ASML堵了EUV光刻機的路，但國產(chǎn)光刻機有3大新方向

眾所周知，當前全球只有ASML一家能夠生產(chǎn)EUV光刻機，甚至可以說(shuō)很長(cháng)一段時(shí)間內，全球也只有ASML能夠生產(chǎn)光刻機，不會(huì )有第二家。

原因在于ASML把EUV光刻機的路堵住了，這條路別人是走不通的。

ASML與全球眾多的供應鏈，形成了捆綁關(guān)系，像蔡司等與ASML形成了利益共同體，EUV光刻機中，蔡司等廠(chǎng)商至關(guān)重要，掌握核心科技，缺少這些供應鏈，其它廠(chǎng)商不可能制造出EUV光刻機。

所以，目前眾多的其它光刻機企業(yè)，并不打算走EUV光刻機這條路，在另尋它路。

同樣的，國產(chǎn)光刻機基本上也走不通EUV這條路，只能另尋他路，而從現在的情況來(lái)看，目前主流上有三條路，這三條路都能實(shí)現EUV光刻機的效果。

第一條路是電子束光刻——用電子束在硅片上進(jìn)行雕刻。

這條路的優(yōu)點(diǎn)是精細，分辨率高，比EUV光刻機還要高，美國公司Zyvex Labs生產(chǎn)出了這樣的光刻機，實(shí)現0.768nm芯片的光刻，但缺點(diǎn)是產(chǎn)能低，效率低，無(wú)法大規模量產(chǎn)芯片，只能實(shí)驗室用，但也不失為一條新的路。

第二條路是納米壓印，也稱(chēng)NIL技術(shù)。原理是電路圖設計出來(lái)后，刻在納米板上，再像印書(shū)一樣壓印在硅片上。

這種的優(yōu)點(diǎn)非常多，比如功率遠比EUV光刻機低，一臺EUV光刻機一年要用1000萬(wàn)度電，但這種NIL技術(shù)能耗減少90%，且制造成本比EUV光刻機低40%。

缺點(diǎn)是目前精度不夠，遠遠達不到7nm、5nm的級別，大約還處于28-40nm及以上，但未來(lái)精度提高后，替代EUV完全可行。

還有一種是自組裝（DSA）光刻，這種技術(shù)比較神奇，就是用一些化學(xué)材料，直接在硅晶圓上，操縱這些材料，把芯片的電路圖刻畫(huà)出來(lái)，比如不要的部分用材料腐蝕掉……

但這種技術(shù)，目前還遠遠看不到量產(chǎn)的希望，這種神奇的化學(xué)材料不好找，但美國、歐洲等實(shí)驗室據說(shuō)有了進(jìn)展，不過(guò)短時(shí)間內肯定沒(méi)戲，只能在科幻劇中看到。

很明顯，目前看起來(lái)最可靠的，還是NIL納米壓印技術(shù)，完全有替代EUV光刻機的可能性，目前國內也在研究這個(gè)技術(shù)。

不過(guò)研究最好的還是日本的佳能，佳能在NIL技術(shù)上專(zhuān)利全球最多，且已經(jīng)有了量產(chǎn)機器，目前在改進(jìn)精度，希望國產(chǎn)加油，也能夠趕緊推出NIL光刻機出來(lái)，那樣我們的芯片就不怕被卡脖子了。