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德州儀器宣布與中車(chē)株洲所簽署升級聯(lián)合設計實(shí)驗室合作備忘錄

德州儀器(TI)今日宣布與中國領(lǐng)先的軌道交通設備制造商中車(chē)株洲電力機車(chē)研究所有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級共同運營(yíng)的聯(lián)合設計實(shí)驗室，實(shí)現更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車(chē)株洲所運用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù)，加速包括軌道交通，電動(dòng)汽車(chē)等方面的應用設計以助力中國新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設。合作還將拓展至太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源方面的應用，以響應中國在2060年實(shí)現碳中和的宏偉目標。德州儀器(TI)與中車(chē)株洲電力機車(chē)研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動(dòng)中國城際軌道交通系統的快速
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著(zhù)的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿(mǎn)足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽(yáng)能逆變器和伺服驅動(dòng)器。全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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砥礪前行，推進(jìn)半導體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來(lái)通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導體器件重點(diǎn)實(shí)驗室，圍繞中國半導體產(chǎn)業(yè)鏈，培養工程專(zhuān)業(yè)人才，搭建跨國跨區域的校企合作與人才教育平臺，建立以工程創(chuàng )新能力為核心指標的多元化機制，致力于對大灣區乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養成績(jì)斐然，在國產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
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TI為何把首款GaN FET定位于汽車(chē)和工業(yè)應用

GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來(lái)越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅動(dòng)器、內部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車(chē)用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車(chē)和工業(yè)方面的機會(huì )？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線(xiàn)上采訪(fǎng)了TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
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在輕度混合動(dòng)力汽車(chē)中利用GaN實(shí)現雙電池管理

John Grabowski：安森美半導體電源方案部門(mén)的首席應用和市場(chǎng)工程師，部門(mén)位于美國密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半導體，此前他曾在福特汽車(chē)公司研究實(shí)驗室工作30年。他一直從事電路和軟件設計，應用于電氣、混合動(dòng)力汽車(chē)和汽車(chē)動(dòng)力總成系統。最近，他的團隊積極推動(dòng)將高功率半導體應用于汽車(chē)電子化。引言為應對氣候變化，汽車(chē)減排降油耗勢在必行。如今，許多國家/地區的法律強制要求汽車(chē)制造商做出這些改變。為實(shí)現這一目標，其中一種方式就是采用混合動(dòng)力，即在汽油或柴油車(chē)輛的傳動(dòng)鏈中
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第三代芯片徹底火了！45家公司實(shí)證涉足三代半導體

延續9月4日以來(lái)的火熱行情，9月17日，A股第三代半導體概念股持續強勁，雙良節能、易事特漲停，多只概念股個(gè)股漲超7%。證券時(shí)報·e公司記者梳理發(fā)現，截至9月17日，已通過(guò)深交所互動(dòng)易或公告形式披露公司確有第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)務(wù)，或已積累相關(guān)技術(shù)專(zhuān)利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半導體方面有實(shí)際業(yè)務(wù)，或已出貨相關(guān)產(chǎn)品，但多數為小批量出貨，銷(xiāo)售收入占上市公司比例較小。三代半導體概念持續火熱近段時(shí)間以來(lái)，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)概念股異軍突起，成為低迷震蕩行情下一道亮
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采用升壓功率因數校正(PFC)前級及隔離反激拓撲后級的90W可調光LED鎮流器設計

(?BUSINESS WIRE?)-- 高效率、高可靠性L(fǎng)ED驅動(dòng)器IC領(lǐng)域的知名公司Power Integrations 近日推出?LYTSwitch?-6?系列安全隔離型LED驅動(dòng)器IC的最新成員 —— 適合智能照明應用的新器件LYT6078C。這款新的LYTSwitch-6?IC采用了Power Integrations的PowiGaN?氮化鎵(GaN)技術(shù)，在該公司今天同時(shí)發(fā)布的新設計范例報告 (?DER-920?) 中，展現了
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面向新基建的GaN技術(shù)

新基建涵蓋了廣泛的領(lǐng)域，并對半導體電源設計提出了各種挑戰。其中最大的挑戰之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個(gè)挑戰是如何幫助設計師在這些競爭激烈的市場(chǎng)中脫穎而出。為應對這些挑戰，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關(guān)TI GaN解決方案的更多詳細信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)的各類(lèi)應用。TI GaN在一個(gè)封裝中集成高速柵極驅動(dòng)器和保護功能，可提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)速度和低損耗。如今，我們的GaN應用于交流/直流電源和電機驅動(dòng)器、電網(wǎng)基礎設施和汽車(chē)
關(guān)鍵字： OBC GaN 202009

電源設計，進(jìn)無(wú)止境

5 推動(dòng)電源管理變革的5大趨勢電源管理的前沿趨勢我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開(kāi)發(fā)新的工藝、封裝和電路設計技術(shù)，從而為您的應用提供性能出色的器件。無(wú)論您是需要提高功率密度、延長(cháng)電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰。德州儀器 (TI)：與您攜手推動(dòng)電源進(jìn)一步發(fā)展的合作伙伴。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內實(shí)現更大的功率，從而以更低的系統成本增強系統功能2? ?低 IQ在不影響
關(guān)鍵字： QFN EMI GaN MCM

e絡(luò )盟發(fā)布新一期人工智能電子書(shū)，激發(fā)廣大讀者創(chuàng )新應用開(kāi)發(fā)熱情

全球電子元器件與開(kāi)發(fā)服務(wù)分銷(xiāo)商 e絡(luò )盟新近發(fā)布名為《AIoT時(shí)代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來(lái)》的電子書(shū)，旨在為專(zhuān)業(yè)工程師、創(chuàng )客和電子愛(ài)好者提供人工智能相關(guān)專(zhuān)業(yè)知識，助力他們更加順利地進(jìn)行人工智能應用開(kāi)發(fā)并開(kāi)拓出更多新型市場(chǎng)應用。本冊電子書(shū)匯集了人工智能詳細路線(xiàn)圖和類(lèi)別，闡釋了人工智能、機器學(xué)習（ML）和深度學(xué)習（DL）之間的關(guān)系，并詳細介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )相關(guān)技術(shù)。書(shū)中還向讀者推薦了數款適用于首次進(jìn)行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開(kāi)發(fā)的優(yōu)質(zhì)平臺。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變人類(lèi)的工作方式。目前，人工
關(guān)鍵字： TTS STT AIoT CNN RNN GAN

GaN 器件的直接驅動(dòng)配置

受益于集成器件保護，直接驅動(dòng)GaN器件可實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無(wú)第三象限反向恢復的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現諸如圖騰柱無(wú)橋功率因數控制器（PFC）等較高頻率的硬開(kāi)關(guān)拓撲。由于它們的高開(kāi)關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現此類(lèi)拓撲。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開(kāi)關(guān)損耗、更佳
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GaN 將能源效率推升至新高度

德州儀器(TI)是推動(dòng)GaN開(kāi)發(fā)和支持系統設計師采用這項新技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)。TI基于GaN的電源解決方案和參考設計，致力于幫助系統設計師節省空間、取得更高電源效率及簡(jiǎn)化設計流程。TI新穎的解決方案不僅可以?xún)?yōu)化性能，而且攻克了具有挑戰性的實(shí)施問(wèn)題，使客戶(hù)得以設計高能效系統，建設更綠色環(huán)保的世界。
關(guān)鍵字： MOSEFT GaN UPS

自有技術(shù)加持，安世新一代GaN助力工業(yè)汽車(chē)應用

寬禁帶半導體特別是GaN和SiC這兩年成為整個(gè)功率器件材料關(guān)注的焦點(diǎn)，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
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新基建驅動(dòng)電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

我國正在大力進(jìn)行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí)，SiC、GaN等第三代半導體材料風(fēng)生水起，奠定了堅實(shí)的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區域營(yíng)銷(xiāo)及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪(fǎng)，分享了對工業(yè)市場(chǎng)的預測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區域營(yíng)銷(xiāo)及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場(chǎng)
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助力新基建，安世半導體升級GaN產(chǎn)品線(xiàn)

近日，安世半導體宣布推出新一代H2技術(shù)的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點(diǎn)應用場(chǎng)合包括電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器、高壓DC-DC直流轉換器和發(fā)動(dòng)機牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業(yè)電源，用于機架裝配的電信設備、5G設備和數據中心相關(guān)設備。日前，安世半導體MOS業(yè)務(wù)集團大中華區總監李東岳詳細解析了安世半導體的GaN FET藍圖以及新一代GaN FET的特性。新一代GaN產(chǎn)品升級 2019年，安世半導體正式推出650V GaN MOSFET，采用級聯(lián)技術(shù)，利用高壓GaN配合低壓
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