EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
high-na euv
high-na euv 文章 進(jìn)入high-na euv技術(shù)社區
佳能押注納米壓印技術(shù) 價(jià)格比阿斯麥EUV光刻機“少一位數”
- 11月6日消息，日本佳能一直在投資納米壓?。∟ano-imprint Lithography，NIL）這種新的芯片制造技術(shù)，并計劃將新型芯片制造設備的價(jià)格定在阿斯麥最好光刻機的很小一部分，從而在光刻機領(lǐng)域取得進(jìn)展。納米壓印技術(shù)是極紫外光刻（EUV）技術(shù)的低成本替代品。佳能首席執行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示，該公司最新的納米壓印技術(shù)將為小型芯片制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開(kāi)辟出一條道路?！斑@款產(chǎn)品的價(jià)格將比阿斯麥的EUV少一位數，”現年88歲的御手洗富士夫表示。這是他第三次擔任佳能總裁，上一次退
- 關(guān)鍵字： 佳能 納米 壓印技術(shù) 阿斯麥 EUV 光刻機
納米壓?。阂粋€(gè)「備胎」走向「臺前」的故事
- 佳能在 10 月 13 日宣布，正式推出納米壓印半導體制造設備。對于 2004 年就開(kāi)始探索納米壓印技術(shù)的佳能來(lái)說(shuō)，新設備的推出無(wú)疑是向前邁出了一大步。佳能推出的這個(gè)設備型號是 FPA-1200NZ2C，目前可以實(shí)現最小線(xiàn)寬 14nm 的圖案化，相當于生產(chǎn)目前最先進(jìn)的邏輯半導體所需的 5 納米節點(diǎn)。佳能表示當天開(kāi)始接受訂單，目前已經(jīng)向東芝供貨。半導體行業(yè)可謂是「苦光刻機久已」，納米壓印設備的到來(lái)，讓期盼已久的半導體迎來(lái)一線(xiàn)曙光。那么什么是納米壓印技術(shù)？這種技術(shù)距離真的能夠取代光刻機嗎？納米壓印走向臺前想要
- 關(guān)鍵字： 納米壓印 EUV 光刻機
EUV光刻技術(shù)仍需克服的三個(gè)缺點(diǎn)
- 光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術(shù)。其主要過(guò)程為：首先紫外光通過(guò)掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應；再通過(guò)顯影技術(shù)溶解去除曝光區域或未曝光區域的光刻膠（前者稱(chēng)正性光刻膠，后者稱(chēng)負性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復制到光刻膠薄膜上；最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉移到基片上。想要了解光刻技術(shù)對半導體供需穩定將會(huì )產(chǎn)生什么樣的影響，首先要了解的是大家經(jīng)常聽(tīng)到的 14 納米 DRAM、4 納米應用處理器等用語(yǔ)，要先說(shuō)明納米是什么意
- 關(guān)鍵字： EUV
英特爾首次采用EUV技術(shù)的Intel 4制程節點(diǎn)已大規模量產(chǎn)
- 近日，英特爾宣布已開(kāi)始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節點(diǎn)。據英特爾中國官微獲悉，近日，英特爾宣布已開(kāi)始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節點(diǎn)。據悉，作為英特爾首個(gè)采用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)的制程節點(diǎn)，Intel 4與先前的節點(diǎn)相比，在性能、能效和晶體管密度方面均實(shí)現了顯著(zhù)提升。極紫外光刻技術(shù)正在驅動(dòng)著(zhù)算力需求最高的應用，如AI、先進(jìn)移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )、自動(dòng)駕駛及新型數據中心和云應用。英特爾“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”計劃正在順利推進(jìn)中。目前，Intel 7和I
- 關(guān)鍵字： 英特爾 EUV Intel4
俄羅斯7納米驚人突破 泄國產(chǎn)EUV曝光時(shí)間
- 俄羅斯企圖打破艾司摩爾（ASML）先進(jìn)半導體設備獨占地位！俄媒消息指出，俄羅斯號稱(chēng)開(kāi)發(fā)出可取代曝光機的芯片制造工具，甚至發(fā)下豪語(yǔ)，將于2028年研發(fā)出可生產(chǎn)7納米芯片的曝光機，還可擊敗ASML同類(lèi)產(chǎn)品。俄國目前普遍使用20年前的65納米制程，正在興建28納米晶圓廠(chǎng)。俄羅斯國際新聞通訊社（俄新社）報導，圣彼得堡理工大學(xué)研發(fā)出一種「國產(chǎn)曝光復合體」，可用于蝕刻生產(chǎn)無(wú)掩模芯片，將有助于解決俄羅斯在微電子領(lǐng)域的技術(shù)主權問(wèn)題?？茖W(xué)家表示，這款芯片制造設備成本為500萬(wàn)盧布（約臺幣161萬(wàn)元），而另一種工具的成本未知
- 關(guān)鍵字： 俄羅斯 7納米 EUV
Intel 4技術(shù)在愛(ài)爾蘭大批量生產(chǎn)，點(diǎn)燃歐洲半導體制造能力
- DIGITAL-得益于A(yíng)SML的芯片機，英特爾在愛(ài)爾蘭的尖端技術(shù)生產(chǎn)點(diǎn)燃了歐洲革命。在英特爾位于愛(ài)爾蘭的最新制造工廠(chǎng)Fab 34的潔凈室里。?英特爾公司?英特爾在技術(shù)領(lǐng)域掀起了波瀾，在愛(ài)爾蘭推出了英特爾4技術(shù)的大批量生產(chǎn)，引發(fā)了一場(chǎng)歐洲革命。這標志著(zhù)極紫外光刻機（EUV）首次用于歐洲大規模生產(chǎn)。此舉鞏固了英特爾對快節奏生產(chǎn)戰略的承諾，并提升了歐洲的半導體制造能力。?這家科技巨頭在愛(ài)爾蘭、德國和波蘭的投資正在推動(dòng)整個(gè)歐洲大陸的尖端價(jià)值鏈。英特爾對可持續發(fā)展的執著(zhù)也體現在其愛(ài)爾蘭氣候行動(dòng)計
- 關(guān)鍵字： 英特爾，EUV，ASML
在人工智能半導體市場(chǎng)不斷增長(cháng)的情況下，美國加強了對芯片出口的控制
- 美國政府計劃修改對半導體技術(shù)對中國的出口限制。此舉旨在加強對芯片制造中使用的工具的控制，包括人工智能（AI）中使用的芯片。這些法規將與荷蘭和日本最近的法規保持一致，將限制使用光刻設備等芯片制造工具，并旨在彌補人工智能處理芯片出口限制中的一些漏洞。?這一法規的更新是在首次實(shí)施出口限制近一年后才開(kāi)始的。一些報告顯示，美國商務(wù)部一直在努力更新這些法規。據稱(chēng)，美國提前向中國表明了即將改變限制措施，以避免華盛頓和北京之間關(guān)系的任何潛在關(guān)系。?加強對芯片制造工具的限制?荷蘭政府也對出口限
- 關(guān)鍵字： AI DUV EUV
用新型極紫外光刻膠材料推進(jìn)半導體工藝
- 新型極紫外光刻膠材料是不斷增強半導體技術(shù)的重要基石。
- 關(guān)鍵字： EUV
臺積電美國亞利桑那工廠(chǎng)導入首臺 EUV 設備，預計 2025 年量產(chǎn) 4nm 芯片
- IT之家 8 月 22 日消息，法拉第未來(lái)在最新的季度報告中稱(chēng)，其虧損有所縮小，并表示已經(jīng)進(jìn)入創(chuàng )收階段。該公司在截至 6 月 30 日的第二季度的虧損為 1.249 億美元（IT之家備注：當前約 9.13 億元人民幣），即每股 10 美分，而去年同期的虧損為 1.417 億美元，即每股 44 美分。法拉第未來(lái)在本季度沒(méi)有報告任何收入?？傔\營(yíng)費用從 1.375 億美元降至 4,940 萬(wàn)美元，主要是由于研發(fā)和管理費用的減少。法拉第未來(lái)在給投資者的信中表示，公司計劃在未來(lái)幾個(gè)月內將其制造團隊擴大兩倍
- 關(guān)鍵字： 臺積電 EUV
ASML：數值孔徑0.75超高NA EUV光刻設備2030年登場(chǎng)
- 據日本媒體報導，光刻機設備龍頭阿斯麥（ASML）執行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會(huì )ITF World 2023表示，半導體產(chǎn)業(yè)需要2030年開(kāi)發(fā)數值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿(mǎn)足半導體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來(lái)EUV技術(shù)越來(lái)越成熟，半導體制程微縮至2020年前后三年，以超過(guò)50%幅度前進(jìn)，不過(guò)速度可能會(huì )在2030年放緩。故ASML計劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設備（原型制作），
- 關(guān)鍵字： ASML NA EUV 光刻設備
與EUV相比，這一光刻技術(shù)更具發(fā)展潛力
- 對于半導體行業(yè)而言，光刻技術(shù)和設備發(fā)揮著(zhù)基礎性作用，是必不可少的。所謂光刻，就是將設計好的圖形從掩模版轉印到晶圓表面的光刻膠上所使用的技術(shù)。光刻技術(shù)最先應用于印刷工業(yè)，之后長(cháng)期用于制造印刷電路板（PCB），1950 年代，隨著(zhù)半導體技術(shù)的興起，光刻技術(shù)開(kāi)始用于制造晶體管和集成電路（IC）。目前，光刻是 IC 制造過(guò)程中最基礎，也是最重要的技術(shù)。在半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史上，光刻技術(shù)的發(fā)展經(jīng)歷了多個(gè)階段，接觸/接近式光刻、光學(xué)投影光刻、分步（重復）投影光刻出現時(shí)間較早，集成電路生產(chǎn)主要采用掃描式光刻、浸沒(méi)式掃描光刻
- 關(guān)鍵字： EUV 光刻技術(shù)
今年轉向4nm EUV工藝 英特爾退役11代酷睿移動(dòng)版：10nm再見(jiàn)了
- 6月7日消息，英特爾今年下半年將會(huì )推出14代酷睿Meteor Lake處理器，首發(fā)Intel 4工藝，這是該公司首款EUV工藝，而且還會(huì )用上全新3D封裝工藝，處理器變化非常大。在迎接4nm EUV的同時(shí)，英特爾也在加快清理遺產(chǎn)，2020年發(fā)布的11代酷睿Tiger Lake處理器現在也進(jìn)入了退役階段，這一批主要是中低端的酷睿i7/i5/i3及賽揚系列，包括U系列及H35系列，最高端的就是酷睿i7-1165G7。與之一同退役的還有配套的500系芯片組，包括RM590E，HM570E和QM580E系列。這些產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： EUV 英特爾 酷睿
消息稱(chēng)三星半導體將減少 10% 晶圓投片量，EUV 產(chǎn)線(xiàn)成重災區
- IT之家 5 月 26 日消息，據韓媒 Aju News 報道，三星計劃自 2023 年第三季度開(kāi)始，對韓國華城園區 S3 工廠(chǎng)減少至少 10% 的晶圓投片量?！?圖源：三星報道稱(chēng)，三星半導體將在第三季度開(kāi)始，對華城園區 S3 工廠(chǎng)進(jìn)行減產(chǎn)作業(yè)。S3 工廠(chǎng)是三星半導體于 2018 年建成投產(chǎn)的 12 英寸生產(chǎn)線(xiàn)，目前主要生產(chǎn) 10nm 至 7nm 產(chǎn)品，也是三星半導體 EUV 先進(jìn)工藝的主力生產(chǎn)廠(chǎng)之一，三星為其部署了多臺 ASML 的 NXE3400 EUV 光刻機。Aju News
- 關(guān)鍵字： 三星 EUV
high-na euv介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條high-na euv!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對high-na euv的理解，并與今后在此搜索high-na euv的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對high-na euv的理解，并與今后在此搜索high-na euv的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
high-na euv電路
high-na euv相關(guān)帖子
high-na euv資料下載
high-na euv專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473