Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著(zhù)的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的R_DS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿(mǎn)足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽(yáng)能逆變器和伺服驅動(dòng)器。

全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封裝，對于給定R_DS(on)值，芯片尺寸縮小36%，具有更好的穩定性和效率。級聯(lián)配置無(wú)需復雜的驅動(dòng)電路，加快了產(chǎn)品上市速度。該器件在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)電路中均具有出色的性能，為設計人員提供極大的靈活性。Nexperia GaN戰略市場(chǎng)總監Dilder Chowdhury解釋說(shuō)：“鈦金級是80 PLUS?規格中最嚴苛的，滿(mǎn)載條件下要求達到>91%的效率（半載條件下>96%）。對于2 kW及更高功率的服務(wù)器電源應用，使用傳統硅器件來(lái)實(shí)現這種性能水平，電路設計復雜而具有挑戰性。Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡(jiǎn)潔的無(wú)橋圖騰柱PFC電路，使用更少的器件，并能減少尺寸和系統成本?！?/span>Nexperia GAN041-650WSB GaN FET現已大量供貨。