到芯片制造各位讀者自然就能想到光刻機，沒(méi)錯，作為人類(lèi)商業(yè)化機器的工程奇跡，光刻機自然是量產(chǎn)高性能芯片的必要設備。特別是隨著(zhù)這幾年中美貿易戰的加劇，光刻機這種大部分可能一生都不會(huì )見(jiàn)到的機器一下子成了婦孺皆知的存在，那么光刻機是如何工作的呢？它是如何在方寸之間的芯片上雕刻出上百億的晶體管的呢？本篇文章就著(zhù)重給大家介紹一下目前最先進(jìn)，也是我國被“卡脖子”的EUV（極紫外）光刻機。? ? &
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ASML預測，未來(lái)九個(gè)月對中國的銷(xiāo)量將大幅回升
- ASML 財務(wù)總監 Roger Daasen 表示，今年未來(lái)幾個(gè)季度中國大陸的銷(xiāo)量將顯著(zhù)回升。
- 關(guān)鍵字： ASML 光刻機 EUV 極紫外光刻機
EUV機臺被砍單？ 業(yè)界：不太可能
- 終端市場(chǎng)需求低迷，近期市場(chǎng)傳出臺積電將宣布調降今年資本支出，恐沖擊艾司摩爾（ASML）及應用材料等設備廠(chǎng)出貨，甚至傳出艾司摩爾極紫外光（EUV）機臺被砍單消息，不過(guò)業(yè)界普遍認為可能性不高，原因在于EUV機臺交期長(cháng)達12～15個(gè)月，且中長(cháng)期來(lái)看EUV產(chǎn)能仍供不應求。 ASML預計19日舉行法人說(shuō)明會(huì )，可望針對EUV曝光機已接訂單（backlog）變化提出說(shuō)明。半導體生產(chǎn)鏈仍在進(jìn)行庫存調整，市場(chǎng)傳出臺積電可能在法人說(shuō)明會(huì )中下修全年資本支出，加上內存廠(chǎng)放慢擴產(chǎn)計劃，將導致EUV曝光機訂單減少或延后，受此消息影響
- 關(guān)鍵字： EUV 機臺 ASML
國產(chǎn)光刻機的「行軍難」
- 3 月 8 日，ASML 發(fā)表聲明回應荷蘭政府即將出臺的半導體設備出口管制措施。ASML 稱(chēng)，這些新的出口管制措施側重于先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，包括最先進(jìn)的沉積設備和浸潤式光刻系統，ASML 將需要申請出口許可證才能發(fā)運最先進(jìn)的浸潤式 DUV 系統。ASML 強調，這些管制措施需要一定時(shí)間才能付諸立法并生效。3 月 9 日，外交部例行記者會(huì )上，有媒體提問(wèn)，據報道，荷蘭外貿與發(fā)展合作大臣施賴(lài)納馬赫爾向荷議會(huì )致函稱(chēng)，出于國家安全考慮，荷蘭將于今年夏天之前對其芯片出口實(shí)施限制性措施。中方對此有何評論？外交部發(fā)言人毛
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ASML堵了EUV光刻機的路，但國產(chǎn)光刻機有3大新方向
- 眾所周知，當前全球只有ASML一家能夠生產(chǎn)EUV光刻機，甚至可以說(shuō)很長(cháng)一段時(shí)間內，全球也只有ASML能夠生產(chǎn)光刻機，不會(huì )有第二家。原因在于A(yíng)SML把EUV光刻機的路堵住了，這條路別人是走不通的。ASML與全球眾多的供應鏈，形成了捆綁關(guān)系，像蔡司等與ASML形成了利益共同體，EUV光刻機中，蔡司等廠(chǎng)商至關(guān)重要，掌握核心科技，缺少這些供應鏈，其它廠(chǎng)商不可能制造出EUV光刻機。所以，目前眾多的其它光刻機企業(yè)，并不打算走EUV光刻機這條路，在另尋它路。同樣的，國產(chǎn)光刻機基本上也走不通EUV這條路，只能另尋他路，而
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美國發(fā)起的對華聯(lián)合出口限制留下漏洞？
- 據報道，荷蘭和日本已與美國達成協(xié)議，共同限制向中國出口芯片制造工具，這將進(jìn)一步削弱中國半導體行業(yè)的發(fā)展，因為除了限制中國制造商使用 EUV 光刻機外，進(jìn)一步限制其使用浸沒(méi)式 DUV 光刻機。但在美國對中國發(fā)起的嚴格出口限制中，中國半導體企業(yè)是否可以利用任何關(guān)鍵漏洞來(lái)緩沖沖擊？這似乎是一個(gè)值得仔細研究的問(wèn)題。近年來(lái)，美國加大了對中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的打壓力度。不僅設計了各種策略和行動(dòng)，還動(dòng)員了盟友的參與。在 2022 年 10 月對向中國出口先進(jìn)芯片制造工具和技術(shù)實(shí)施全面出口限制后，美國急于讓擁有 ASML
- 關(guān)鍵字： EUV DUV 深紫外光刻機
EUV光刻機開(kāi)始“落幕”了
- 說(shuō)到光刻機大家難免會(huì )想到三個(gè)廠(chǎng)商，荷蘭的ASML公司、尼康和佳能。而光刻機就是制造芯片的核心裝備?，F如今光刻機領(lǐng)域的核心地位就是荷蘭的ASML，他與臺積電合作，共同突破了沉浸式DUV光刻機，也正因為此動(dòng)作，才奠定了ASML在光刻機領(lǐng)域的核心地位。后續ASML又推出了更加高端的EUV光刻機，而且還是獨家壟斷生產(chǎn)。這就進(jìn)一步使得ASML成為行業(yè)的巨頭。隨著(zhù)科技的不斷發(fā)展，市場(chǎng)就要越來(lái)越追求高性能以及高要求，ASLM造成的長(cháng)時(shí)間壟斷，導致其他同行沒(méi)有辦法發(fā)展。在他自身無(wú)法突破的前提下，他的路是越走越窄。在全球范
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三星首次采用韓國本土EUV光刻膠 打破日企壟斷
- 據報道，三星首次引入韓國本土公司東進(jìn)世美肯（Dongjin Semichem）研發(fā)的EUV光刻膠（EUV PR）進(jìn)入其量產(chǎn)線(xiàn)，這也是三星進(jìn)行光刻膠本土量產(chǎn)的首次嘗試。在2019年經(jīng)歷與日本的光刻膠等關(guān)鍵原料的供應風(fēng)波之后，三星就在嘗試將關(guān)鍵原料的供應本土化，經(jīng)過(guò)三年的努力，韓國實(shí)現了光刻膠本地化生產(chǎn)。在日本限制出口、三星嘗試重構EUV光刻膠的供應鏈之后，東進(jìn)世美肯就已開(kāi)始研發(fā)EUV光刻膠，并在去年通過(guò)了三星的可靠性測試，隨后不到一年就被應用于三星的大規模生產(chǎn)線(xiàn)。不過(guò)，EUV光刻膠可用于3-50道程序，目前
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有多貴？ASML新EUV光刻機單臺硬件造價(jià)2500億：可買(mǎi)三臺頂級航母
- 都知道光刻機單臺成本非常的貴，但是你知道有多貴嗎？一臺數億美元的光刻機讓我們看到了一款硬件設備的價(jià)格極限，然而，ASML CEO Peter Wennink最新接受媒體采訪(fǎng)時(shí)透露，他們正在全力研制劃時(shí)代的新光刻機high-NA EUV設備，而高NA EUV光刻機系統的單臺造價(jià)將在300億到350億歐元之間，約合人民幣2195到2561億元。這個(gè)價(jià)格什么概念，一搜頂級航母的價(jià)格差不多在100億美元左右，而這臺硬件設備可以買(mǎi)三艘頂級航母，而ASML目前在售的雙工件臺EUV光刻機不過(guò)數億美元，作為下一代產(chǎn)品身價(jià)
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事關(guān)EUV光刻技術(shù)，中國廠(chǎng)商公布新專(zhuān)利
- 近日，據國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)消息，華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項于光刻技術(shù)相關(guān)的專(zhuān)利，專(zhuān)利申請號為202110524685X。集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉移、加工和形成環(huán)節，決定著(zhù)集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內晶體管的數量，是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。隨著(zhù)半導體工藝向7nm及以下節點(diǎn)的推進(jìn)，極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù)。相關(guān)技術(shù)的EUV光刻機中采用強相干光源在進(jìn)行光刻時(shí)，相干光經(jīng)照明系統分割成的多個(gè)子光束具有固定的相位關(guān)系，當
- 關(guān)鍵字： EUV 光刻 華為
SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統微縮(scaling)技術(shù)系統的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過(guò)采用該新技術(shù)，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實(shí)現了晶體管性能的顯著(zhù)提高。本文針對HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰: 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core Tr
- 關(guān)鍵字： SK海力士 High-k Metal Gate
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