EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
high-na euv
high-na euv 文章 進(jìn)入high-na euv技術(shù)社區
半導體設備業(yè)研發(fā)經(jīng)費拮據 聯(lián)盟關(guān)系將成救星
- 市場(chǎng)研究機構Gartner警告，半導體設備產(chǎn)業(yè)的研發(fā)預算恐怕在接下來(lái)的五年內大幅削減80億美元，使該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域陷入危機。不過(guò)該機構資深分析師Dean Freeman也表示，研發(fā)聯(lián)盟的興起將成為救星。 缺乏適當的投資將導致技術(shù)藍圖延遲，而且公司恐怕無(wú)法做好迎接未來(lái)挑戰的準備;在目前營(yíng)收低迷的情況下，半導體設備業(yè)正面臨著(zhù)如此的危機點(diǎn)。不過(guò)Freeman卻認為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過(guò)去十年來(lái)有不少產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的建立，而這些結盟關(guān)系在某些程度上減輕了業(yè)者因營(yíng)收減少對研發(fā)所帶來(lái)的沖擊。 Fr
- 關(guān)鍵字： 半導體設備 通孔硅 high-k金屬閘極
臺灣晶圓廠(chǎng)選擇 ASM 提供 High-k ALD工具
- ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠(chǎng)為其28 納米節點(diǎn)high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。 除此之外，此家晶圓廠(chǎng)也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術(shù)進(jìn)行制程開(kāi)發(fā)活動(dòng)。 ASM 在2009年第2季將針對進(jìn)階節點(diǎn)開(kāi)發(fā)計劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠(chǎng)在過(guò)去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設備來(lái)開(kāi)發(fā)其以鉿基材料為基礎的high-k 閘極制程。 納米節點(diǎn)上實(shí)現成功的high-K制程
- 關(guān)鍵字： ASM high-k 晶圓
EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道
- 對于極紫外（EUV）光刻技術(shù)而言，掩膜版相關(guān)的一系列問(wèn)題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問(wèn)題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線(xiàn)具有極強的吸收能力。在Texas州Austin召開(kāi)的表面預處理和清洗會(huì )議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問(wèn)題和挑戰，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開(kāi)了一次內部討論，并在會(huì )上向與會(huì )的同仁報告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
- 關(guān)鍵字： 光刻 EUV 掩膜 CMOS
22納米后EUV光刻還是電子束光刻？市場(chǎng)看法存分歧
- 浸潤式微顯影雙重曝光能進(jìn)一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過(guò)，22納米以下究竟哪種技術(shù)得以出頭，爭議不斷。據了解，臺積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫(xiě)式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動(dòng)深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數家客戶(hù)下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術(shù)最終將「一統江湖」，尚未有定論。 ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長(cháng)可達13.5納米，約是248波長(cháng)的KrF顯影設備的15分之1，盡管浸潤式顯
- 關(guān)鍵字： 消費電子 EUV 電子束 消費電子
凌華推出High Speed Link延伸模塊
- 凌華科技推出High Speed Link系統延伸模塊HSL-HUB3與HSL-Repeater。此產(chǎn)品可以為HSL用戶(hù)提供最長(cháng)可達2400公尺的長(cháng)距離使用及多點(diǎn)連接(multi-drop)接線(xiàn)架構，搭配高達十余種I/O及運動(dòng)控制模塊的組合，提供客戶(hù)實(shí)時(shí)控制的完整解決方案。 凌華的High Speed Link（HSL）技術(shù)是串列式遠程I/O實(shí)時(shí)控制的絕佳選擇。HSL-HUB3/Repeater基于HSL技術(shù)，針對接線(xiàn)的
- 關(guān)鍵字： High Link Speed 工業(yè)控制 凌華 汽車(chē)電子 通訊 網(wǎng)絡(luò ) 無(wú)線(xiàn) 延伸 模塊 工業(yè)控制
瑞昱推出High Definition 音訊轉換芯片
- 音訊內容保護 (Content Protection) 技術(shù)與透過(guò)傳統電話(huà)的Skype應用功能加速音訊轉換芯片在數字家庭的應用 瑞昱半導體在美國舊金山的Intel春季科技論壇推出最新一代的高精準音訊轉換芯片 (High Definition Audio Codecs; HD Audio Codecs) ALC885與ALC888 Telecom。瑞昱ALC885內建內容保護與防拷&nbs
- 關(guān)鍵字： High Definition 音訊轉換 瑞昱 通訊與網(wǎng)絡(luò ) 芯片
尼康NA超過(guò)1的液浸設備半導體商正式采用
- 尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導體廠(chǎng)商供應用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開(kāi)口數（NA）為1.07的液浸ArF曝光設備“NSR-S609B”。這是全球首次供應NA超過(guò)1的液浸ArF曝光設備。 這家大型半導體廠(chǎng)商的名字，尼康沒(méi)有公布，估計是過(guò)去在技術(shù)方面與之開(kāi)展合作的東芝。 作為全折射型液浸曝光設備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術(shù)，能夠實(shí)現很高的分辨率。對于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩定性的問(wèn)題，據稱(chēng)利用名為“Local-fill（局部
- 關(guān)鍵字： NA 尼康 嵌入式系統
high-na euv介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條high-na euv!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對high-na euv的理解，并與今后在此搜索high-na euv的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對high-na euv的理解，并與今后在此搜索high-na euv的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
high-na euv電路
high-na euv相關(guān)帖子
high-na euv資料下載
high-na euv專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473