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斥資440億元采購EUV光刻機？臺積電：不評論傳聞

9月30日訊，此前有媒體報道，由于先進(jìn)制程推進(jìn)順利和訂單量擴大，臺積電將加大EUV光刻機的采購力度，預計到2021年底采購量為55臺左右。臺積電方面回復稱(chēng)：公司不評論市場(chǎng)傳聞。據了解，一臺EUV光刻機售價(jià)近8億元，55臺EUV光刻機價(jià)值約440億元。相關(guān)閱讀：臺積電明年底前將累計采購55臺EUV光刻機：花費超440億元出處：快科技作者：萬(wàn)南芯片制程已經(jīng)推進(jìn)到了7nm以下，這其中最關(guān)鍵的核心設備就要數EUV光刻機了，目前全世界只有荷蘭ASML（阿斯麥）可以制造。來(lái)自Digitimes的報道稱(chēng)，臺積電打算在
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華為+中科院攻關(guān)EUV光刻機？ASML華裔工程師：天方夜譚

9月16日，中國科學(xué)院院長(cháng)白春禮在國新辦發(fā)布會(huì )上介紹稱(chēng)，“率先行動(dòng)”計劃第二階段要把美國“卡脖子”的清單變成科研任務(wù)清單進(jìn)行布局，集中全院力量聚焦國家最關(guān)注的重大領(lǐng)域攻關(guān)。白春禮稱(chēng)，從2021年到2030年未來(lái)的十年是“率先行動(dòng)”計劃第二階段。對此，首先要進(jìn)行體制機制改革。他稱(chēng)，目前已經(jīng)設立了創(chuàng )新研究院、卓越創(chuàng )新中心、大科學(xué)中心和特色所四類(lèi)機構，目的是根據科研性質(zhì)不同進(jìn)行分類(lèi)定位、分類(lèi)管理、分類(lèi)評價(jià)、分類(lèi)資源配置?！斑@個(gè)工作還沒(méi)有完，只是進(jìn)行了一部分，所以第二階段我們爭取在2025年要把四類(lèi)機構全部做完，
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10億元一臺EUV光刻機！芯片產(chǎn)能數量曝光：夠華為手機用嗎？

相信大家都知道，在前幾天，ASML重磅官宣了一條大新聞，正式在中國寶島臺灣建設了第一家海外培訓中心—亞洲培訓中心，這家培訓中心標配了14名培訓技師，一年大約可以培養超過(guò)360名EUV光刻機操作工程師，能夠讓芯片生產(chǎn)加工企業(yè)更好的掌握和使用EUV光刻機，從而可以進(jìn)一步提高5nm/3nm芯片的良品率，其實(shí)ASML在臺灣建設這座亞洲培訓中心，最大的目的就是為了直接幫助臺積電培養更多的光刻機操作工程師，因為在過(guò)去兩年時(shí)間里，ASML一共售賣(mài)了57臺EUV光刻機產(chǎn)品，其中臺積電就購得了30臺，占據著(zhù)絕大部分的份額，
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臺積電：5nm EUV工藝已在量產(chǎn)、明年推出增強版

24日，臺積電舉辦了第26屆技術(shù)研討會(huì )，并披露了旗下最新工藝制程情況。按照臺積電的說(shuō)法，5nm工藝規劃了兩代，分別是N5和N5P。其中N5確定引入EUV（極紫外光刻）技術(shù)，并且已經(jīng)在大規模量產(chǎn)之中。相較于N7，N5的功耗降低了30%、性能提升了15%，邏輯器件密度是之前的1.8倍。N5P作為改良版，仍在開(kāi)發(fā)中，規劃2021年量產(chǎn)，相較于第一代5nm，功耗進(jìn)一步降低10%、性能提升5%，據稱(chēng)面向高性能計算平臺做了優(yōu)化。據手頭資料，臺積電的5nm有望應用在蘋(píng)果A14芯片（包括Apple Silicon PC處
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臺積電采購30臺EUV光刻機沖刺7/5nm，ASML就近設立培訓中心

臺積電在高端制程技術(shù)上沖鋒陷陣，已經(jīng)成為光刻機龍頭 ASML 在 EUV 機臺上的最大采購客戶(hù)，累計已經(jīng)購買(mǎi)了 30 臺 EUV 設備。日前，ASML 繼在韓國成立 EUV 技術(shù)培訓中心后，也在臺積電先進(jìn)制程的重鎮臺灣臺南，成立 EUV 技術(shù)培訓中心。一臺EUV系統需要50個(gè)工程師操作一臺造價(jià)逾一億歐元的精密 EUV 系統，重量高達 180&nbs
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Intel/臺積電/ASML齊捧EUV光刻：捍衛摩爾定律

日前，中國國際半導體技術(shù)大會(huì )（CSTIC）在上海開(kāi)幕，為期19天，本次會(huì )議重點(diǎn)是探討先進(jìn)制造和封裝。其中，光刻機一哥ASML（阿斯麥）的研發(fā)副總裁Anthony Yen表示，EUV光刻工具是目前唯一能夠處理7nm和更先進(jìn)工藝的設備，EUV技術(shù)已經(jīng)被廣泛認為是突破摩爾定律瓶頸的關(guān)鍵因素之一。Yen援引統計數據顯示，截至2019年第四季度，ASML當年共售出53臺EUV NXE：3400系列EUV光刻機，使用EUV機器制造的芯片產(chǎn)量已經(jīng)達到1000萬(wàn)片。他說(shuō)，EUV已經(jīng)成為制造7nm、5nm和3nm邏輯集成電
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華為、蘋(píng)果7/5nm需求大臺積電狂加EUV訂單

2020年因為全球經(jīng)濟的問(wèn)題，本來(lái)電子行業(yè)會(huì )下滑，但是晶圓代工場(chǎng)合不降反升，臺積電Q1季度營(yíng)收大漲了30%，牢牢坐穩了全球晶圓代工一哥的位置。由于華為、蘋(píng)果等公司的7nm及5nm工藝需求大，臺積電目前正在瘋狂增加EUV產(chǎn)能。臺積電2018年量產(chǎn)了7nm工藝，不過(guò)第一代7nm沒(méi)有EUV工藝加持，2019年的7nm EUV工藝才由華為的麒麟990 5G處理器首發(fā)，而今年的5nm工藝則會(huì )全面上馬EUV工藝。根據臺積電之前公布的數據，7nm及7nm EUV工藝目前每月的產(chǎn)能達到了11萬(wàn)片晶圓/月，而5nm工藝的月
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三星新建5nm晶圓廠(chǎng)：先進(jìn)EUV技術(shù) 2021年投產(chǎn)

隨著(zhù)時(shí)間邁入2020年中，以臺積電和三星為代表的芯片半導體也從7nm逐步向5nm進(jìn)發(fā)，實(shí)際上麒麟1020和蘋(píng)果A14芯片就是基于臺積電5nm工藝，表現相較7nm將會(huì )更上一層樓。很明顯在7nm時(shí)代，三星是落后于臺積電的，不過(guò)這家巨頭似乎想在5nm時(shí)代彎道超車(chē)，近日據媒體報道，三星宣布將于漢城南部的平澤市建造全新的5nm晶圓廠(chǎng)。該工廠(chǎng)是三星在韓國國內的第六條晶圓代工產(chǎn)線(xiàn)，將應用先進(jìn)的極紫外光微影（ExtremeUltravioletlithography，EUV）制程技術(shù)，拿7nmEUV工藝對比，三星5nmE
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EUV光刻機斷貨臺積電5nm工藝搶三星頭彩：A14/麒麟1020首發(fā)

臺積電上周發(fā)布了3月及Q1季度財報,營(yíng)收同比大漲了42%,淡季不淡。不過(guò)接下來(lái)的日子半導體行業(yè)可能不太好過(guò)了,ASML的EUV光刻機已經(jīng)斷貨,要延期交付,好在臺積電今年已經(jīng)在5nm工藝上搶先三星了。根據ASML之前的報告,3月底他們下調了1季度營(yíng)收預期到24-25億美元,差不多減少了1/4左右的營(yíng)收,毛利率也下滑到了45-46%之間。此外,ASML的EUV光刻機也因為種種原因斷貨了,雖然訂單沒(méi)有取消,但是交付要延期了,三星、臺積電今年都不太容易快速擴張EUV產(chǎn)能。不過(guò)臺積電在這次危機中更有優(yōu)勢地位,他們包
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三星首次將EUV技術(shù)應用于DRAM生產(chǎn)

據ZDnet報道，三星宣布，已成功將EUV技術(shù)應用于DRAM的生產(chǎn)中。
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三星率先為DRAM芯片導入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規模量產(chǎn)

當前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶(hù)評估，這為今后高端PC、手機、企業(yè)級服務(wù)器等應用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開(kāi)始全面導入EUV，明年基于D1a大規模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內存芯片，預計會(huì )使12
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引入EUV技術(shù)的6nm，才是真正的6nm

只有引入EUV技術(shù)的6nm才是真正的6nm，而這項技術(shù)也將伴隨未來(lái)可能的5nm、4nm、3nm、2nm、1nm一路
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泛林集團發(fā)布應用于EUV光刻的技術(shù)突破

近日，泛林集團發(fā)布了一項用于EUV光刻圖形化的干膜光刻膠技術(shù)。泛林集團研發(fā)的這項全新的干膜光刻膠技術(shù)，結合了泛林集團在沉積、刻蝕工藝上的領(lǐng)導地位及其與阿斯麥?(ASML) 和比利時(shí)微電子研究中心?(imec)?戰略合作的成果，它將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產(chǎn)率和良率。泛林集團的干膜光刻膠解決方案提供了顯著(zhù)的EUV光敏性和分辨率優(yōu)勢，從而優(yōu)化了單次EUV光刻晶圓的總成本。由于領(lǐng)先的芯片制造商已開(kāi)始將EUV光刻系統應用于大規模量產(chǎn)，進(jìn)一步提升生產(chǎn)率和分辨率將幫助他們以更合理
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泛林集團在提高EUV光刻分辨率、生產(chǎn)率和良率取得技術(shù)突破

泛林集團與阿斯麥 (ASML) 和比利時(shí)微電子研究中心 (imec) 共同研發(fā)的全新干膜光刻膠技術(shù)將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產(chǎn)率和良率。
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2021年ASML將推下一代EUV光刻機面向2nm、1nm工藝

作為全球唯一能生產(chǎn)EUV光刻機的公司,荷蘭ASML公司去年出售了26臺EUV光刻機,主要用于臺積電、三星的7nm及今年開(kāi)始量產(chǎn)的5nm工藝,預計今年出貨35臺EUV光刻機。目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進(jìn)型的NXE:3400C,兩者基本結構相同,但NXE:3400C采用模塊化設計,維護更加便捷,平均維修時(shí)間將從48小時(shí)縮短到8-10小時(shí),支持7nm、5nm。此外,NXE:3400C的產(chǎn)能也從之前的125WPH(每小時(shí)處理晶圓數)提升到了175WPH。不論NXE:3400B還是NXE:
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