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Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統功率性能
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領(lǐng)先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專(zhuān)門(mén)設計用于優(yōu)化商業(yè)用雷達、通信系統及航空電子應用的功率性能。 Qorvo 國防與航空航天產(chǎn)品總經(jīng)理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過(guò)提供更高功率增益和功率附加效率來(lái)提升系統性能。Qorvo可以更好地實(shí)現相位陣列雷達等先進(jìn)設備的要求，提供
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基于GaN FET的CCM圖騰柱無(wú)橋PFC
- 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開(kāi)關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開(kāi)了大門(mén)。連續傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個(gè)得益于GaN優(yōu)點(diǎn)的拓撲。與通常使用的雙升壓無(wú)橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無(wú)橋PFC能夠使半導體開(kāi)關(guān)和升壓電感器的數量減半，同時(shí)又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區域內出現電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個(gè)750W圖騰柱PFC原型機被
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TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉換效能
- 基于數十年的電源管理創(chuàng )新經(jīng)驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場(chǎng)效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動(dòng)器的GaN解決方案的半導體廠(chǎng)商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數字電力轉換控制器組合在一起，能使設計人員創(chuàng )造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
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安森美半導體推進(jìn)更快、更智能和更高能效的GaN晶體管
- 氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱(chēng)為第三代半導體材料，用于電源系統的設計如功率因數校正(PFC)、軟開(kāi)關(guān)DC-DC、各種終端應用如電源適配器、光伏逆變器或太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器及通信電源等，可實(shí)現硅器件難以達到的更高電源轉換效率和更高的功率密度水平，為開(kāi)關(guān)電源和其它在能效及功率密度至關(guān)重要的應用帶來(lái)性能飛躍?！ aN的優(yōu)勢 從表1可見(jiàn)，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著(zhù)開(kāi)關(guān)過(guò)程的反向恢復時(shí)間可忽略不計
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英國專(zhuān)家用半極性GaN生長(cháng)高效益LED
- 英國雪菲爾大學(xué)(SheffieldUniversity)的一支研究團隊最近在《應用物理學(xué)快報》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長(cháng)LED的最新成果。 利用在M-Plane藍寶石基板上生長(cháng)的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過(guò)度生長(cháng)的半極性GaN(11-22)上生長(cháng)出具有更高量子效益的LED。 相較于在C-Plane藍寶石基板上生長(cháng)的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長(cháng)的綠光LED顯示發(fā)光波長(cháng)的藍位移隨著(zhù)驅動(dòng)電流增加而
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英國專(zhuān)家用半極性GaN生長(cháng)高效益LED
- 英國雪菲爾大學(xué)(Sheffield University)的一支研究團隊最近在《應用物理學(xué)快報》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長(cháng)LED的最新成果?！ ±迷贛-Plane藍寶石基板上生長(cháng)的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過(guò)度生長(cháng)的半極性GaN(11-22)上生長(cháng)出具有更高量子效益的LED?！ ∠噍^于在C-Plane藍寶石基板上生長(cháng)的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長(cháng)的綠光LED顯示發(fā)光波
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波音和通用實(shí)驗室研發(fā)出GaN CMOS場(chǎng)效應晶體管
- 由美國波音公司和通用汽車(chē)公司擁有的研發(fā)實(shí)驗室-HRL實(shí)驗室已經(jīng)宣布其實(shí)現互補金屬氧化物半導體(CMOS)FET技術(shù)的首次展示。該研究結果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報上。 在此過(guò)程中，該實(shí)驗室已經(jīng)確定半導體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉換電路的備選技術(shù)鋪平了道路。 氮化鎵晶體管在電源開(kāi)關(guān)和微波/毫米波應用中有出色的表現，但該潛力還未用于集成功率轉換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
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新型GaN功率器件的市場(chǎng)應用趨勢
- 第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì ) 時(shí)間：2016.01.14 下午 地點(diǎn)：深圳南山軟件創(chuàng )業(yè)基地 IC咖啡 演講主題: 新型GaN功率器件的市場(chǎng)應用趨勢 演講嘉賓: 蔡振宇 富士通電子元器件市場(chǎng)部高級經(jīng)理 主持人：接下來(lái)開(kāi)始第三場(chǎng)演講。大家知道無(wú)論消費電子產(chǎn)品還是通訊硬件、電動(dòng)車(chē)以及家用電器，提升電源的轉換能效、功率密度、延長(cháng)電池使用的時(shí)間，這已經(jīng)是比較大的挑戰了。所有這一切都意味著(zhù)電子產(chǎn)業(yè)會(huì )越來(lái)越依賴(lài)新型功
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物聯(lián)網(wǎng)將如何影響半導體芯片廠(chǎng)商？
- 未來(lái)虛擬現實(shí)和智能汽車(chē)成為焦點(diǎn)，VR將會(huì )引發(fā)的變革成了全產(chǎn)業(yè)鏈熱議的話(huà)題，VR也必會(huì )給物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)變革，而對于IoT可能帶來(lái)的更多變化，半導體廠(chǎng)商該如何應對?
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) GaN
第三代半導體崛起 中國照明能否彎道超車(chē)？
- 近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料在引發(fā)全球矚目，成為全球半導體研究前沿和熱點(diǎn)，中國也不例外地快馬加鞭進(jìn)行部署。有專(zhuān)家指出，第三代半導體材料是以低碳和智能為特征的現代人類(lèi)信息化社會(huì )發(fā)展的基石，是推動(dòng)節能減排、轉變經(jīng)濟發(fā)展方式，提升新一代信息技術(shù)核心競爭力的決定性因素之一，有著(zhù)不可替代的支撐作用。那么，這一迅速崛起的第三代半導體材料，能否讓中國掌控新一輪半導體照明發(fā)展的話(huà)語(yǔ)權? 第三代半導體材料雙雄：SiC和GaN 半
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Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導體大廠(chǎng)加速投入GaN、SiC開(kāi)發(fā)
- DIGITIMES Research觀(guān)察，傳統以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術(shù)表現，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預計未來(lái)功率半導體市場(chǎng)將三分天下。 更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動(dòng)車(chē)、油電混合車(chē)、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動(dòng)通訊基地臺，或資料中心機房設備而言
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實(shí)時(shí)功率GaN波形監視的設計方案
- 簡(jiǎn)介 功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內令人激動(dòng)的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開(kāi)關(guān)頻率如何能夠導致更高頻率和更高功率密度的開(kāi)發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術(shù)，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項技術(shù)用于蜂窩基站和數款軍用/航空航天系統中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監視的必要性。 使用壽命預測指標 功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執行數個(gè)供貨商所使
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氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來(lái)選擇
- 當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時(shí)，都會(huì )不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進(jìn)的寬禁帶技術(shù)。市場(chǎng)研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個(gè)更大的帶隙，可以進(jìn)一步提高功率器件性能。 n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長(cháng)至1.1億美元 由碳化硅電力設備市場(chǎng)驅動(dòng)，n型碳化硅基
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氮化鎵元件將擴展功率應用市場(chǎng)
- 根據YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專(zhuān)業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會(huì )發(fā)現逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠(chǎng)商的競爭或并購壓力。 Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場(chǎng)規模約為1千萬(wàn)美元。但從2016-2020年之間，這一市場(chǎng)將以93%的年復合成長(cháng)率(CAGR)成長(cháng)，預計在2020年時(shí)可望達到3千萬(wàn)美元的產(chǎn)值。 目前銷(xiāo)售Ga
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對gan system的理解，并與今后在此搜索gan system的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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